1.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以接触式粗糙度计测定的表面粗糙度Rz为1.3μm以下。
2.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rp为1.59μm以下。
3.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rv为1.75μm以下。
4.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rzjis为3.3μm以下。
5.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rc为1.0μm以下。
6.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Ra为0.4μm以下。
7.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括
铜箔，以及
在上述铜箔的至少一个或两个表面上包括表面处理层；
上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm2以下，
上述表面处理层包含0.4个/μm2以上的具有三个以上突起的粒子，
上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rq为0.5μm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层包含0.7个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层包含1.0个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层满足以下的(10-1)及(10-2)中的任一个或两个，
(10-1)上述表面处理层满足以下的任一个：
·包含0.5个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含0.6个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含0.7个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含0.8个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含0.9个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含1.0个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含1.1个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含1.2个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含1.3个/μm2以上的上述具有三个以上突起的粒子；
(10-2)上述表面处理层满足以下的任一个：
·包含50.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含40.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含30.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含20.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含15.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含10.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子，
·包含5.0个/μm2以下的上述具有三个以上突起的粒子。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：满足以下的(11-1)～(11-7)的项目中的任两个或三个或四个或五个或六个或七个，
(11-1)上述表面处理层侧的以接触式粗糙度计测定的表面粗糙度Rz为1.3μm以下，
(11-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rp为1.59μm以下，
(11-3)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rv为1.75μm以下，
(11-4)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rzjis为3.3μm以下，
(11-5)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rc为1.0μm以下，
(11-6)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Ra为0.4μm以下，
(11-7)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rq为0.5μm以下。
12.根据权利要求11所述的表面处理铜箔，其特征在于：满足以下的(12-1)～(12-7)的项目中的任一个或两个或三个或四个或五个或六个或七个，
(12-1)上述表面处理层侧的以接触式粗糙度计测定的表面粗糙度Rz满足以下的(12-1-1)及(12-1-2)中的任一个或两个：
(12-1-1)上述表面处理层侧的以接触式粗糙度计测定的表面粗糙度Rz满足以下的任一个：
·1.30μm以下，
·1.2μm以下，
·1.1μm以下，
·1.10μm以下，
·1.0μm以下，
·1.00μm以下，
(12-1-2)上述表面处理层侧的以接触式粗糙度计测定的表面粗糙度Rz满足以下的任一个：
·0.01μm以上，
·0.02μm以上，
·0.60μm以上，
·0.65μm以上，
·0.70μm以上，
·0.75μm以上，
·0.80μm以上，
·0.85μm以上，
·0.89μm以上；
(12-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rp满足以下的(12-2-1)及(12-2-2)中的任一个或两个：
(12-2-1)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rp满足以下的任一个：
·1.49μm以下，
·1.39μm以下，
·1.29μm以下，
·1.09μm以下，
(12-2-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rp满足以下的任一个：
·0.01μm以上，
·0.02μm以上，
·0.70μm以上，
·0.75μm以上，
·0.80μm以上；
(12-3)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rv满足以下的(12-3-1)及(12-3-2)中的任一个或两个：
(12-3-1)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rv满足以下的任一个：
·1.65μm以下，
·1.55μm以下，
·1.50μm以下，
·1.45μm以下，
·1.30μm以下，
(12-3-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rv满足以下的任一个：
·0.01μm以上，
·0.02μm以上，
·0.98μm以上；
(12-4)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rzjis满足以下的(12-4-1)及(12-4-2)中的任一个或两个：
(12-4-1)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rzjis满足以下的任一个：
·3.30μm以下，
·3.2μm以下，
·3.1μm以下，
·3.0μm以下，
·2.20μm以下，
·2.10μm以下，
(12-4-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rzjis满足以下的任一个：
·0.01μm以上
·0.02μm以上，
·1.00μm以上，
·1.10μm以上，
·1.20μm以上，
·1.30μm以上，
·1.40μm以上，
·1.50μm以上，
·1.60μm以上，
·1.70μm以上；
(12-5)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rc满足以下的(12-5-1)及(12-5-2)中的任一个或两个：
(12-5-1)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rc满足以下的任一个：
·1.00μm以下，
·0.9μm以下，
·0.90μm以下，
·0.85μm以下，
·0.8μm以下，
·0.7μm以下，
·0.70μm以下，
(12-5-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rc满足以下的任一个：
·0.01μm以上，
·0.02μm以上，
·0.50μm以上，
·0.55μm以上，
·0.60μm以上；
(12-6)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Ra满足以下的(12-6-1)及(12-6-2)中的任一个或两个：
(12-6-1)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Ra满足以下的任一个：
·0.40μm以下，
·0.39μm以下，
·0.38μm以下，
·0.37μm以下，
·0.30μm以下，
·0.28μm以下，
·0.26μm以下，
·0.24μm以下，
·0.23μm以下，
·0.22μm以下，
(12-6-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Ra满足以下的任一个：
·0.01μm以上，
·0.02μm以上，
·0.20μm以上，
·0.21μm以上；
(12-7)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rq满足以下的(12-7-1)及(12-7-2)中的任一个或两个：
(12-7-1)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rq满足以下的任一个：
·0.50μm以下，
·0.49μm以下，
·0.48μm以下，
·0.47μm以下，
·0.34μm以下，
·0.33μm以下，
(12-7-2)上述表面处理层侧的以激光显微镜测定的表面粗糙度Rq满足以下的任一个：
·0.01μm以上，
·0.02μm以上，
·0.25μm以上，
·0.26μm以上，
·0.27μm以上，
·0.28μm以上，
·0.29μm以上，
·0.30μm以上。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为800μg/dm2以下。
14.根据权利要求13所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为600μg/dm2以下。
15.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Co的附着量为400μg/dm2以下。
16.根据权利要求15所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Co的附着量为320μg/dm2以下。
17.根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Co的附着量为240μg/dm2以下。
18.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Ni的附着量为600μg/dm2以下。
19.根据权利要求18所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Ni的附着量为480μg/dm2以下。
20.根据权利要求19所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Ni的附着量为360μg/dm2以下。
21.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Mo的附着量为600μg/dm2以下。
22.根据权利要求21所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Mo的附着量为480μg/dm2以下。
23.根据权利要求22所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层中的Mo的附着量为360μg/dm2以下。
24.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：上述表面处理层包含粗糙化处理层。
25.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：在上述表面处理层上包括树脂层。
26.根据权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于：用于1GHz以上的高频电路基板。
27.一种附载体铜箔，其特征在于：依次包括载体、中间层、及极薄铜层，并且
上述极薄铜层为根据权利要求1至26中任一项所述的表面处理铜箔。
28.一种积层板，其特征在于：包括：
根据权利要求1至26中任一项所述的表面处理铜箔或者根据权利要求27所述的附载体铜箔；以及
树脂基板。
29.一种印刷配线板的制造方法，其特征在于：使用根据权利要求1至26中任一项所述的表面处理铜箔或者根据权利要求27所述的附载体铜箔。
30.一种电子机器的制造方法，其特征在于：使用利用根据权利要求29所述的方法来制造的印刷配线板。
31.一种印刷配线板的制造方法，其特征在于：包括：
准备根据权利要求27所述的附载体铜箔以及绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板；
然后，利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一种方法来形成电路的步骤。
32.一种印刷配线板的制造方法，其特征在于：包括：
在根据权利要求27所述的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面上形成电路的步骤；
以埋没上述电路的方式，在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面上形成树脂层的步骤；
在上述树脂层上形成电路的步骤；
在上述树脂层上形成电路后，使上述载体或上述极薄铜层剥离的步骤；以及
使上述载体或上述极薄铜层剥离后，将上述极薄铜层或上述载体去除，借此使形成于上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层中的电路露出的步骤。