1.一种高通量压电谐振芯片制备方法，包括在一基片(108)上开设多个穿孔或使用透明材料制成的半穿孔，每一穿孔或半穿孔内置入一压电谐振片(101)，其特征在于，各压电谐振片用相同批次材料和工艺制作而成，各压电谐振片(101)的上、下两面分别经铬或钛粘附层(102)连接工作电极(103)及背面电极(104)，工作电极(103)及背面电极(104)的一端经低温导电银胶(105)与接口端子(107)连接，且各压电谐振片(101)周围使用柔性粘合层(106)连接基片(108)，各压电谐振片(101)的背面电极底部设有后盖(109)。
2.根据权利要求1所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，所述压电谐振片(101)、基片(108)的片形为圆形或多边形。
3.根据权利要求1所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，所述柔性粘合层(106)采用704硅胶、聚二甲基硅氧烷或柔性玻璃制成。
4.根据权利要求1所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，所述压电谐振片(101)为压电晶体、压电陶瓷、压电高聚物或压电复合材料，所述工作电极及背面电极(103、104)为金属膜或导电复合材料膜，所述基片(108)为晶体材料或复合材料。
5.根据权利要求1所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，所述工作电极(103)的面积至少覆盖所述压电谐振片(101)的振荡能陷区域，所述背面电极(104)仅覆盖所述压电谐振片(101)的振荡能陷区域。
6.根据权利要求5所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，所述工作电极(103)的面积覆盖所述压电谐振片(101)的整个区域，所述背面电极(104)仅覆盖所述压电谐振片(101)的振荡能陷区域。
7.根据权利要求1所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，每个压电谐振芯片有独立的测量电路，包括用于频率测量的振荡电路、用于频率与动态电阻或耗散测量的复合电路、用于基频与多个泛音频率测量的系统、用于晶体谐振频率与等效参数测量的阻抗或网络测量系统。
8.根据权利要求1所述的高通量压电谐振芯片制备方法，其特征在于，所有或部分压电谐振芯片连接一个共同的测量电路，通过开关控制器或通过移动每一芯片到固定的测试连接处依序轮流测试。
9.一种权利要求1制备的高通量压电谐振芯片测量系统，包括高通量压电谐振芯片(1)、检测池(2)、光学/荧光显微镜(3)、电化学工作站(4)及样品池(5)，所述高通量压电谐振芯片(1)包括基片(108)，基片上开设多个穿孔或使用透明材料制成的半穿孔，每一穿孔或半穿孔内置入一压电谐振片(101)，其特征在于，各压电谐振片用相同批次材料和工艺制作而成，各压电谐振片(101)的上、下两面分别经铬或钛粘附层(102)连接工作电极(103)及背面电极(104)，工作电极(103)及背面电极(104)的一端经低温导电银胶(105)与接口端子(107)连接，且各压电谐振片(101)周围使用柔性粘合层(106)连接基片(108)，各压电谐振片(101)的背面电极底部设有后盖(109)；
所述高通量压电谐振芯片(1)放置在实验环境控制箱(16)中，且高通量压电谐振芯片(1)的各压电谐振片(101)上面分别设置检测池(2)，各检测池(2)的上方分别设置对电极(15)，且高通量压电谐振芯片(1)上方设置排枪移液器(11)，高通量压电谐振芯片(1)的下方设置一光学/荧光显微镜(3)；电化学工作站(4)的一端选择性连接一个或多个检测池(2)的对电极(15)，另一端连接相应检测池(2)底部的压电谐振片(101)的工作电极，并经第二控制器(12)、振荡电路或测试系统(13)连接计算机(14)的数据输入端；样品池(5)经聚合物输送管(6)顺序连接流式细胞仪(7)、蠕动泵(8)及排枪移液器(11)的样品输入端，第一控制器(9)连接蠕动泵(8)及用于驱动排枪移液器(11)移动的动力驱动系统(10)，计算机(14)的输出控制端连接流式细胞仪(7)和光学/荧光显微镜(3)。