1.一种通讯隔离与电平转换电路，分别与电池与主机连接，其特征在于，其包括第一支路与第二支路；
所述第一支路包括二极管D1、上拉电阻R1、上拉电阻R3，所述二极管D1的正极电连接所述电池的数据接收端，所述二极管D1的负极电连接所述主机的数据发送端，所述上拉电阻R1的一端分别与所述电池的数据接收端、二极管D1的正极连接，另一端连接3.3V电压，所述上拉电阻R3的一端分别与所述主机的数据发送端、二极管D1的负极连接，另一端连接5V电压，所述第一支路实现了所述主机的数据发送端向所述电池的数据接收端发送信号时的电平转换与电压隔离；
所述第二支路包括三极管Q1、三极管Q2、上拉电阻R8、上拉电阻R10，所述三极管Q1的基极电连接所述电池的数据发送端，所述三极管Q1的集电极电连接所述三极管Q2的基极，所述三极管Q1的发射极接3.3V电压，所述三极管Q2的集电极电连接所述主机的数据接收端，所述三极管Q2的发射极电连接GND端，所述上拉电阻R8的一端分别与所述电池的数据发送端、三极管Q1的基极连接，另一端连接3.3V电压，所述上拉电阻R10的一端分别与所述主机的数据接收端、三极管Q2的集电极连接，另一端连接5V电压，所述第二支路实现了所述电池的数据发送端向所述主机的数据接收端发送信号时的电平转换与电压隔离；
还设有第一下拉MOS管，所述第一下拉MOS管的漏极连接所述电池的数据发送端，源极连接GND端；
还设有第二下拉MOS管，所述第二下拉MOS管的漏极连接所述主机的数据发送端，源极连接GND端。
2.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，所述电池设有第一MCU，所述第一下拉MOS管的栅极连接所述第一MCU，当所述电池的数据发送端发送数字信号0时，所述第一MCU控制所述第一下拉MOS管导通使所述电池的数据发送端电压为0；
所述主机设有第二MCU，所述第二下拉MOS管的栅极连接所述第二MCU，当所述主机的数据发送端发送数字信号0时，所述第二MCU控制所述第二下拉MOS管导通使所述主机的数据发送端电压为0。
3.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，还包括电阻R2，所述电阻R2的一端与所述二极管D1的负极连接，另一端与主机的数据发送端连接。
4.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，还包括二极管D2，所述二极管D2的正极与所述三极管Q1的集电极电连接，负极与所述三极管Q2的基极电连接。
5.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，还包括电阻R9，所述电阻R9的一端与所述电池数据发送端连接，另一端与所述三极管Q1的基极之连接，还包括电阻R5，所述电阻R5的一端与所述二极管D2的负极连接，另一端与所述三极管Q2的基极连接，还包括电阻R6，所述电阻R6的一端与所述三极管Q2的基极连接，另一端与三极管Q2的发射极连接，还包括电阻R7，所述电阻R7的一端与所述三极管Q2的集电极连接，另一端与主机的数据接收端连接。
6.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，还包括电阻R4，所述电阻R4的一端与所述三极管Q1的集电极连接，另一端连接GND端。
7.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，所述二极管D1为硅管或锗管。
8.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，所述二极管D2为硅管或锗管。
9.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，所述三极管Q1为PNP型三极管。
10.如权利要求1所述的通讯隔离与电平转换电路，其特征在于，所述三极管Q2为NPN型三极管。