本实用新型涉及一种电控领域，尤其涉及一种新型可控硅触发装置。
背景技术：
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目前常用的可控硅触发电路的输入端由于用固定降压和限流，当控制器电源电压发生变化是其触发电流也发生变化，若电压变低，有可能可控硅触发失败，若电压变高，则限流发热，控制器由于触发电路耗电增大导致电源电流增大，变压器发热，严重时导致控制器烧坏。
技术实现要素：
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本实用新型的目的是提供一种新型可控硅触发装置。
上述的目的通过以下的技术方案实现：
一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1，所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1，所述的三极管Q1连接电阻R2，所述的二极管D1连接二极管D2，所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2，所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1，所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路。
所述的新型可控硅触发装置，可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通，并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值，控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中，当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时，三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V，于是三极管Q1关断；电阻R2选择合适阻值，使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作即可。
本实用新型的有益效果：
1.本实用新型的可控硅触发装置，为了解决电源电压变化引起的这种故障原因，在可控硅触发电路上增设了恒流电路，保证在外部电源电压变化幅度大的情况下触发电流基本稳定。
本实用新型的可控硅触发装置，采用独有的恒流技术，保证了触发装置的电流稳定，有效的避免了因电流变化引起故障。
本实用新型的可控硅触发装置，采用全新的过零检测技术，保证了触发装置过零点更准确，抗干扰能力更强。
附图说明：
附图1是本实用新型的结构示意图。
图中：1 —可控硅触发电路；2 —过零触发光耦U1；3 —过零触发光耦U2；4 —电容C1；5 —二极管D2；6 —二极管D1；7 —电阻R2；8 —三极管Q1；9 —电阻R1；10 —可控硅触发信号端。
具体实施方式：
实施例1：
一种新型可控硅触发装置，其组成包括：可控硅触发信号端，所述的可控硅触发信号端10分别连接电阻R1（序号为：9）和三极管Q1 （序号为：8），所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1 （序号为：6），所述的三极管Q1连接电阻R2（序号为：7），所述的二极管D1连接二极管D2 （序号为：5），所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1 （序号为：4）和过零触发光耦U2 （序号为：3），所述的电容C1接地，所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1 （序号为：2），所述的过零触发光耦U1连接+12V电源，所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路（序号为：1）。
实施例2：
根据实施例1所述的新型可控硅触发装置，可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通，并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值，控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中，当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时，三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V，于是三极管Q1关断；电阻R2选择合适阻值，使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作即可。