一种振荡电路的制作方法

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及到振荡电路。

背景技术：

现有技术的振荡电路通过基准电压的比较，电容的充放电产生振荡信号，一方面基准的产生电路就需要很多器件，电路复杂，尤其是有些电路不需要考虑振荡信号的精度，主要是考虑成本，那就需要结构简单。

技术实现要素：

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡电路。

一种振荡电路，包括第一电阻、第一nmos管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第二nmos管、第四电阻和第三nmos管：

所述第一电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一nmos管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第二nmos管的栅极；所述第一nmos管的栅极接所述第四电阻的一端和所述第三nmos管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第二nmos管的栅极，源极接地；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极，另一端接所述第一电容的一端；所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端，另一端接地；所述第三电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第二nmos管的漏极和所述第三nmos管的栅极；所述第二nmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一nmos管的漏极和所述第二电阻的一端，漏极接所述第三电阻的一端和所述第三nmos管的栅极，源极接地；所述第四电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第三nmos管的漏极和所述第一nmos管的栅极并作为振荡器的输出端oscout；所述第三nmos管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第二nmos管的漏极，漏极接所述第四电阻的一端和所述第一nmos管的栅极并作为振荡器的输出端oscout，源极接地。

上电后，电源电压vcc通过所述第一电阻和所述第二电阻对所述第一电容进行充电，充电到使得所述第二nmos管导通时，所述第二nmos管的漏极电压被拉低，这样所述第三nmos管就不导通，此时振荡器输出端oscout为高电平，这一高电平控制所述第一nmos管开启，所述第一电容通过所述第二电阻和所述第一nmos管的源漏极进行放电，所述第一电容上的电压低于所述第二nmos管导通电压时所述第二nmos管截止，所述第二nmos管的漏极电压就被拉高，就会使得所述第三nmos管导通而振荡器输出端oscout就会拉低为低电平；如此反复。

附图说明

图1为本发明的振荡电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

一种振荡电路，如图1所示，包括第一电阻10、第一nmos管20、第二电阻30、第一电容40、第三电阻50、第二nmos管60、第四电阻70和第三nmos管80：

所述第一电阻10的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一nmos管20的漏极和所述第二电阻30的一端和所述第二nmos管60的栅极；所述第一nmos管20的栅极接所述第四电阻70的一端和所述第三nmos管80的漏极，漏极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻30的一端和所述第二nmos管60的栅极，源极接地；所述第二电阻30的一端接所述第一电阻10的一端和所述第一nmos管20的漏极和所述第二nmos管60的栅极，另一端接所述第一电容40的一端；所述第一电容40的一端接所述第二电阻30的一端，另一端接地；所述第三电阻50的一端接电源电压vcc，另一端接所述第二nmos管60的漏极和所述第三nmos管80的栅极；所述第二nmos管60的栅极接所述第一电阻10的一端和所述第一nmos管20的漏极和所述第二电阻30的一端，漏极接所述第三电阻50的一端和所述第三nmos管80的栅极，源极接地；所述第四电阻70的一端接电源电压vcc，另一端接所述第三nmos管80的漏极和所述第一nmos管20的栅极并作为振荡器的输出端oscout；所述第三nmos管80的栅极接所述第三电阻50的一端和所述第二nmos管60的漏极，漏极接所述第四电阻70的一端和所述第一nmos管20的栅极并作为振荡器的输出端oscout，源极接地。

上电后，电源电压vcc通过所述第一电阻10和所述第二电阻30对所述第一电容40进行充电，充电到使得所述第二nmos管60导通时，所述第二nmos管60的漏极电压被拉低，这样所述第三nmos管80就不导通，此时振荡器输出端oscout为高电平，这一高电平控制所述第一nmos管20开启，所述第一电容40通过所述第二电阻30和所述第一nmos管20的源漏极进行放电，所述第一电容40上的电压低于所述第二nmos管60导通电压时所述第二nmos管60截止，所述第二nmos管60的漏极电压就被拉高，就会使得所述第三nmos管80导通而振荡器输出端oscout就会拉低为低电平；如此反复。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种振荡电路。一种振荡电路包括第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第二NMOS管、第四电阻和第三NMOS管。本发明提供的振荡电路，结构简单，成本低。

技术研发人员：徐中干
受保护的技术使用者：杭州展虹科技有限公司
技术研发日：2018.10.05
技术公布日：2019.01.11