1.一种多频段射频功率放大器，其特征在于，包括：
多个输入匹配网络电路，射频功率放大电路，一个输出匹配网络；
所述射频功率放大电路的放大器采用RFSOI工艺实现且采用堆叠MOS管的方式提高耐压和输出功率；
各所述输入匹配网络的输入端分别通过一个开关连接射频输入信号，各所述输入匹配网络的输出端分别通过一个开关连接所述射频功率放大电路的输入端；根据所述射频输入信号的频率所属频率段的不同并通过各所述开关选择对应的所述输入匹配网络，实现多频段射频输入信号的输入；
所述射频功率放大电路的输出端连接所述输出匹配网络的输入端，所述输出匹配网络的输出端输出射频输出信号。
2.如权利要求1所述的多频段射频功率放大器，其特征在于：所述射频功率放大电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管作为放大器，所述第一NMOS管的栅极作为所述射频功率放大电路的输入端，所述第一NMOS管的源极接地；
在所述第一NNOS管的漏极和所述射频功率放大电路的输出端之间堆叠有多个第二NMOS管，各所述第二NMOS管之间通过源极和漏极串联在一起，各所述第二NMOS管的栅极分别连接直流偏置电压；
所述第一NMOS管和各所述第二NMOS管都形成于SOI衬底上；
在所述射频功率放大电路的输出端和正电源电压之间连接有扼流电感。
3.如权利要求2所述的多频段射频功率放大器，其特征在于：各所述第二NMOS管的栅极的直流偏置电压由连接在正电源电压和地之间的电阻串提供，沿着所述第一NMOS管的漏极到所述射频功率放大电路的输出端的方向上，各所述第二NMOS管的栅极的直流偏置电压依次增加。
4.如权利要求3所述的多频段射频功率放大器，其特征在于：各所述第二NMOS管的衬底电极和所述第一NMOS管的衬底电极都连接在一起并且接到地，在各所述第二NMOS管的栅极到地之间都分别连接有一个电容。
5.如权利要求3或4所述的多频段射频功率放大器，其特征在于：所述第二NMOS管的个数为3个。
6.如权利要求2所述的多频段射频功率放大器，其特征在于：在所述第一NMOS管的栅极和所述射频功率放大电路的输出端之间串联由一个电容和一个电阻；所述第一NMOS管的栅极和通过一个电阻连接到第一偏置电压。
7.如权利要求1所述的多频段射频功率放大器，其特征在于：所述输入匹配网络电路包括3个且分别在900MHz，1900MHz和2400MHz频率下被选择。