技术特征：
技术总结
本发明的高频放大器模块中，即使所需要的输出信号电平较高，也能抑制特性劣化并实现优异的散热性。高频放大器模块(10)包括半导体基板(200)与绝缘性基板(80)。半导体基板(200)具备分别与多个高频放大用晶体管(21、22、23、24)的发射极相连接的多个发射极用电极(Pe21、Pe22、Pe23、Pe24)。绝缘性基板(80)包括共用接地电极(810)、接地用端子电极(820)以及厚度方向连接电极(701、702、703)。共用接地电极(810)形成在表面或该表面附近，与多个发射极用电极(Pe21、Pe22、Pe23、Pe24)相接合。接地用端子电极(820)形成在绝缘性基板(80)的背面。厚度方向连接电极(701、702、703)连接共用接地电极(810)与接地用端子电极(820)。
技术研发人员：中嶋礼滋
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2017.08.21
技术公布日：2018.03.06