支撑体和使用其的半导体元件安装基板的制造方法与流程

本发明涉及能改善安装半导体元件时的基板的操作性的支撑体和使用其的半导体元件安装基板的制造方法。

背景技术：

电子设备、通信设备和个人电脑等中广泛使用的半导体封装体的高功能化和小型化近年来日益加速。伴随于此，要求半导体封装体中的印刷电路板和半导体元件搭载用封装体基板的薄型化。通常，印刷电路板和半导体元件搭载用封装体基板通过在支撑基板上层叠成为电路图案的层(以下，也简称为“布线导体”)与绝缘材料而制作。

作为这样的半导体元件搭载用封装体基板的制造方法，例如公开了如下方法：使用在带有载体箔的极薄铜箔的载体箔面设置第1绝缘树脂而成的电路形成用支撑基板，通过图案电镀铜形成第1布线导体，进一步层叠第2绝缘树脂，之后形成第2布线导体(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-101137号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

如前述，近年来，用于搭载半导体元件的封装体基板的薄型化推进，厚度90μm左右的3层无芯基板(ets)已被量产化。今后认为薄型化进一步推进，数年以内，预计厚度60μm左右的基板流通。然而，随着基板的厚度变薄，操作性也恶化，因此，存在难以在基板上安装半导体元件的问题。

鉴于前述情况，本发明的目的在于，提供：能改善封装体基板的操作性、能使半导体元件的安装容易的支撑体。

进一步，其目的在于，提供：使用该支撑体的半导体元件安装基板的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人等进行了深入研究，结果发现：通过包含耐热薄膜层和树脂层、且树脂层为半固化状态(b阶状态)的支撑体，可以解决前述课题，完成了本发明。

即，本发明如以下所述。

[1]

一种支撑体，其包含耐热薄膜层和树脂层，

在前述树脂层的至少一个面(第1面上)层叠有前述耐热薄膜层，

前述树脂层为半固化状态(b阶状态)。

[2]

根据前述[1]所述的支撑体，其中，在前述树脂层的跟层叠有前述耐热薄膜层的面为相反侧的面(第2面)上进一步层叠有铜箔。

[3]

根据前述[1]或[2]所述的支撑体，其中，前述耐热薄膜层包含选自由聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、尼龙树脂和氟系树脂组成的组中的1种以上的树脂。

[4]

根据前述[1]～[3]中任一项所述的支撑体，其中，前述耐热薄膜层为带有粘接层的耐热薄膜层，前述粘接层包含选自由酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂和乙烯基树脂组成的组中的1种以上的树脂。

[5]

根据前述[1]～[4]中任一项所述的支撑体，其具有10～400μm的厚度。

[6]

根据前述[1]～[5]中任一项所述的支撑体，其中，前述树脂层包含使热固性树脂浸渗于玻璃布而得到的预浸料。

[7]

根据前述[6]所述的支撑体，其中，前述热固性树脂包含选自由酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂和乙烯基树脂组成的组中的1种以上的树脂。

[8]

根据[1]～[7]中任一项所述的支撑体，其中，前述耐热薄膜层的表面积小于前述树脂层的表面积。

[9]

一种半导体元件安装基板的制造方法，其为使用前述[1]～[8]中任一项所述的支撑体的半导体元件安装基板的制造方法，

所述制造方法包括如下工序：将前述支撑体压制并层叠于形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板后，在前述布线导体上安装半导体元件。

[10]

根据前述[9]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其包括以下的工序：

工序(a)，形成依次包含第1绝缘树脂层、脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板；

工序(b)，在前述电路形成用支撑基板的前述铜箔上形成第1布线导体；

工序(c)，配置第2绝缘树脂层，使其与前述第1布线导体接触，对前述第2绝缘树脂层进行加热和加压并层叠；

工序(d)，在前述第2绝缘树脂层中，形成达到前述第1布线导体的非贯通孔，通过电镀铜和/或化学镀铜使前述非贯通孔的内壁连接，形成第2布线导体；

工序(e)，从形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板剥离前述第1绝缘树脂层；

工序(f)，从前述电路形成基板去除前述脱模层和/或前述铜箔；

工序(g)，将前述支撑体压制并层叠于前述电路形成基板；

工序(h)，在前述电路形成基板的前述布线导体上安装半导体元件；

工序(i)，从前述电路形成基板剥离前述支撑体。

[11]

根据前述[10]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述工序(d)与前述工序(e)之间进一步包括如下工序：对于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板，重复进行绝缘树脂层层叠工序和布线导体形成工序，形成积层结构。

[12]

根据前述[10]或[11]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述工序(f)与前述工序(g)之间进一步包括形成阻焊层的工序。

[13]

根据前述[12]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述形成阻焊层的工序之后，进一步包括形成镀金层的工序。

[14]

根据前述[10]或[11]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述工序(d)与前述工序(e)之间包括形成阻焊层的工序。

[15]

根据前述[14]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述形成阻焊层的工序之后，进一步包括形成镀金层的工序。

[16]

根据前述[9]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其包括以下的工序：

工序(a)，形成依次包含第1绝缘树脂层、脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板；

工序(b)，在前述电路形成用支撑基板的前述铜箔上形成第1布线导体；

工序(c)，配置第2绝缘树脂层，使其与所述第1布线导体接触，对前述第2绝缘树脂层进行加热和加压并层叠；

工序(d)，在前述第2绝缘树脂层中，形成达到前述第1布线导体的非贯通孔，通过电镀铜和/或化学镀铜使前述非贯通孔的内壁连接，形成第2布线导体；

工序(j)，将前述支撑体压制并层叠于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板；

工序(k)，从层叠有前述支撑体的电路形成基板剥离前述第1绝缘树脂层；

工序(l)，从前述电路形成基板去除前述脱模层和/或前述铜箔；

工序(h)，在前述电路形成基板的前述布线导体上安装半导体元件；

工序(i)，从前述电路形成基板剥离前述支撑体。

[17]

根据前述[16]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述工序(d)与前述工序(e)之间进一步包括如下工序：对于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板，重复进行绝缘树脂层层叠工序和布线导体形成工序，形成积层结构。

[18]

根据前述[16]或[17]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述工序(l)与前述工序(h)之间进一步包括形成阻焊层的工序。

[19]

根据前述[18]所述的半导体元件安装基板的制造方法，其中，在前述形成阻焊层的工序之后，进一步包括形成镀金层的工序。

发明的效果

通过使用本发明的支撑体，从而半导体元件搭载用的封装体基板的操作性提高，半导体元件对基板的安装、阻焊剂的涂布变得容易。

附图说明

图1为示意性示出实施方式1的制造方法的图(图1a～图1d)。

图2为示意性示出实施方式1的制造方法的图(图1e～图1h)。

图3为示意性示出实施方式1的制造方法的图(图1i～图1k)。

图4为示意性示出实施方式2的制造方法的图(图2a～图2d)。

具体实施方式

以下，对用于实施本发明的方式(以下，称为“本实施方式”)详细地记载。需要说明的是，本发明不限定于以下的实施方式，可以在其主旨的范围内进行各种变形而实施。

需要说明的是，本实施方式中，“(甲基)丙烯酰”是指，“丙烯酰”和与其对应的“甲基丙烯酰”这两者，“(甲基)丙烯酸”是指，“丙烯酸”和与其对应的“甲基丙烯酸”这两者，“(甲基)丙烯酸酯”是指，“丙烯酸酯”和与其对应的“甲基丙烯酸酯”这两者。

<支撑体＞

本实施方式中的支撑体为包含耐热薄膜层和树脂层的支撑体，

在前述树脂层的至少一个面(第1面)上层叠有前述耐热薄膜层，

前述树脂层为半固化状态(b阶状态)。

[树脂层]

作为树脂层，没有特别限定，可以使用与后述的第1和第2绝缘树脂层同样者，其中，从基板的耐热性、尺寸稳定性的观点出发，优选包含使热固性树脂浸渗于玻璃布而得到的预浸料。

作为玻璃布，没有特别限定，例如可以举出玻璃纤维、平纹织物的玻璃布。这些玻璃布可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为热固性树脂，例如可以举出酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(也称为“bt树脂”)、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂和乙烯基树脂。这些热固性树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。这些热固性树脂中，从基板的耐热性、尺寸稳定性的观点出发，优选双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂和马来酰亚胺树脂，更优选双马来酰亚胺三嗪树脂。酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂和乙烯基树脂的各自的具体例如后述的绝缘材料的树脂组合物中使用的热固性树脂中所记载。

树脂层其固化的程度为半固化状态(b阶状态)。通过树脂层为半固化状态，从而支撑体对半导体元件搭载用的基板的追随性改善、且半导体元件安装后容易通过物理力剥离支撑体。

作为预浸料，也可以使用市售品，例如可以使用三菱瓦斯化学株式会社制的ghpl-830ns(产品名)。

[耐热薄膜层]

本实施方式中的支撑体是在树脂层的至少一个面上层叠耐热薄膜层而得到的。作为耐热薄膜层，只要为由耐热性树脂形成的薄膜就没有特别限定，作为耐热性树脂，例如可以举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、尼龙树脂和氟系树脂。这些耐热性树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。这些耐热性树脂中，从耐热性的观点出发，优选聚酰亚胺树脂、氟系树脂。

作为聚酰亚胺树脂，没有特别限定，例如可以举出聚酰胺酰亚胺、聚均苯四甲酸二酰亚胺、双马来酰亚胺和聚醚酰亚胺。这些聚酰亚胺树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为聚酰胺酰亚胺树脂，没有特别限定，例如可以举出：将偏苯三酸酐、二苯甲酮四羧酸酐和二甲苯二异氰酸酯在n-甲基-2-吡咯烷酮和/或n,n-二甲基乙酰胺的溶剂中进行加热而得到的树脂；将偏苯三酸酐、二苯基甲烷二异氰酸酯和羧基末端(甲基)丙烯腈-丁二烯橡胶在n-甲基-2-吡咯烷酮和/或n,n-二甲基乙酰胺等溶剂中进行加热而得到的树脂。这些聚酰胺酰亚胺树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为尼龙树脂，没有特别限定，例如可以举出尼龙6、尼龙6,6和芳族聚酰胺。这些尼龙树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为氟系树脂，没有特别限定，例如可以举出聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯和聚三氟氯乙烯。这些氟系树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

耐热薄膜层可以为带有粘接层的耐热薄膜层。耐热薄膜层为带有粘接层的耐热薄膜层的情况下，以粘接层面与绝缘树脂层接触的方式配置。

作为构成粘接层的树脂，没有特别限定，例如可以举出酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂和乙烯基树脂。这些构成粘接层的树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂和乙烯基树脂的各自的具体例如后述的绝缘材料的树脂组合物中使用的热固性树脂中所记载。

作为带有粘接层的耐热薄膜，也可以使用市售品，例如可以使用nikkanindustriesco.,ltd.制的cisv(产品名)。

[铜箔]

本实施方式中的支撑体可以在前述绝缘树脂层的跟层叠有前述耐热薄膜层的面为相反侧的面(第2面)上进一步层叠有铜箔。通过在树脂层的第2面上进一步层叠铜箔，从而具有能提高基板的刚性的优点。

作为铜箔，可以使用与后述的铜箔同样的铜箔。

支撑体的厚度没有特别限定，从改善基板的操作性的观点出发，优选10μm以上、更优选50μm以上、进一步优选100μm以上。作为支撑体的厚度的上限，没有特别限定，如果过厚，则有运送性、量产性等差的倾向，优选400μm以下、更优选300μm以下、进一步优选200μm以下。

另外，对于本实施方式中的支撑体，耐热薄膜层的表面积可以小于树脂层的表面积。耐热薄膜层的表面积小于树脂层的表面积的情况下，可以提高支撑体与电路形成基板的粘接力，有在安装半导体元件前容易将层叠基板切断加工成封装体尺寸的优点。

作为支撑体的制造方法，没有特别限定，例如可以举出：在树脂层的至少一个面上配置耐热薄膜层，根据需要在与层叠有耐热薄膜层的面为相反侧的面上配置铜箔后，在温度40～100℃、压力1～3mpa、保持时间1～20分钟的条件下，实施真空压制的方法等。

<半导体元件安装基板的制造方法＞

本实施方式中的半导体元件安装基板的制造方法为使用前述支撑体的制造方法，所述制造方法包括如下工序：将前述支撑体压制并层叠于形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板后，在前述布线导体上安装半导体元件。本实施方式的半导体元件安装基板的制造方法通过使用前述支撑体从而可以改善基板的操作性，因此，即使为基板极薄的情况下，半导体元件的安装、阻焊剂的涂布也变得容易。

以下，对更具体的制造方法进行说明。

(实施方式1)

用于实施本发明的第1方式(实施方式1)中的半导体元件安装基板的制造方法包括以下的工序。

工序(a)，形成依次包含第1绝缘树脂层、脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板

工序(b)，在前述电路形成用支撑基板的前述铜箔上形成第1布线导体

工序(c)，配置第2绝缘树脂层，使其与前述第1布线导体接触，对前述第2绝缘树脂层进行加热和加压并层叠

工序(d)，在前述第2绝缘树脂层中，形成达到前述第1布线导体的非贯通孔，通过电镀铜和/或化学镀铜使前述非贯通孔的内壁连接，形成第2布线导体

工序(e)，从形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板剥离前述第1绝缘树脂层

工序(f)，从前述电路形成基板去除前述脱模层和/或前述铜箔

工序(g)，将前述支撑体压制并层叠于前述电路形成基板

工序(h)，在前述电路形成基板的前述布线导体上安装半导体元件

工序(i)，从前述电路形成基板剥离前述支撑体

[工序(a)]

本实施方式中的工序(a)为形成依次包含第1绝缘树脂层、脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板的工序。

第1绝缘树脂层中，可以仅在单面配置脱模层和铜箔，优选将这些层配置于第1绝缘树脂层的两面。即，本实施方式中的电路形成用支撑基板优选为带有脱模层的2层芯基板。利用图1，对电路形成用支撑基板(带有脱模层的2层芯基板)1的构成进行说明。如图1b所示那样，对于电路形成用支撑基板1，在第1绝缘树脂层(例如预浸料)2的两面，从第1绝缘树脂层2的表面侧起依次设有脱模层3和铜箔4。

作为电路形成用支撑基板的形成方法，可以通过在铜箔上形成脱模层，将其配置于第1绝缘树脂层而形成，但不限定于该形成方法，只要为在第1绝缘树脂层上依次层叠脱模层和铜箔的方法就没有特别限定。例如，将形成有脱模层的恒定厚的铜箔(以下，也称为“带有脱模层的铜箔”)以脱模层面与预浸料等第1绝缘树脂层接触的方式配置，进行加热和加压并层叠，从而可以在第1绝缘树脂层上形成脱模层和铜箔。上述情况下，层叠后，根据需要，以前述铜箔成为期望的厚度的方式实施蚀刻处理等公知的处理，从而可以形成依次包含第1绝缘树脂层、脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板。作为前述带有脱模层的铜箔，没有特别限定，例如可以使用在厚度为1μm～20μm的铜箔上形成有前述脱模层者。另外，也可以在第1绝缘树脂层上形成脱模层，之后配置铜箔，形成电路形成用支撑基板。

层叠的方法、条件没有特别限定，例如在温度220±2℃、压力5±0.2mpa、保持时间60分钟的条件下实施真空压制，从而可以形成电路形成用支撑基板。

(第1绝缘树脂层)

作为工序(a)中的第1绝缘树脂层，没有特别限定，例如可以使用：在玻璃布等基材中浸渗有热固性树脂等绝缘性的树脂材料(绝缘材料)的预浸料；绝缘性的薄膜材料等。

“预浸料”是使树脂组合物等绝缘材料浸渗或涂覆于基材而成的。作为基材，没有特别限定，可以适宜使用各种电绝缘材料用层叠板中使用的公知的基材。作为构成基材的材料，例如可以举出e玻璃、d玻璃、s玻璃和q玻璃的无机纤维；聚酰亚胺、聚酯和四氟乙烯的有机纤维；和它们的混合物。基材没有特别限定，例如可以适宜使用织布、无纺布、粗纱、具有短切原丝毡和表面毡的形状者。基材的材质和形状可以根据目标成型物的用途、性能而选择，根据需要，可以单独使用或使用2种以上的材质和形状。

基材的厚度没有特别限制，通常可以使用0.02～0.50mm者。另外，作为基材，可以使用以硅烷偶联剂等经表面处理的基材；以机械的方式实施了开纤处理的基材，这些基材从耐热性、耐湿性、加工性的方面是适合的。

作为前述绝缘材料，没有特别限定，可以适宜选择用作印刷电路板的绝缘材料的公知的树脂组合物而使用。作为前述树脂组合物，可以使用耐热性、耐化学药品性良好的热固性树脂作为基础。作为热固性树脂，没有特别限定，例如可以举出酚醛树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、马来酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、异氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂和乙烯基树脂。这些热固性树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为酚醛树脂，没有特别限定，只要为在1分子中具有2个以上羟基的酚醛树脂就可以使用一般公知者。例如可以举出双酚a型酚醛树脂、双酚e型酚醛树脂、双酚f型酚醛树脂、双酚s型酚醛树脂、苯酚酚醛清漆树脂、双酚a酚醛清漆型酚醛树脂、缩水甘油酯型酚醛树脂、芳烷基酚醛清漆型酚醛树脂、联苯芳烷基型酚醛树脂、甲酚酚醛清漆型酚醛树脂、多官能酚醛树脂、萘酚树脂、萘酚酚醛清漆树脂、多官能萘酚树脂、蒽型酚醛树脂、萘骨架改性酚醛清漆型酚醛树脂、苯酚芳烷基型酚醛树脂、萘酚芳烷基型酚醛树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、联苯型酚醛树脂、脂环式酚醛树脂、多元醇型酚醛树脂、含磷的酚醛树脂和含羟基的有机硅树脂类。这些酚醛树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

热固性树脂中，从耐热性、耐化学药品性和电特性优异、较廉价的方面出发，环氧树脂可以适合作为绝缘材料使用。作为环氧树脂，没有特别限定，例如可以举出双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、双酚s型环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚a酚醛清漆型环氧树脂、联苯酚的二缩水甘油醚化物、萘二醇的二缩水甘油醚化物、酚类的二缩水甘油醚化物、醇类的二缩水甘油醚化物、和它们的烷基取代体、卤化物、氢化物。这些环氧树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。另外，与该环氧树脂一起使用的固化剂只要使环氧树脂固化就可以没有限定地使用，例如可以举出多官能酚类、多官能醇类、胺类、咪唑化合物、酸酐、有机磷化合物和它们的卤化物。这些环氧树脂固化剂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

前述氰酸酯树脂是通过加热而生成以三嗪环为重复单元的固化物的树脂，固化物的介电特性优异。因此，特别适合于要求高频特性的情况等。作为氰酸酯树脂，没有特别限定，例如可以举出2,2-双(4-氰酰苯基)丙烷、双(4-氰酰苯基)乙烷、2,2-双(3,5-二甲基-4-氰酰苯基)甲烷、2,2-(4-氰酰苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、α,α'-双(4-氰酰苯基)-间二异丙基苯、苯酚酚醛清漆和烷基苯酚酚醛清漆的氰酸酯酯化物。这些氰酸酯树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。另外，前述氰酸酯酯化合物也可以预先一部分低聚物化成三聚体、五聚体。其中，2,2-双(4-氰酰苯基)丙烷由于固化物的介电特性与固化性的均衡性特别良好、在成本上廉价，故优选。

进一步，也可以对氰酸酯树脂组合使用固化催化剂、固化促进剂。

作为固化催化剂，例如可以使用锰、铁、钴、镍、铜、锌的金属类，具体而言，可以举出2-乙基己酸盐、辛酸盐等有机金属盐、乙酰丙酮络合物等有机金属络合物。这些固化催化剂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为固化促进剂，优选使用酚类，可以使用壬基苯酚、对枯基苯酚等单官能酚、双酚a、双酚f、双酚s等二官能酚、或苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等多官能酚等。这些固化促进剂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为马来酰亚胺化合物，只要为在1分子中具有1个以上马来酰亚胺基的化合物就可以使用一般公知者。例如可以举出4,4-二苯基甲烷双马来酰亚胺、苯基甲烷马来酰亚胺、间亚苯基双马来酰亚胺、2,2-双(4-(4-马来酰亚胺苯氧基)-苯基)丙烷、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷双马来酰亚胺、4-甲基-1,3-亚苯基双马来酰亚胺、1,6-双马来酰亚胺-(2,2,4-三甲基)己烷、4,4-二苯基醚双马来酰亚胺、4,4-二苯基砜双马来酰亚胺、1,3-双(3-马来酰亚胺苯氧基)苯、1,3-双(4-马来酰亚胺苯氧基)苯、聚苯基甲烷马来酰亚胺、酚醛清漆型马来酰亚胺、联苯芳烷基型马来酰亚胺、和这些马来酰亚胺化合物的预聚物、或马来酰亚胺化合物与胺化合物的预聚物，但没有特别限制。这些马来酰亚胺化合物可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为异氰酸酯树脂，没有特别限定，例如有：通过酚类与卤化氰的脱卤化氢反应而得到的异氰酸酯树脂。作为异氰酸酯树脂，例如可以举出4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯mdi、多亚甲基多苯基多异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯。这些异氰酸酯树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为苯并环丁烯树脂，只要为包含环丁烯骨架的树脂就没有特别限定，例如可以使用二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(dowchemicalcompany制)。这些苯并环丁烯树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为乙烯基树脂，只要为乙烯基单体的聚合物或共聚物就没有特别限定。作为乙烯基单体，没有特别限制，例如可以举出(甲基)丙烯酸酯衍生物、乙烯酯衍生物、马来酸二酯衍生物、(甲基)丙烯酰胺衍生物、苯乙烯衍生物、乙烯基醚衍生物、乙烯基酮衍生物、烯烃衍生物、马来酰亚胺衍生物、(甲基)丙烯腈。这些乙烯基树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

考虑介电特性、耐冲击性和薄膜加工性等，在用作前述绝缘材料的树脂组合物中，也可以共混热塑性树脂。作为热塑性树脂，没有特别限定，例如可以举出氟树脂、聚苯醚、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺和聚丁二烯。这些热塑性树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为氟树脂，没有特别限定，例如可以举出聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯和聚氟乙烯。这些氟树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

热塑性树脂中，从能提高固化物的介电特性的观点出发，配混聚苯醚和/或改性聚苯醚是有用的。作为聚苯醚和改性聚苯醚，没有特别限定，例如可以举出聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基)醚、聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基)醚与聚苯乙烯的合金化聚合物、聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基)醚与苯乙烯-丁二烯共聚物的合金化聚合物、聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基)醚与苯乙烯-马来酸酐共聚物的合金化聚合物、聚(3,6-二甲基-1,4-亚苯基)醚与聚酰胺的合金化聚合物、聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基)醚与苯乙烯-丁二烯-(甲基)丙烯腈共聚物的合金化聚合物。这些聚苯醚和改性聚苯醚可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。另外，为了对聚苯醚赋予反应性、聚合性，可以向聚合物链末端导入胺基、环氧基、羧基、苯乙烯基等官能团，或者向聚合物链侧链导入胺基、环氧基、羧基、苯乙烯基、甲基丙烯酸基等官能团。

聚苯硫醚是使芳香族环用硫醚键形成聚合物者，可以举出支链型、或直链型的聚苯硫醚和其共聚物。例如可以举出：对苯硫醚、间苯硫醚和它们的聚合物；在分子中具有能跟它们共聚的醚单元、砜单元、联苯单元、萘基单元、取代苯基硫醚单元、三官能苯基硫醚单元等的共聚物。这些聚苯硫醚可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为聚碳酸酯，没有特别限定，例如可以举出溴化聚碳酸酯低聚物。溴化聚碳酸酯低聚物的分子量没有特别限定，以重均分子量计适合的是，500～3500。

作为聚醚酰亚胺，没有特别限定，例如可以举出2,2-双[4-(2,3-二羧基苯氧基)苯基]丙二酐与间苯二胺或对苯二胺的缩合物和它们的共聚物以及改性体。这些聚醚酰亚胺可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。作为聚醚酰亚胺，也可以使用市售品，例如可以举出geplastics公司制的“ultem(注册商标)”1000、5000和6000系列。

作为聚醚醚酮，没有特别限定，例如可以举出4,4’-二氟二苯甲酮与对苯二酚的共聚物。这些聚醚醚酮可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为聚(甲基)丙烯酸酯，没有特别限定，例如可以举出三(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯。这些聚(甲基)丙烯酸酯可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为聚酰胺，没有特别限定，例如可以举出聚酰胺12、聚酰胺11、聚酰胺6、聚酰胺6,6和聚酰胺6/12共聚物。这些聚酰胺可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

前述热塑性树脂中，从耐湿性优异、进一步对金属的粘接剂良好的观点出发，聚酰胺酰亚胺树脂是有用的。聚酰胺酰亚胺树脂的原料没有特别限定，作为酸性成分，可以举出偏苯三酸酐、偏苯三酸酐单氯化物。作为胺成分，没有特别限定，可以举出间苯二胺、对苯二胺、4,4'-二氨基二苯基醚、4,4'-二氨基二苯基甲烷、双[4-(氨基苯氧基)苯基]砜、2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷。聚酰胺酰亚胺树脂可以进行硅氧烷改性以改善干燥性，上述情况下，作为氨成分，可以使用硅氧烷二胺。对于聚酰胺酰亚胺树脂，如果考虑薄膜加工性，则优选使用分子量为5万以上者。聚酰胺酰亚胺树脂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

作为聚丁二烯，没有特别限定，例如可以举出1,4-聚丁二烯、1,2-聚丁二烯、末端(甲基)丙烯酸酯改性聚丁二烯、末端氨基甲酸酯甲基丙烯酸酯改性聚丁二烯。这些聚丁二烯可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

对于前述热塑性树脂，主要作为预浸料中使用的绝缘材料进行了说明，但这些热塑性树脂不限定于作为预浸料的应用。例如，也可以将用前述热塑性树脂加工成薄膜者(薄膜材料)作为前述电路形成用支撑基板中的第1绝缘树脂层。

用作绝缘材料的树脂组合物中，也可以混合无机填料。无机填料没有特别限定，例如可以举出氧化铝、氢氧化铝、氢氧化镁、粘土、滑石、三氧化锑、五氧化锑、氧化锌、熔融二氧化硅、玻璃粉、石英粉和中空泡球(shirasuballoon)。这些无机填料可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

用作绝缘材料的树脂组合物可以含有有机溶剂。作为有机溶剂，没有特别限定，例如可以单独使用1种、或根据期望混合而使用如下溶剂：苯、甲苯、二甲苯、三甲苯那样的芳香族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮那样的酮系溶剂；四氢呋喃那样的醚系溶剂；异丙醇、丁醇那样的醇系溶剂；2-甲氧基乙醇、2-丁氧基乙醇那样的醚醇溶剂；n-甲基吡咯烷酮、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺那样的酰胺系溶剂。需要说明的是，制作预浸料时的清漆中的溶剂量相对于树脂组合物整体，优选设为40～80质量％的范围。另外，前述清漆的粘度优选20～100cp(20～100mpa·s)的范围。

用作绝缘材料的树脂组合物可以含有阻燃剂。作为阻燃剂，没有特别限定，例如可以使用：十溴二苯基醚、四溴双酚a、四溴邻苯二甲酸酐、三溴苯酚等溴化合物、磷酸三苯酯、磷酸三(二甲苯)酯、磷酸甲苯基二苯酯等磷化合物、氢氧化镁、氢氧化铝等金属氢氧化物、红磷和其改性物、三氧化锑、五氧化锑等锑化合物、三聚氰胺、氰尿酸、氰尿酸三聚氰胺等三嗪化合物等公知惯用的阻燃剂。这些阻燃剂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

对于用作绝缘材料的树脂组合物，可以根据需要进一步加入前述固化剂、固化促进剂、以及热塑性颗粒、着色剂、紫外线不透射剂、抗氧化剂和还原剂等各种添加剂、填充剂。这些添加剂、填充材料可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。

本实施方式中，预浸料例如可以如下得到：以树脂组合物对前述基材的附着量按照干燥后的预浸料中的树脂含有率计成为20～90质量％的方式，使树脂组合物(包含清漆)浸渗或涂覆于基材后，在100～200℃的温度下，加热干燥1～30分钟，从而可以以半固化状态(b阶状态)的预浸料的形式得到。作为这样的预浸料，也可以使用市售品，例如可以使用三菱瓦斯化学株式会社制的ghpl-830ns(产品名)。本实施方式中的工序(a)中，例如将该预浸料以成为期望的绝缘树脂层的厚度的方式重叠1～20张，在其两面，例如按照以带有脱模层的铜箔等铜箔接触的方式配置的构成，可以进行加热和加压。作为成型方法，可以应用通常的覆铜层叠板的手法，例如使用多级压制、多级真空压制、连续成型、高压釜成型机等，通常可以在温度100～250℃、压力2～100kg/cm²、加热时间0.1～5小时的范围内进行成型，或者用真空层压装置在层压条件50～200℃、0.1～10mps的条件下、在真空或大气压的条件下进行。需要说明的是，作为第1绝缘树脂层，除前述之外，可以使用以覆铜层叠板(coppercladlaminate；ccl)等被市售的覆金属箔层叠板、从前述ccl去除了铜箔者。

第1绝缘树脂层的厚度根据期望而适宜设定，因此，没有特别限定，可以设为0.02mm～2.0mm，优选0.03mm～0.2mm、更优选0.04mm～0.15mm。

(脱模层)

本实施方式中的电路形成用支撑基板包含脱模层。脱模层优选至少包含硅化合物。

“脱模层”是指如下层：其至少优选包含硅化合物，位于第1绝缘树脂层与铜箔之间，且至少第1绝缘树脂层与脱模层的剥离强度(x)跟铜箔与第1布线导体的剥离强度(y)具有x<y的关系。脱模层除硅化合物之外，根据需要可以包含树脂组合物。作为树脂组合物，例如可以使用前述热固性树脂。需要说明的是，没有特别限定，脱模层与铜箔的剥离强度(z)优选在其跟剥离强度(x)的关系中具有x<z的关系。

硅化合物没有特别限定，例如可以使用下述式(1)所示的硅烷化合物、其水解产物或水解产物的缩合体(以下，有时将它们统一简称为“硅烷化合物”)。这些硅烷化合物可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。脱模层例如可以如下形成：在铜箔或极薄铜箔上赋予单独或组合多种硅烷化合物而成的硅化合物，从而形成。需要说明的是，赋予硅化合物的手段没有特别限定，例如可以使用涂布等公知的手段。

式(1)中，r¹为烷氧基或卤素原子，r²为选自由烷基、环烷基和芳基组成的组中的烃基，r³和r⁴各自独立地为卤素原子、烷氧基、或选自由烷基、环烷基和芳基组成的组中的烃基。前述烃基的一个以上的氢原子任选被卤素原子所取代。r¹～r⁴各自独立地任选相同或不同。

对于前述式(1)所示的硅烷化合物，从防止与铜箔的密合性过度降低的观点出发，优选具有至少一个烷氧基。另外，从同样的观点出发，前述式(1)所示的硅烷化合物优选具有至少一个选自由烷基、环烷基和芳基组成的组中的烃基。

从调整剥离强度、特别是剥离强度(x)的观点出发，前述式(1)所示的硅烷化合物优选具有三个烷氧基、且具有一个选自由烷基、环烷基和芳基组成的组中的烃基。例如式(1)中，优选r³和r⁴这两者为烷氧基。

作为烷氧基，没有特别限定，例如可以举出直链状、支链状或环状的碳数1～20、优选碳数1～10、更优选碳数1～5的烷氧基。作为烷氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正或异丙氧基、正、异或叔丁氧基、正、异或新戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、或正辛氧基。

作为卤素原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

作为烷基，没有特别限定，例如可以举出直链状或支链状的碳数1～20、优选碳数1～10、更优选碳数1～5的烷基。作为烷基，例如可以举出甲基、乙基、正或异丙基、正、异或叔丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基。

作为环烷基，没有特别限定，例如可以举出碳数3～10、优选碳数5～7的环烷基。作为环烷基，例如可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基。

作为芳基，没有特别限定，例如可以举出碳数6～20、优选碳数6～14的芳基。作为芳基，例如可以举出苯基、甲苯基和二甲苯基等被烷基所取代的苯基、1-或2-萘基、蒽基。

烃基的一个以上的氢原子可以被卤素原子所取代，例如可以被氟原子、氯原子、或溴原子所取代。

作为前述硅烷化合物的例子，没有特别限定，优选除有机硅化合物以外的化合物。例如可以举出甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正或异丙基三甲氧基硅烷、正、异或叔丁基三甲氧基硅烷、正、异或新戊基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷；烷基取代苯基三甲氧基硅烷(例如对(甲基)苯基三甲氧基硅烷)、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正或异丙基三乙氧基硅烷、正、异或叔丁基三乙氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、烷基取代苯基三乙氧基硅烷(例如对(甲基)苯基三乙氧基硅烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、和十三氟辛基三乙氧基硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三氯硅烷、三甲基氟硅烷、二甲基二溴硅烷、二苯基二溴硅烷、它们的水解产物、和这些水解产物的缩合体。其中，从获得的容易性的观点出发，优选二甲基二甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、二甲基二氯硅烷，进一步优选二甲基二甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、二甲基二氯硅烷。

作为将这样的硅烷化合物用作硅化合物而在铜箔或极薄铜箔上形成脱模层者，也可以使用市售品。作为市售品，例如可以使用：在铜箔上形成有包含选自由二甲基二甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷组成的组中的至少1种作为硅化合物的脱模层者，例如可以举出jxnipponmining&metalscorporation制的“pcs”(产品名)。

脱模层与第1绝缘树脂层的剥离强度(x)没有特别限定，本实施方式的制造方法中，在先于剥离工序(e)的工序中，从防止第1绝缘树脂层剥离、且剥离工序(e)中能以物理的方式剥离第1绝缘树脂层的观点出发，优选3～20n·m、更优选5～15n·m、进一步优选8～12n·m。例如剥离强度(x)为前述的范围的情况下，运输时、加工时不被剥离，另一方面，剥离工序(e)中，能容易地用人手等以物理的方式剥离第1绝缘树脂层。

另外，没有特别限定，从剥离工序(e)中的第1绝缘树脂层剥离时，防止剥离至铜箔的观点出发，剥离强度(y)与剥离强度(x)之差(y-x)例如优选50n·m以上、更优选100n·m以上、进一步优选200n·m以上。

关于剥离强度(x)和/或剥离强度(y)，例如，对于剥离强度(x)，通过调整脱模层中的硅化合物的种类、硅化合物的涂布量，或者对于剥离强度(y)，通过调整压制条件、镀层厚度、材料、粗糙化处理中的条件，从而可以调整为前述的范围。

脱模层的厚度没有特别限定，优选5nm～100nm、更优选10nm～80nm、进一步优选20nm～60nm。

[铜箔]

铜箔没有特别限定，通常是厚度为1μm～5μm、优选2μm～4μm、进一步优选2.5μm～3.5μm的极薄铜箔。铜箔没有特别限定，jisb0601：2001所示的10点的平均粗糙度(rzjis)在两面均优选0.3μm～3.0μm、更优选0.5μm～2.0μm、进一步优选0.7μm～1.5μm。

在铜箔上，可以形成块状的电沉积物层(有时也称为“烧镀(やけためっき)”)，或可以实施氧化处理、还原处理、用蚀刻实施粗糙化处理。铜箔的制造条件没有特别限定，硫酸铜浴的情况下，通常经常使用硫酸50～100g/l、铜30～100g/l、液温20～80℃、电流密度0.5～100a/dm²的条件，焦磷酸铜浴的情况下，通常经常使用焦磷酸钾100～700g/l、铜10～50g/l、液温30～60℃、ph8～12、电流密度0.5～10a/dm²的条件。考虑铜的物性、平滑性也有时在铜浴中添加各种添加剂。

铜箔例如可以使用可剥离型而形成，也可以使用恒定厚的铜箔而形成。可剥离型的铜箔是指，具有载体的铜箔，载体例如是指，能剥离的铜箔。使用可剥离型的情况下，工序(a)中，从铜箔剥离载体而使用。

工序(a)中，对使用恒定厚的铜箔形成极薄铜箔的情况进行说明。使用恒定厚的铜箔形成极薄铜箔的情况下，首先，在恒定厚的铜箔上形成脱模层，形成带有脱模层的铜箔。在铜箔上形成脱模层的手段没有特别限定，例如可以通过涂布等公知的方法，对铜箔上赋予前述硅化合物，从而可以形成脱模层。另外，作为前述带有脱模层的铜箔，也可以使用市售品，例如可以将前述jxnipponmining&metalscorporation制的“pcs”(产品名)用作带有脱模层的铜箔。恒定厚的铜箔(即，带有脱模层的铜箔的铜箔部分)的厚度没有特别限定，从根据需要通过蚀刻等减厚手段去除不需要的部分直至期望的厚度(例如1μm～5μm)的观点出发，优选1μm以上、更优选1μm～20μm。但恒定厚的铜箔的厚度为1μm～5μm的情况下，有时无需基于减厚手段的处理。作为前述减厚手段，可以适宜应用公知的方法，例如可以举出蚀刻处理。作为前述蚀刻处理，没有特别限定，例如可以通过使用过氧化氢/硫酸系的软蚀刻液的蚀刻而进行。

如前述，使用恒定厚的铜箔形成极薄铜箔的情况下，例如可以使用在厚度为1μm～20μm的铜箔上形成有前述脱模层的带有脱模层的铜箔。详细而言，工序(a)中，通过经过如下工序(a-1)：将在厚度为1μm～20μm的铜箔上形成有前述脱模层的带有脱模层的铜箔以前述脱模层与前述第1绝缘树脂层接触的方式配置于前述第1绝缘树脂层上，之后对前述带有脱模层的铜箔的前述铜箔部分实施蚀刻处理，形成前述极薄铜箔，从而工序(a)中可以由恒定厚的铜箔形成极薄铜箔。本实施方式的制造方法不限定于本方案，例如，使用12μm的铜箔的情况下，通过涂布等形成脱模层，与第1绝缘树脂层层叠压制后，进行铜箔的软蚀刻，将铜箔的厚度调整为例如3μm，形成极薄铜箔，从而可以制作电路形成用支撑基板。前述蚀刻处理没有特别限定，可以在将带有脱模层的铜箔加热和加压至第1绝缘树脂层后进行。

另外，可以对铜箔与脱模层的粘接面实施防锈处理(形成防锈处理层)。前述防锈处理可以使用镍、锡、锌、铬、钼、钴中的任意者、或它们的合金而进行。它们通过溅射、电镀、化学镀在铜箔上进行薄膜形成，从成本的方面出发，优选电镀。具体而言，作为镀层，使用包含选自由镍、锡、锌、铬、钼和钴组成的组中的一种以上的金属盐的化学溶液进行镀覆。为了使金属离子的析出容易，镀液中，可以添加所需量的柠檬酸盐、酒石酸盐、氨基磺酸等络合剂。镀液通常在酸性区域中使用，在室温～80℃的温度下进行镀覆。镀覆通常从电流密度0.1～10a/dm²、通常时间1～60秒、优选1～30秒的范围中适宜选择。防锈处理中使用的金属的量根据金属的种类而不同，没有特别限定，总计10～2000μg/dm²是适合的。对于防锈处理层的厚度，如果过厚，则引起蚀刻妨碍和电特性的降低，如果过薄，则可能成为与树脂的剥离强度降低的因素。

如果进一步在防锈处理层上形成铬酸盐处理层，则能抑制与脱模层的粘接强度降低，因此是有用的。具体而言，使用包含六价铬离子的水溶液而进行。铬酸盐处理没有特别限定，例如也可以利用单纯的浸渍处理进行，优选以阴极处理进行。阴极处理优选在重铬酸钠0.1～50g/l、ph1～13、浴温0～60℃、电流密度0.1～5a/dm²、电流时间0.1～100秒的条件下进行。也可以使用铬酸或重铬酸钾代替重铬酸钠。

本实施方式中，优选在防锈处理层上进一步吸附偶联剂。作为硅烷偶联剂，没有特别限定，例如可以使用3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷的环氧官能性硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷的胺官能性硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷的烯烃官能性硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷的(甲基)丙烯酸官能性硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷的巯基官能性硅烷。这些硅烷偶联剂可以单独使用1种，也可以混合2种以上而使用。这些偶联剂可以如下吸附：以0.1～15g/l的浓度溶解在水等溶剂并在室温～50℃的温度下涂布于金属箔，或者使其电沉积而吸附。这些硅烷偶联剂通过与铜箔表面的防锈金属的羟基进行缩合键合，从而形成覆膜。硅烷偶联处理后，通过加热、紫外线照射等，形成稳定的键。如果为加热，则在80～200℃的温度下干燥2～60秒。如果为紫外线照射，则在200～400nm、200～2500mj/dm²的范围内进行。

[工序(b)]

工序(b)是在前述电路形成用支撑基板的铜箔上形成第1布线导体的工序。通过经过工序(b)，从而如图1c所示那样，在电路形成用支撑基板1的铜箔4上形成第1布线导体5。第1布线导体的形成手段没有特别限定，例如可以通过以下的工序形成第1布线导体。

作为工序(b)，例如通过如下工序从而可以在铜箔上形成第1布线导体：将镀覆用抗蚀剂层压在前述铜箔上(工序(b-1))；通过光刻法，在镀覆用抗蚀剂上形成布线电路图案(工序(b-2))；在前述镀覆用抗蚀剂上形成有布线电路图案的前述铜箔上，通过图案电镀铜，形成第1布线导体(工序(b-3))；将前述镀覆用抗蚀剂去除(工序(b-4))。前述工序中，工序(b-2)中，对于层压在铜箔上的镀覆用抗蚀剂，通过光刻法进行曝光和显影，可以在镀覆用抗蚀剂上形成布线电路图案。接着，通过工序(b-3)，在镀覆用抗蚀剂上形成有布线电路图案的铜箔上，实施图案电镀铜处理，从而可以通过镀铜形成第1布线导体。形成第1布线导体后，镀覆用抗蚀剂在工序(b-4)中被去除。

前述镀覆用抗蚀剂没有特别限定，例如可以适宜选择市售的干膜抗蚀剂等公知者。另外，在镀覆用抗蚀剂上形成布线电路图案时的光刻法(包括曝光、显影、抗蚀剂的去除)没有特别限定，可以利用公知的手段和装置而实施。进一步，对于用于形成第1布线导体的前述图案电镀铜，也没有特别限定，可以适宜使用公知的方法。

第1布线导体的图案宽度没有特别限定，可以根据用途适宜选择其宽度，例如可以设为5～100μm，优选可以设为10～30μm。

[工序(c)]

工序(c)是配置第2绝缘树脂层，使其与前述第1布线导体接触，对前述第2绝缘树脂层加热和加压并层叠的工序。工序(c)也可以为在前述第2绝缘树脂层上进一步配置金属层，并加热和加压，将前述第2绝缘树脂层与前述金属层层叠的工序。通过经过工序(c)，从而如图1d所示那样，可以以与第1布线导体5接触的方式，将第2绝缘树脂层6与金属层7层叠。需要说明的是，图1d中，进行了设有金属层的方案，但本发明不限定于该方案。

作为第2绝缘树脂层，可以使用与前述第1绝缘树脂层同样的材料(例如预浸料)。另外，第2绝缘树脂层的厚度可以根据期望而适宜设定，没有特别限定，例如可以设为0.02mm～2.0mm，优选0.03mm～0.2mm、更优选0.04mm～0.15mm。

作为金属层，例如可以使用与前述铜箔同样者。作为铜箔，例如可以使用带有载体铜箔的极薄铜箔。上述情况下，对于载体，配置极薄铜箔使其与第2绝缘树脂层接触，通过加热和加压而层叠后剥离。作为带有载体铜箔的极薄铜箔，也可以使用市售品，例如可以使用三井金属矿业株式会社制的mtex(产品名)。

作为第2绝缘树脂层，也可以使用市售品，例如可以使用三菱瓦斯化学株式会社制的crs-381nsi(产品名)。

前述第2绝缘树脂层、金属层的加热和加压条件没有特别限定，例如在温度220±2℃、压力2.5±0.2mpa、保持时间60分钟的条件下实施真空压制，从而可以将第2绝缘树脂层和金属层层叠。

工序(c)没有特别限定，例如可以通过以下的工序将第2绝缘树脂层与金属层层叠。作为工序(c)，例如可以设为如下工序：对前述第1布线导体表面实施用于得到与第2绝缘树脂层的密合力的粗糙化处理(工序(c-1))；配置前述第2绝缘树脂层，使其与实施了前述粗糙化处理的前述第1布线导体接触，在前述第2绝缘树脂层上进一步配置金属层，并加热和加压，将前述第2绝缘树脂层与前述金属层层叠(工序(c-2))。前述粗糙化处理没有特别限定，可以适宜使用公知的手段，例如可以举出使用铜表面粗糙化液的手段。

[工序(d)]

工序(d)是在前述第2绝缘树脂层中，形成达到前述第1布线导体的非贯通孔，通过电镀铜和/或化学镀铜使前述非贯通孔的内壁连接，形成第2布线导体的工序。第2布线导体形成工序(d)中，通过实施电镀铜和/或化学镀铜，从而如图1e所示那样，第1布线导体5与金属层7通过形成于非贯通孔的内壁的镀铜而被电连接。之后，如图1f所示那样，通过将金属层7图案形成，从而可以在第2绝缘树脂层6上形成第2布线导体8。

形成非贯通孔的手段没有特别限定，例如可以使用二氧化碳气体激光等激光、钻等公知的手段。非贯通孔经由金属层而形成于第2绝缘树脂层，是为了使本工序中形成的第2布线导体与第1布线导体进行电连接而设置的。非贯通孔的数量、尺寸可以根据期望而适宜选择。另外，形成非贯通孔后，可以使用高锰酸钠水溶液等实施表面沾污去除处理。

工序(d)中，形成非贯通孔后，实施电镀铜和/或化学镀铜，在非贯通孔的内壁形成铜镀覆膜，将第1布线导体与第2布线导体进行电连接。实施电镀铜和/或化学镀的方法没有特别限定，可以采用公知的方法。该铜镀覆可以仅实施电镀铜和化学镀中的任一者，优选实施电镀铜和化学镀这两者。

工序(d)中，在电解和/或化学镀铜处理后形成第2布线导体。第2布线导体的形成方法没有特别限定，例如可以适宜采用消减工艺、半添加工艺等公知的手段。

工序(d)没有特别限定，例如可以设为如下工序：在前述第2绝缘树脂层中，形成达到前述第1布线导体的非贯通孔(工序(d-1))；通过电镀铜和/或化学镀铜，使非贯通孔的内壁连接(工序(d-2))；以消减工艺或半添加工艺形成第2布线导体(工序(d-3))。工序(d-3)中，没有特别限定，例如，在金属层的整面实施，层压干膜抗蚀剂等，进一步贴合负型掩模后，用曝光机烘烤电路图案，在显影液中将干膜抗蚀剂显影，可以形成蚀刻抗蚀剂。之后，实施蚀刻处理，将无蚀刻抗蚀剂的部分的铜用氯化铁水溶液等去除后，将抗蚀剂去除，从而可以形成第2布线导体。

此外，本实施方式中，作为能应用的层间连接方法，可以应用如下方法：在公知的经激光形成的盲孔部，进行化学镀铜并应用的方法(通过激光加工形成布线电路，之后通过化学镀铜进行图案形成、层间连接的方法)；预先在成为连接部的部分，利用通过镀覆、蚀刻金属箔等形成的金属凸起(优选铜凸起)，连同绝缘层一起刺穿，进行层间连接的方法；进一步将绝缘树脂中含有软钎料、银和铜等金属填料的金属糊剂通过丝网印刷等凸起印刷至规定部位后，通过干燥使糊剂固化，通过加热和加压，确保内外层间的电气导通的方法等。

[工序(e)]

工序(e)是从形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板剥离前述第1绝缘树脂层的工序。如果经过工序(e)，则如图1g所示那样，第1绝缘树脂层在其与脱模层3的界面被剥离，形成在脱模层3和铜箔4上层叠有第1布线导体5、第2绝缘树脂层6和第2布线导体8的层叠体。

工序(e)中，优选在第1绝缘树脂层与脱模层的界面，第1绝缘树脂层被剥离，但例如也可以脱模层的一部分与第1绝缘树脂层一起被剥离。另外，还包括：在脱模层与铜箔的界面，与脱模层一起第1绝缘树脂层被剥离的方案。剥离第1绝缘树脂层的手段可以采用物理手段或化学手段，均可，例如优选对脱模层施加物理的力，以物理的方式剥离第1绝缘树脂层。

[工序(f)]

工序(f)是从前述电路形成基板去除前述脱模层3和/或前述铜箔4的工序。如果经过工序(f)，则如图1h所示那样，第1布线导体5(内层)被埋设于第2绝缘树脂层6中，可以形成电接合有第1布线导体5(内层)和第2布线导体8(外层)的半导体元件搭载用的电路形成基板10。工序(f)中，例如，可以将前述脱模层和/或前述铜箔(优选极薄铜箔)用硫酸系或过氧化氢系蚀刻液去除。例如工序(e)中，第1绝缘树脂层在与脱模层的界面处被剥离的情况下，和脱模层被破坏而其一部分与第1绝缘树脂层一起被剥离的情况下，去除工序(f)中脱模层的整体或其一部分和铜箔被去除。另外，工序(e)中，第1绝缘树脂层与脱模层一起在脱模层与铜箔的界面被剥离的情况下，去除工序(f)中，仅铜箔被去除。硫酸系或过氧化氢系蚀刻液没有特别限定，可以适宜选择本领域中使用者而使用。

示例性地说明了本实施方式的图1和2中，电路形成基板10成为2层结构的半导体元件搭载用封装体基板，但本实施方式不限定于此，可以形成具有3层结构以上(3层结构、4层结构、···n层结构)的积层结构的半导体元件搭载用封装体基板。即，本实施方式中的半导体元件安装基板的制造方法在前述工序(d)与前述工序(e)之间，可以进一步包括如下工序：对于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板，重复进行绝缘树脂层层叠工序和布线导体形成工序，形成积层结构。此处，绝缘树脂层层叠工序和布线导体形成工序可以分别通过与工序(c)和工序(d)同样的步骤进行。

本实施方式中的半导体元件安装基板的制造方法中，可以进一步包括对于形成有前述第2布线导体的电路形成基板，形成阻焊层的工序。该工序例如可以在前述工序(d)与前述工序(e)之间实施，可以在前述工序(f)与后述的工序(g)之间实施。阻焊层没有特别限定，例如可以通过层压机、热压机而形成。

[工序(g)]

工序(g)是将前述支撑体压制并层叠于前述电路形成基板的工序。具体而言，在电路形成基板的形成有第2布线导体8的面上，以支撑体的耐热薄膜层11接触的方式配置后进行压制。如果经过工序(g)，则如图1i所示那样，形成在电路形成基板的形成有第2布线导体的面上层叠有支撑体的层叠体20。需要说明的是，图1i所示的图示出：在电路形成基板的单面涂布阻焊剂而形成阻焊层9后，将支撑体压制并层叠的情况的层叠体，但也可使用在电路形成基板的两面形成有阻焊层的结构体或未形成阻焊层9而从工序(f)直接实施工序(g)的结构体。

作为压制支撑体的方法，没有特别限定，例如，在电路形成基板的形成有第2布线导体的面上配置支撑体的耐热薄膜层使其接触后，在温度120～200℃、压力1～4mpa、保持时间30～120分钟的条件下实施真空压制。

[工序(h)]

工序(h)是在前述电路形成基板的布线导体上安装半导体元件的工序。如果经过工序(h)，则如图1j所示那样，形成安装有半导体元件的层叠体。图1j中，在第1布线导体上借助焊球13安装裸晶片14，进一步通过封模树脂15而进行树脂封固。

工序(h)中，可以借助接合材料，在布线导体上安装前述半导体元件。此处，通常，在半安装导体元件前，在布线导体上形成具有开口部的阻焊层后，在其开口部形成镀金层，进一步，在镀金层上搭载接合材料，在约260℃下进行回流焊，制作形成有接合材料的多层印刷电路板。镀金层没有特别限定，例如可以通过电镀、化学镀和糊剂而形成。接合材料只要具有导电手段就没有特别限定，例如可以使用软钎料(例如焊球、软钎料糊剂)。使用软钎料作为前述接合材料的情况等，可以将半导体元件安装于布线导体上后，实施回流焊等处理。此时，回流焊的温度可以根据接合材料的熔点等而适宜选择，例如优选设为260℃以上。

半导体元件没有特别限定，可以适宜使用期望的元件，例如可以使用通过金属线的球焊法在铝电极部形成有金属凸起的裸晶片。

作为封模树脂，可以适宜选择封固材用途中使用的公知的树脂而使用。

如前述，通常进行如下工序：在安装半导体元件前，在布线导体上形成具有开口部的阻焊层后，在其开口部形成镀金层，但这些工序例如可以在前述工序(d)与前述工序(e)之间实施，也可以在前述工序(f)与前述工序(g)之间实施。

[工序(i)]

工序(i)是从前述电路形成基板剥离前述支撑体的工序。如果经过工序(i)，则如图1k所示那样，从安装有半导体元件的层叠体剥离支撑体，可以得到半导体元件安装基板30。剥离支撑体的手段可以采用物理手段或化学手段，均可，例如优选对耐热薄膜层施加物理的力，以物理的方式剥离支撑体。

(实施方式2)

用于实施本发明的第2方式(实施方式2)中的半导体元件安装基板的制造方法包括以下的工序。

工序(a)，形成依次包含第1绝缘树脂层、脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板

工序(b)，在前述电路形成用支撑基板的前述铜箔上形成第1布线导体

工序(c)，配置第2绝缘树脂层，使其与前述第1布线导体接触，对前述第2绝缘树脂层进行加热和加压并层叠

工序(d)，在前述第2绝缘树脂层中，形成达到前述第1布线导体的非贯通孔，通过电镀铜和/或化学镀铜使前述非贯通孔的内壁连接，形成第2布线导体

工序(j)，将前述支撑体压制并层叠于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板

工序(k)，从层叠有前述支撑体的电路形成基板剥离前述第1绝缘树脂层

工序(l)，从前述电路形成基板去除前述脱模层和/或前述铜箔

工序(h)，在前述电路形成基板的前述布线导体上安装半导体元件

工序(i)，从前述电路形成基板剥离前述支撑体

此处，工序(a)～(d)、(h)、(i)与前述实施方式1中的各工序同样，因此，省略说明。

需要说明的是，实施方式2中，也与实施方式1同样地，可以形成具有3层结构以上(3层结构、4层结构、···n层结构)的积层结构的半导体元件搭载用封装体基板。即，在前述工序(d)与前述工序(e)之间可以进一步包括如下工序：对于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板，重复进行绝缘树脂层层叠工序和布线导体形成工序，形成积层结构。

[工序(j)]

工序(j)是将前述支撑体压制并层叠于形成有前述第1布线导体和第2布线导体的电路形成基板(图2a)的工序。具体而言，在电路形成基板的形成有第2布线导体8的面上，以支撑体的耐热薄膜层11接触的方式配制后进行压制。如果经过工序(j)，则如图2b所示那样，形成在电路形成基板的形成有第2布线导体的面上层叠有支撑体的层叠体。需要说明的是，图2b所示的图示出：在电路形成基板上涂布阻焊剂而形成阻焊层9后进行压制并层叠支撑体时的层叠体，但可以在不形成阻焊层的情况下，从工序(d)直接实施工序(j)。形成阻焊层的方法如前述。

作为压制支撑体的方法，与前述工序(g)同样。

[工序(k)]

工序(k)是从层叠有前述支撑体的电路形成基板剥离前述第1绝缘树脂层的工序。如果经过工序(k)，则如图2c所示那样，在与脱模层3的界面，第1绝缘树脂层被剥离，在脱模层3和铜箔4上层叠第1布线导体5、第2绝缘树脂层6和第2布线导体8，形成在形成有第2布线导体的面上层叠有支撑体的层叠体。

工序(k)中，优选在第1绝缘树脂层与脱模层的界面，第1绝缘树脂层被剥离，但例如也可以脱模层的一部分与第1绝缘树脂层一起被剥离。另外，也可包括在脱模层与铜箔的界面处，第1绝缘树脂层与脱模层一起被剥离的方案。剥离第1绝缘树脂层的手段可以采用物理手段或化学手段，均可，例如优选对脱模层施加物理的力，以物理的方式剥离第1绝缘树脂层。

[工序(l)]

工序(l)是从前述电路形成基板去除前述脱模层和/或前述铜箔的工序。如果经过工序(l)，则如图2d所示那样，第1布线导体5(内层)被埋设于第2绝缘树脂层6中，可以形成在电接合有第1布线导体5(内层)与第2布线导体8(外层)的半导体元件搭载用的电路形成基板上层叠有支撑体的层叠体20。工序(l)中，例如，可以将前述脱模层和/或前述极薄铜箔用硫酸系或过氧化氢系蚀刻液去除。例如工序(k)中，第1绝缘树脂层在其与脱模层的界面处被剥离的情况下，和脱模层被破坏而其一部分与第1绝缘树脂层一起被剥离的情况下，去除工序(l)中脱模层的整体或其一部分和铜箔被去除。另外，工序(k)中第1绝缘树脂层与脱模层一起在脱模层与铜箔的界面处被剥离的情况下，去除工序(l)中，仅铜箔被去除。硫酸系或过氧化氢系蚀刻液没有特别限定，可以适宜选择本领域中使用者而使用。

需要说明的是，如前述，通常进行如下工序：在安装半导体元件前，在布线导体上形成具有开口部的阻焊层后，在该开口部形成镀金层，但这些工序例如可以在前述工序(l)工序与前述(h)工序之间实施。

以上，对本实施方式的半导体元件安装体的制造方法的实施方式1和实施方式2进行了说明，但从能在压制支撑体前使用电路形成基板进行电气试验的观点出发，实施方式1比实施方式2优选。

需要说明的是，本发明不特别限定于这些实施方式，也包含除前述实施方式1和实施方式2以外的实施方式。

实施例

以下中，根据实施例对本实施方式具体进行说明，但本实施方式不受这些实施例的任何限制。

[实施例1]

<支撑体的制作＞

在使双马来酰亚胺三嗪树脂(bt树脂)浸渗于玻璃布(玻璃纤维)中而成为b阶状态的预浸料(厚度0.100mm：三菱瓦斯化学株式会社制、产品名：ghpl-830nsst56)的单面，配置厚度27μm的带有粘接层的聚酰亚胺薄膜(粘接层的厚度：15μm、nikkanindustrialco.,ltd.制、产品名：cisv)，使得粘接层面与绝缘树脂层接触，在另一个面上配置厚度18μm的铜箔(三井金属矿业株式会社制、产品名：3ec-vlp)，在温度80±2℃、压力1.0±0.2mpa、保持时间3分钟的条件下实施真空压制，制作支撑体(a)(厚度145μm)。

<工序(a)＞

在使双马来酰亚胺三嗪树脂(bt树脂)浸渗于玻璃布(玻璃纤维)中而成为b阶状态的预浸料(厚度0.100mm：三菱瓦斯化学株式会社制、产品名：ghpl-830nsst56)的两面，配置在厚度12μm的铜箔上通过涂布形成有由硅烷化合物构成的脱模层的带有脱模层的铜箔(jxnipponmining&metalscorporation制、产品名：pcs)，使得脱模层面与前述预浸料接触，在温度220±2℃、压力5±0.2mpa、保持时间60分钟的条件下实施真空压制。之后，通过利用过氧化氢/硫酸系的软蚀刻液的蚀刻，将前述铜箔的厚度调整为3μm，制作在第1绝缘树脂层的两面依次设有脱模层和铜箔的电路形成用支撑基板。

<工序(b)＞

在电路形成用支撑基板中，用hitachiviamechanicsco.,ltd.制的槽刨加工机形成导孔，之后，用过氧化氢/硫酸系的软蚀刻液，对表面蚀刻1～2μm。接着，在温度110±10℃、压力0.50±0.02mpa的条件下，层压干膜抗蚀剂nit225(nichigomortonco.,ltd.制、产品名)。以前述导孔为基准，在平行曝光机中实施电路图案对干膜抗蚀剂的烘烤后，用1％碳酸钠水溶液，将干膜抗蚀剂显影，形成镀覆用抗蚀图案。接着，在硫酸铜浓度60～80g/l、硫酸浓度150～200g/l的硫酸铜镀覆线中，实施15～20μm那样的图案电镀铜(电镀铜)，形成第1布线导体。之后，用胺系的抗蚀剂剥离液，将干膜抗蚀剂剥离去除。

<工序(c)＞

为了得到与绝缘树脂的密合力，对于第1布线导体(铜图案)表面，用铜表面粗糙化液cz-8100(mecco.,ltd.制、产品名)实施粗糙化处理。接着，在形成有第1布线导体的电路形成用支撑基板的两面，配置使双马来酰亚胺三嗪树脂(bt树脂)浸渗于玻璃布(玻璃纤维)中而成为b阶状态的预浸料(厚度0.100mm：三菱瓦斯化学株式会社制、产品名：ghpl-830nsst56)。接着，在预浸料上配置厚度18μm的带有载体铜箔的极薄铜箔(极薄铜箔(金属层)；厚度2μm：三井金属矿业株式会社制、产品名：mtex)，使得载体铜箔侧与预浸料接触，在压力2.5±0.2mpa、温度220±2℃、保持时间60分钟的条件下进行真空压制。之后，将厚度18μm的载体铜箔剥离，得到在第1布线导体上层叠有第2绝缘树脂层和厚度2μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板。

<工序(d)＞

在第1布线导体上层叠有第2绝缘树脂层和金属层的电路形成用支撑基板的两面，用二氧化碳气体激光加工机lc-1c/21(hitachiviamechanicsco.,ltd.制、产品名)，在射束照射直径φ0.21mm、频率500hz、脉冲宽度10μs、照射次数7次的条件下，对每1个孔进行加工，在第2绝缘树脂层中形成非贯通孔，所述非贯通孔经由金属层达到前述第1布线导体。

接着，对于形成有非贯通孔的电路形成用支撑基板，用温度80±5℃、浓度55±10g/l的高锰酸钠水溶液，实施表面沾污去除处理，进一步用化学镀铜，实施0.4～0.8μm的厚度的镀覆后，用电镀铜，实施15～20μm的厚度的镀覆。由此，将非贯通孔的内壁通过镀覆连接，第1布线导体(内层)与金属层(外层)通过非贯通孔内壁的镀覆而被电连接。

接着，在基板表面(金属层)的整面实施，在温度110±10℃、压力0.50±0.02mpa的条件下，层压干膜抗蚀剂nit225(nichigomortonco.,ltd.制、产品名)。之后，使负型掩模贴合后，用平行曝光机，烘烤电路图案，用1％碳酸钠水溶液将干膜抗蚀剂显影，形成蚀刻抗蚀剂。接着，将无蚀刻抗蚀剂的部分的铜用氯化铁水溶液去除后，用氢氧化钠水溶液去除干膜抗蚀剂，形成第2布线导体。

<工序(e)＞

形成第2布线导体后，对带有脱模层的铜箔与第1绝缘树脂层(预浸料层)的边界部施加物理的力，从形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离第1绝缘树脂层(预浸料层)，形成一组层叠体。

<工序(f)＞

剥离工序(e)中，将第1绝缘树脂层(预浸料层)剥离后，用过氧化氢/硫酸系的软蚀刻液去除极薄铜箔和脱模层。之后，形成10μm的阻焊剂，进行镀金加工。

<工序(g)＞

去除工序(f)中，配置形成10μm的阻焊剂且进行了镀金加工的电路形成基板的单侧，使其与支撑体(a)的聚酰亚胺层接触，在温度160±2℃、压力3.0±0.2mpa、保持时间60分钟的条件下实施真空压制，制作层叠体。

<工序(h)和工序(i)＞

工序(g)中将所得层叠体切断加工成封装体尺寸，得到半导体元件搭载用封装体基板。接着，在镀金层上搭载焊球，在约260℃下进行回流焊，制作形成有焊球的多层印刷电路板。之后，使所得多层印刷电路板与在铝电极部通过金属线的球焊法形成有金属凸起的裸晶片对准，在多层印刷电路板上安装裸晶片。接着，将安装有裸晶片的多层印刷电路板在约260℃下进行回流焊，进行软钎焊连接后，清洗，用封模树脂进行树脂封固。之后，对阻焊层与聚酰亚胺层的边界部施加物理的力，从多层印刷电路板剥离支撑体(a)，制作半导体元件安装基板。

[实施例2]

<工序(c)＞

进行实施例1中的工序(a)和工序(b)，为了得到与绝缘树脂层的密合力，用铜表面粗糙化液cz-8100(mecco.,ltd.制、产品名)对第1布线导体(铜图案)表面实施粗糙化处理。接着，在形成有第1布线导体的电路形成用支撑基板的两面，配置将双马来酰亚胺三嗪树脂(bt树脂)涂布于厚度18μm的带有载体铜箔的极薄铜箔(极薄铜箔(金属层)；厚度2μm：三井金属矿业株式会社制、产品名：mtex)并b阶状态化而成的带有树脂的铜箔(厚度15μm：三菱瓦斯化学株式会社制、产品名：crs-381nsi)，在压力2.5±0.2mpa、温度220±2℃、保持时间60分钟的条件下进行真空压制。之后，剥离厚度18μm的载体铜箔，得到在第1布线导体上层叠有第2绝缘树脂层和厚度2μm的极薄铜箔的电路形成用支撑基板。

<工序(d)＞

在第1布线导体上层叠有第2绝缘树脂层和金属层的电路形成用支撑基板的两面，用二氧化碳气体激光加工机lc-1c/21(hitachiviamechanicsco.,ltd.制、产品名)，在射束照射直径φ0.21mm、频率500hz、脉冲宽度10μs、照射次数7次的条件下，对每1个孔进行加工，在第2绝缘树脂层中形成非贯通孔，所述非贯通孔经由金属层达到前述第1布线导体。

接着，对于形成有非贯通孔的电路形成用支撑基板，用温度80±5℃、浓度55±10g/l的高锰酸钠水溶液实施表面沾污去除处理，进一步用化学镀铜实施0.4～0.8μm的厚度的镀覆后，用电镀铜实施15～20μm的厚度的镀覆。由此，将非贯通孔的内壁通过镀覆连接，第1布线导体(内层)与金属层(外层)通过非贯通孔内壁的镀覆而被电连接。

接着，在基板表面(金属层)的整面实施，在温度110±10℃、压力0.50±0.02mpa的条件下层压干膜抗蚀剂nit225(nichigomortonco.,ltd.制、产品名)。之后，使负型掩模贴合后，用平行曝光机，烘烤电路图案，之后，用1％碳酸钠水溶液，将干膜抗蚀剂显影，形成蚀刻抗蚀剂。接着，将无蚀刻抗蚀剂的部分的铜用氯化铁水溶液去除后，用氢氧化钠水溶液去除干膜抗蚀剂，形成第2布线导体。

<工序(e)＞

形成第2布线导体后，在第2布线导体上形成10μm的阻焊剂，对带有脱模层的铜箔与第1绝缘树脂层(预浸料层)的边界部施加物理的力，从形成有第1布线导体和第2布线导体的电路形成用支撑基板剥离第1绝缘树脂层(预浸料层)，形成一组层叠体。

<工序(f)＞

剥离工序(e)中，将第1绝缘树脂层(预浸料层)剥离后，用过氧化氢/硫酸系的软蚀刻液去除极薄铜箔和脱模层。之后，形成10μm的阻焊剂，进行镀金加工。

<工序(g)＞

去除工序(f)中，形成10μm的阻焊剂，配置进行了镀金加工的电路形成基板的单侧使其与支撑体(a)的聚酰亚胺部接触，在温度160±2℃、压力3.0±0.2mpa、保持时间60分钟的条件下实施真空压制，制作层叠体。

<工序(h)和工序(i)＞

将工序(g)中得到的层叠体切断加工成封装体尺寸，得到半导体元件搭载用封装体基板。接着，在镀金层上搭载焊球，在约260℃下进行回流焊，制作形成有焊球的多层印刷电路板。之后，使所得多层印刷电路板与通过金属线的球焊法在铝电极部形成有金属凸起的裸晶片对准，在多层印刷电路板上安装裸晶片。接着，将安装有裸晶片的多层印刷电路板在约260℃下进行回流焊，进行软钎焊连接后，清洗，利用封模树脂进行树脂封固。之后，对阻焊层与聚酰亚胺层的边界部施加物理的力，从多层印刷电路板剥离支撑体(a)，制作半导体元件安装基板。

[实施例3]

<工序(j)＞

依次进行实施例2中的工序(a)至工序(d)，在第2布线导体上形成10μm的阻焊剂，进行镀金加工。之后，配置电路形成用支撑基板的单侧使其与支撑体(a)的聚酰亚胺部接触，在温度160±2℃、压力3.0±0.2mpa、保持时间60分钟的条件下实施真空压制，制作层叠体。

<工序(k)和(l)＞

剥离工序中，从层叠体剥离第1绝缘树脂层(预浸料层)后，将极薄铜箔和脱模层用过氧化氢/硫酸系的软蚀刻液去除。之后，形成10μm的阻焊剂。

<工序(h)和工序(i)＞

将工序(l)中得到的层叠体切断加工成封装体尺寸，得到半导体元件搭载用封装体基板。接着，在镀金层上搭载焊球，在约260℃下进行回流焊，制作形成有焊球的多层印刷电路板。之后，使所得多层印刷电路板与通过金属线的球焊法在铝电极部形成有金属凸起的裸晶片对准，在多层印刷电路板上安装裸晶片。接着，将安装有裸晶片的多层印刷电路板在约260℃下进行回流焊，进行软钎焊连接后，清洗，利用封模树脂进行树脂封固。之后，对阻焊层与聚酰亚胺层的边界部施加物理的力，从多层印刷电路板剥离支撑体(a)，制作半导体元件安装基板。

[比较例1]

不使用支撑体(a)而依次进行实施例1中的工序(a)～工序(f)、工序(h)和工序(i)，制作半导体元件搭载用封装体基板(厚度60μm)。之后，在镀金层上搭载焊球，在约260℃下进行回流焊，但基板薄且刚性也小，因此，基板会破损。

本申请基于2017年4月27日申请的日本专利申请(特愿2017-088834)，将其内容作为参照引入至此。

产业上的可利用性

本实施方式中的支撑体具有作为制造半导体元件安装基板时的、半导体搭载用封装体基板的支撑体的产业上的可利性。

附图标记说明

1···电路形成用支撑基板

2···第1绝缘树脂层

3···脱模层

4···铜箔

5···第1布线导体

6···第2绝缘树脂层

7···金属层

8···第2布线导体

9···阻焊层

10···电路形成基板

11···耐热薄膜层

12···树脂层

13···焊球

14···裸晶片

15···封模树脂

20···层叠体

30···半导体元件安装基板