1.一种IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述IGBT模块包括上桥IGBT和下桥IGBT，所述下桥IGBT通过设置驱动发射端和功率发射端以净化驱动信号，所述驱动保护电路包括：
采样单元，所述采样单元与所述功率发射端相连，所述采样单元用于采样所述下桥IGBT的电流；
过流保护单元，所述过流保护单元与所述采样单元相连，所述过流保护单元用于根据所述下桥IGBT的电流判断所述下桥IGBT发生过流时，对所述下桥IGBT进行过流保护；
驱动单元，所述驱动单元包括第一驱动芯片和第二驱动芯片，所述第一驱动芯片的驱动输出端连接到所述上桥IGBT的G极，所述第二驱动芯片的驱动输出端连接到所述下桥IGBT的G极，所述第二驱动芯片的第一接地端连接到地，且所述第二驱动芯片的第二地端连接到所述驱动发射端以实现所述第一接地端与所述第二接地端之间的隔离，并通过所述功率发射端接地，以便所述第二驱动芯片承受所述采样单元引入的共模电压，其中，所述共模电压由所述下桥IGBT封装产生的寄生电感在所述下桥IGBT开关时产生，且施加至所述驱动发射端与所述功率发射端之间时由所述采样单元在采样所述下桥IGBT的电流时引入。
2.如权利要求1所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述共模电压施加至所述第二驱动芯片的第一接地端与第二接地端之间。
3.如权利要求1所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述驱动单元，还包括：
第一二极管，所述第一二极管的阳极与预设电源相连；
第一电容，所述第一电容的一端与所述第一二极管的阴极相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一驱动芯片的第二接地端和所述上桥IGBT的发射极相连；
第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一驱动芯片的驱动输出端相连，所述第一电阻的另一端与所述上桥IGBT的G极相连；
第二电阻，所述第二电阻的一端分别与所述第一电阻的另一端和所述上桥IGBT的G极相连，所述第二电阻的另一端分别与所述第一驱动芯片的第二接地端和所述上桥IGBT的发射极相连。
4.如权利要求1-3中任一项所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述驱动单元，还包括：
第三电阻，所述第三电阻的一端与预设电源相连，所述第三电阻的另一端与所述第二驱动芯片的第二电源端相连；
第二电容，所述第二电容的一端分别与所述第三电阻的另一端和所述第二驱动芯片的第二电源端相连，所述第二电容的另一端分别与所述第二驱动芯片的第二接地端和所述下桥IGBT的发射极相连；
第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第二驱动芯片的驱动输出端相连，所述第四电阻的另一端与所述下桥IGBT的G极相连；
第五电阻，所述第五电阻的一端分别与所述第四电阻的另一端和所述下桥IGBT的G极相连，所述第五电阻的另一端分别与所述第二驱动芯片的第二接地端和所述下桥IGBT的发射极相连。
5.如权利要求4所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述第四电阻与所述第五电阻之间形成第一节点，所述驱动单元，还包括：
第三电容，所述第三电容与所述第二电容并联连接；
第六电阻，所述第六电阻的一端分别与所述第一节点和所述第二驱动芯片的钳位端相连；
第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第六电阻的另一端相连，所述第二二极管的阴极与所述第二驱动芯片的驱动输出端相连。
6.如权利要求5所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述采样单元，包括：
采样电阻，所述采样电阻的一端与分别与所述驱动发射端、地和所述过流保护的单元的第一输入端相连，所述采样电阻的另一端与所述过流保护单元的第二输入端相连；
第四电容，所述第四电容的一端与所述上桥IGBT的C极相连，所述第四电容的另一端分别与所述采样电阻的另一端和所述过流保护单元的第二输入端相连。
7.如权利要求6所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述过流保护单元，包括：
比较器；
第七电阻，所述第七电阻的一端与预设电源相连；
第八电阻，所述第八电阻的一端与所述第七电阻的另一端相连，所述第八电阻的另一端与所述比较器的第一输入端相连；
第九电阻，所述第九电阻的一端分别与所述第八电阻的另一端和所述比较器的第一输入端相连，所述第九电阻的另一端与所述功率发射端相连；
第十电阻，所述第十电阻的一端分别与所述第七电阻的另一端和所述第八电阻的一端相连，所述第十电阻的另一端与所述比较器的第二输入端相连；
第十一电阻，所述第十一电阻的一端分别与所述第十电阻的另一端和所述比较器的第二输入端相连，所述第十一电阻的另一端与所述采样电阻的另一端相连。
8.如权利要求1所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述第一驱动芯片和所述第二驱动芯片均采用1EDI20I12MF芯片。
9.如权利要求6所述的IGBT模块的驱动保护电路，其特征在于，所述第三电容和所述第四电容均采用极性电容。
10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的IGBT模块的驱动保护电路。