MOS继电器的制作方法

本实用新型涉及电路控制技术领域，具体而言，涉及一种MOS继电器。

背景技术：

现有技术和实践中，一般是使用继电器作为大电流的开关，但是现有技术中的继电器存在内阻大、发热功率高、成本高等缺陷。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一，公开了一种低成本高效率的MOS继电器。

本实用新型公开了一种MOS继电器，包括：MOS驱动单元和MOS矩阵；其中，MOS驱动单元包括MOS驱动芯片ir2110；MOS矩阵包括多组N型MOS管HY3175，每组中包括多个并联连接的MOS管，组与组之间通过MOS管的漏极相连。

根据本实用新型公开的MOS继电器，优选地，MOS驱动芯片ir2110的VCC引脚接电源；HIN引脚连接到上拉电阻R2，R2的另一端接电源，HIN还连接于外部信号mos_in+；LIN引脚连接到上拉电阻R1，R1的另一端接电源，LIN还连接于外部信号mos_in+；SD引脚接地；VSS引脚接地；VB引脚连接到二极管D1的负极，二极管D1的正极接电源，VB引脚还连接到电解电容C2的正极，电解电容C2的负极接MOS管矩阵的pack-极；VCC引脚连接于二极管D2的负极，二极管D2的正极接电源；VCC引脚还连接于电解电容C3的正极，电解电容C3的负极接地；MOS驱动芯片ir2110的VS引脚连接于MOS管矩阵的pack-极，HO引脚连接于MOS矩阵的MOS2GATE极，LO引脚连接于MOS矩阵的MOS2GATE极，COM引脚接地。

根据本实用新型公开的MOS继电器，优选地，MOS管矩阵包括18个N型MOS管HY3175，分成两组，每组9个均为并联连接，组与组之间通过MOS管的漏极相连。

本实用新型的有益效果至少包括：降低了开关的内阻，也降低了发热功率，成本也低，能通过的电流更大。通过导通不同的MOS管可以控制电流的方向。

附图说明

图1示出了根据本实用新型的实施例的MOS继电器的示意框图。

图2示出了根据本实用新型的实施例的MOS继电器的MOS驱动单元结构示意图。

图3示出了根据本实用新型的实施例的MOS继电器的MOS矩阵结构示意图。

图中：1.MOS驱动单元、2.MOS矩阵。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型并不限于下面公开的具体实施例的限制。

如图所示，本实用新型的实施例公开了一种MOS继电器，包括：MOS驱动单元和MOS矩阵；其中，MOS驱动单元包括MOS驱动芯片ir2110；MOS矩阵包括多组N型MOS管HY3175，每组中包括多个并联连接的MOS管，组与组之间通过MOS管的漏极相连。

根据上述实施例，优选地，MOS驱动芯片ir2110的VCC引脚接电源；HIN引脚连接到上拉电阻R2，R2的另一端接电源，HIN还连接于外部信号mos_in+；LIN引脚连接到上拉电阻R1，R1的另一端接电源，LIN还连接于外部信号mos_in+；SD引脚接地；VSS引脚接地；VB引脚连接到二极管D1的负极，二极管D1的正极接电源，VB引脚还连接到电解电容C2的正极，电解电容C2的负极接MOS管矩阵的pack-极；VCC引脚连接于二极管D2的负极，二极管D2的正极接电源；VCC引脚还连接于电解电容C3的正极，电解电容C3的负极接地；MOS驱动芯片ir2110的VS引脚连接于MOS管矩阵的pack-极，HO引脚连接于MOS矩阵的MOS2GATE极，LO引脚连接于MOS矩阵的MOS2GATE极，COM引脚接地。

根据上述实施例，优选地，MOS管矩阵包括18个N型MOS管HY3175，分成两组，每组9个均为并联连接，组与组之间通过MOS管的漏极相连。

根据本实用新型的上述实施例，与传统的继电器相比，本实用新型降低了继电器开关的内阻，也降低了发热功率，成本更低，能通过的电流更大。通过导通不同的MOS管可以控制电流的方向。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。