1.一种自适应偏置射频功率放大器，其特征在于，其包括：
前端功率放大器，其输入端通过第一输入电容接收外部输入的射频输入信号，对射频输入信号进行前端功率放大，并通过其输出端输出经过前端功率放大后的射频信号；
中间功率放大器，其输入端通过第二输入电容接收所述前端功率放大器输出的经过前端放大后的射频信号，对所述射频信号进行中间功率放大，并通过其输出端输出经过中间功率放大后的射频信号；
采样电路，其输入端通过第三输入电容对所述前端功率放大器输出的经过前端功率放大后的射频信号进行电压采样得到采样电压；
整流电路，将所述采样电压转换成直流采样电压；
低通滤波电路，对所述直流采样电压进行低通滤波；
电压-电流转换电路，将经过低通滤波后的所述直流采样电压转化成直流采样电流为所述中间功率放大器的输出端提供偏置电流；
第一场效应晶体管，其栅极接受所述中间功率放大器输出的经过中间功率放大后的射频信号，对所述射频信号进行放大后，并通过其漏级输出射频输出信号。
2.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器，其特征在于：
所述第一场效应晶体管的栅极连接所述中间功率放大器的输出端，所述第一场效应晶体管的源极接地，所述第一场效应晶体管的漏级通过扼流电感与电源端连接，所述第一场效应晶体管的漏级与所述扼流电感的连接点为所述自适应偏置射频功率放大器的输出端。
3.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器，其特征在于：
所述采样电路包括第二场效应晶体管、第三场效应晶体管及第四场效应晶体管，其中：
所述第二场效应晶体管的栅极与所述第三场效应晶体管的栅极相连，其连接点为所述采样电路的输入端；
所述第二场效应晶体管的源极与所述第四场效应晶体管的栅极连接，所述第二场效应晶体管的漏极通过电流源与电源端连接；
所述第三场效应晶体管的源极接地，所述第三场效应晶体管的漏级与所述第四场效应晶体管的栅极连接；
所述第四场效应晶体管的源极接地，所述第四场效应晶体管的漏级通过限流电阻与电源端连接，所述第四场效应晶体管的漏级与所述限流电阻的连接点为所述采样电路的输出端。
4.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器，其特征在于，
所述整流电路包括整流二极管，所述整流二极管的阳极为所述整流电路的输入端，所述整流二极管的阴极通过并联的第一接地电阻及第一接地电容接地，所述整流二极管与所述第一接地电容的连接点为所述整流电路的输出端。
5.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器，其特征在于，
所述低通滤波电路包括滤波电阻及滤波电容，所述滤波电阻的一端为所述低通滤波电路的输入端，所述滤波电阻的另一端与所述滤波电容的一端连接，所述滤波电容的另一端接地，所述滤波电阻与所述滤波电容的连接点为所述低通滤波电路的输出端。
6.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器，其特征在于，
所述电压-电流转换电路包括运算放大器、第五场效应晶体管及第六场效应晶体管；
所述运算放大器的反向输入端为所述电压-电流转换电路的输入端，所述运算放大器的正向输入端通过第二接地电阻接地，所述运算放大器的输出端分别连接所述第五场效应晶体管的栅极及所述第六场效应晶体管的栅极；
所述第五场效应晶体管的源极通过第二接地电阻接地，所述第五场效应晶体管的漏级连接电源；
所述第六场效应晶体管的漏级连接电源，所述第六场效应晶体管的源极为所述电压-电流转换电路的输出端。