射频功率放大器的制作方法

文档序号:15743163发布日期:2018-10-23 22:38阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种射频功率放大器,包含:

一第一耦合网络,用以接收一输入电压且分别于一第一栅极节点以及一第二栅极节点输出一第一栅极电压以及一第二栅极电压;

一叠接互补式共源极放大器对,包含一第一共源极放大器以及一第二共源极放大器,该第一共源极放大器以及该第二共源极放大器用以分别接收该第一栅极电压以及该第二栅极电压,且于一第一漏极节点以及一第二漏极节点分别输出一第一漏极电压以及一第二漏极电压;

一第二耦合网络,用以提供该第一漏极节点与该第二漏极节点之间的一耦合以等化该第一漏极电压以及该第二漏极电压;

一第一电感器,用以耦合该第一漏极节点至一第一直流节点;

一第二电感器,用以耦合该第二漏极节点至一第二直流节点;

一第三电感器,用以电感耦合该第一电感器;

一第四电感器,用以电感耦合该第二电感器;以及

一输出组合器,用以依据该第三电感器的一电压与该第四电感器的一电压的一组合输出一输出电压。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器,其中该第一直流节点是一地节点且该第一共源极放大器包含一PMOS晶体管,其中该PMOS晶体管的一栅极端连接至该第一栅极节点,该PMOS晶体管的一漏极端连接至该第一漏极节点,且该PMOS晶体管的一源极端连接至一共源极节点。

3.如权利要求2所述的射频功率放大器,其中该第二直流节点是一电源节点且该第二共源极放大器包含一NMOS晶体管,其中该NMOS晶体管的一栅极端连接至该第二栅极节点,该NMOS晶体管的一漏极端连接至该第二漏极节点,且该NMOS晶体管的一源极端连接至该共源极节点。

4.如权利要求1所述的射频功率放大器,其中该第一耦合网络用以提供该输入电压与该第一栅极电压之间的一耦合,以及该输入电压与该第二栅极电压之间的一耦合,使得该第一栅极电压以及该第二栅极电压两者有效地于一目标频率追踪该输入电压。

5.如权利要求4所述的射频功率放大器,其中该第一耦合网络包含一电容器,该电容器用以提供该第一栅极电压以及该第二栅极电压中之一与该输入电压之间的一交流耦合。

6.如权利要求4所述的射频功率放大器,其中该第一耦合网络包含一电阻器,该电阻器用以提供该第一栅极电压以及该第二栅极电压中之一与一偏压之间的一直流耦合。

7.如权利要求4所述的射频功率放大器,其中该第一耦合网络包含一电感器,该电感器用以提供该第一栅极电压以及该第二栅极电压其中一者与一偏压之间的一直流耦合。

8.如权利要求4所述的射频功率放大器,其中该第一耦合网络包含一变压器,该变压器用以提供该第一栅极电压以及该第二栅极电压中之一与该输入电压之间的一交流耦合。

9.如权利要求1所述的射频功率放大器,其中该第二耦合网络用以于一目标频率的一第二谐波提供一低阻抗。

10.如权利要求1所述的射频功率放大器,其中该第二耦合网络包含一电容器。

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