LED控制驱动芯片的制作方法

技术特征：

1.一种LED控制驱动芯片，其特征在于：

包括高压转低压模块、产生内部基准电压模块、采样模块、均值计算模块、跨导放大器、比较器、电压转化时间模块、控制LED照明电路通断的MOFET管以及MOFET管驱动模块；

引脚包括引脚HV、引脚NULL、引脚VCC、引脚ISEN、引脚GND以及至少一个引脚DN；

所述高压转低压模块连接引脚HV和引脚VCC，将母线电压转化为电路内部使用电压，引脚HV用于连接外部高压，引脚VCC连接产生内部基准电压模块为其供电；

所述产生内部基准电压模块产生基准电压VP和VA，其中电压VP用于设定LED灯管的峰值电流，电压VA用于设定LED灯管的平均电流；

引脚DN分连接MOFET管的漏极，引脚DN用于连接LED照明电路，MOFET管的源极分别连接引脚ISEN、比较器的负端以及采样保持模块；

所述采样保持模块用于采集MOFET管打开瞬间和关闭瞬间的电压值VSH和VSL；

所述均值计算模块的输入端连接采样保持模块用于计算电压值VSH和VSL的平均值，输出电压VJ；

所述比较器的正端连接电压VP，输出端连接电压转化时间模块；所述跨导放大器的正端连接电压VJ，负端连接电压VA，输出信号电压VG；

所述电压转化时间模块将电压VG转化为脉冲宽度与之对应的脉冲信号；

所述MOFET管驱动模块将脉冲信号转为电流信号用于驱动MOFET管。

2.根据权利要求1所述的LED控制驱动芯片，其特征在于：所述采样保持模块包括开关A、B以及C以及三个电容，开关A的一端连接MOFET管的源极，另一端连接均值计算模块和电容，开关B的一端连接MOFET管的源极,另一端连接电容和开关C，开关C的一端连接开关B，另一端连接电容和均值计算模块，三个电容均接地，开关A、B以及C分别由驱动信号A、B以及C进行控制，其中驱动信号A、B以及C与MOFET管的驱动信号DRV同周期，驱动信号A在驱动信号DRV开启时打开开关A一瞬间，延迟时间TD后，驱动信号B开启开关B，在驱动信号DRV关闭同时关闭开关B，驱动信号C在开关B关闭后将开关C打开，并且在驱动信号DRV开启前将开关C关闭。

3.根据权利要求2所述的LED控制驱动芯片，其特征在于：所述电压转化时间模块包括运算放大器、比较器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管，所述运算放大器的正端接入电压VG，负端接第一MOS管的源极，运算放大器的输出端接第一MOS管的栅极，第一MOS管的漏极接第二MOS管的源极，第二MOS管和第三MOS管共栅极且共漏极设置，第二MOS管和第三MOS管的漏极的连接供电电压，第三MOS管的源极连接比较器的正端，比较器连接第四MOS管的漏极，第四MOS管的栅极接入MOFET管的驱动信号DRV。

4.根据权利要求3所述的LED控制驱动芯片，其特征在于：还包括欠压保护模块，欠压保护模块连接电路的供电端，用于设置LED照明电路开启和关闭的上下电压，防止反复开启关闭。