一种PTFE基PCB覆铜板的制作方法

本发明涉及一种PTFE基PCB覆铜板，属于PCB覆铜板的制备领域。

背景技术：

印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步，电子设备高频化是发展趋势，尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展，信息产品在不断走向高速与高频化。发展新一代产品都需要高频PCB板，尤其卫星系统、移动电话接收基站等通信产品必须应用高频电路板，随着这些应用在未来几年内迅速发展，会对高频PCB板有大量需求。

覆铜板是PCB的基本材料，由于随着应用频率的升高，PCB对覆铜板的质量要求也越来越高。高质量的覆铜板是提高PCB板性能的关键。PTFE基覆铜板中一个非常关键的技术是PTFE半固化片与铜片的压合，常规的压合覆铜方法非常容易引起铜片附着不牢固，从而容易脱落或者起泡，影响PCB板铜线中信号的传输，尤其是对于高频信息的传输影响更大。因此本领域技术人员致力于开发一种能使铜片与PTFE半固化片牢固结合的方法，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

技术实现要素：

发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种PTFE基PCB覆铜板，采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，大大提高PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE半固化片、铜箔，PTFE半固化片与铜箔之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜。

进一步的，所述金属薄膜为金属钛薄膜或者金属镍薄膜，且金属钛薄膜的生长厚度为200-500nm，金属镍薄膜的生长厚度为150-300nm。

进一步的，所述上下两层铜箔与夹在铜箔间的上下两层金属薄膜、PTFE半固化片之间对齐压合连接。

本发明的工作原理为：用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜。由此得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高。

本发明提供的所述PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法，包括以下步骤：

S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，浸渍5-10分钟后，取出烘干，得到PTFE半固化片；

S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属薄膜蒸镀；

S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压；

S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度小于0.1MPa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。

进一步的，所述步骤S1中PTFE乳液的固含量大于50％，PH值为9-10，且烘干温度为250℃，烘干时间为15-20分钟。

进一步的，所述步骤S2中，生长金属钛薄膜时，生长前，腔体真空度抽到1×10^-7mbar以下，生长速度为0.05nm/s，生长厚度为200-500nm，PTFE半固化片的温度为250-300℃。

进一步的，所述步骤S2中，生长金属镍薄膜时，生长前，腔体真空度抽到1×10^-7mbar以下，生长速度为0.1nm/s，生长厚度为150-300nm，PTFE半固化片温度为280-320℃。

进一步的，所述步骤S4中的热压条件为，真空度抽到大于1×10^-3mbar后，开始升温，升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃，然后用90-100分钟时间升温到340-360℃，而后保温120-180分钟，加压的过程分为两步，升温过程施加压力为2-4MPa，保温过程施加压力为4-6MPa。

有益效果：本发明提供的一种PTFE基PCB覆铜板，相对于现有技术，具有以下优点：(1)制作工艺简单，成本较低，操作周期短，重复性能好，适合量产；(2)采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，大大提高PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

附图说明

图1为本发明一种PTFE基PCB覆铜板的结构示意图；

图中包括：1、PTFE半固化片，2、金属薄膜，3、铜箔。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作更进一步的说明。

实施例1：

如图1所示，包括PTFE半固化片1、铜箔3，PTFE半固化片1与铜箔3之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属钛薄膜2，所述上下两层铜箔3与夹在铜箔3间的上下两层金属钛薄膜2、PTFE半固化片1之间对齐压合连接。

S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，PTFE乳液的固含量为60％，PH值为10，浸渍10分钟后，取出烘干，烘干温度为250℃，烘干时间为20分钟，得到PTFE半固化片；

S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属钛薄膜蒸镀，蒸镀前，腔体真空度抽到2×10^-8mbar，生长速度为0.05nm/s，生长厚度为400nm，PTFE半固化片的温度为300℃；

S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压，热压条件为，真空度抽到7×10^-4mbar后，开始升温，升温过程为先用50分钟快速升到150℃，然后用100分钟时间升温到360℃，而后保温180分钟，加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4MPa，保温过程施加压力为6MPa；

S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.05Pa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。

对样品进行180°剥离强度测试，测试结果为4.5N/mm，比普通覆铜方法得到的结果优异。

实施例2：

如图1所示，包括PTFE半固化片1、铜箔3，PTFE半固化片1与铜箔3之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属镍薄膜2，所述上下两层铜箔3与夹在铜箔3间的上下两层金属镍薄膜2、PTFE半固化片1之间对齐压合连接。

S1：将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中，PTFE乳液的固含量为54％，PH值为9.5，浸渍10分钟后，取出烘干，烘干温度为250℃，烘干时间为20分钟，得到PTFE半固化片；

S2：将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中，进行金属镍薄膜，蒸镀前，腔体真空度抽到9×10^-8mbar，生长速度为0.1nm/s，生长厚度为250nm，PTFE半固化片温度为320℃；

S3：将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔，放到热压炉中进行热压，热压条件为，真空度抽到4×10^-4mbar后，开始升温，升温过程为先用50分钟快速升到150℃，然后用90分钟时间升温到340℃，而后保温120分钟，加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4MPa，保温过程施加压力为6MPa；

S4：步骤S3过程结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.05MPa/s，将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，得到最后所要的样品。

对样品进行180°剥离强度测试，测试结果为4.9N/mm，比普通覆铜方法得到的结果优异。

此外，经过大量的实验数据表明，用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜，然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜，其中金属薄膜可以是钛薄膜，也可以是镍薄膜。通过此方法得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。