1.一种高频功率放大器，其具有：
场效应晶体管，其具有栅极端子、源极端子和漏极端子，该场效应晶体管用于对高频基波信号进行放大；
第1半导体芯片，其形成有所述场效应晶体管；
预匹配电路，其具有所述场效应晶体管的输入侧基波匹配用的第1输入端子和第1输出端子；
二次谐波短路用电容器，其具有所述场效应晶体管的输入侧二次谐波短路用端子；
耦合器，其具有第2输入端子、第3输入端子、第2输出端子、以及第3输出端子，该第2输入端子与所述第1输出端子连接，该第3输入端子与所述输入侧二次谐波短路用端子连接，该第2输出端子输出来自所述第2输入端子的信号，该第3输出端子输出来自所述第3输入端子的信号，在从所述第2输入端子和所述第3输入端子同时输入了信号的情况下，该耦合器呈现减极性互感；
第2半导体芯片，其形成有所述预匹配电路、所述二次谐波短路用电容器和所述耦合器；
第1导线，其将所述第2输出端子与所述栅极端子连接；以及
第2导线，其将所述第3输出端子与所述栅极端子连接，该第2导线与第1导线之间呈现加极性互感。
2.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片是gan类hemt芯片，所述第2半导体芯片是gaas类芯片。
3.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片是gan类hemt芯片，所述第2半导体芯片是soi芯片。
4.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片都是gaas类芯片。
5.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第2半导体芯片是ipd芯片。
6.一种高频功率放大器，其具有：
场效应晶体管，其具有栅极端子、源极端子和漏极端子，该场效应晶体管用于对高频基波信号进行放大；
预匹配电路，其具有所述场效应晶体管的输入侧基波匹配用的第1输入端子和第1输出端子；
二次谐波短路电容器，其具有所述场效应晶体管的输入侧二次谐波短路用端子；
耦合器，其具有第2输入端子、第3输入端子、第2输出端子以及第3输出端子，该第2输入端子与所述第1输出端子连接，该第3输入端子与所述输入侧二次谐波短路用端子连接，该第2输出端子输出来自所述第2输入端子的信号，该第3输出端子输出来自所述第3输入端子的信号，在从所述第2输入端子和所述第3输入端子同时输入了信号的情况下，该耦合器呈现减极性互感；
第1半导体芯片，其形成有所述场效应晶体管和所述耦合器；
第2半导体芯片，其形成有所述预匹配电路和所述二次谐波短路电容器；
第1导线，其将所述第2输出端子与所述栅极端子连接；以及
第2导线，其将所述第3输出端子与所述栅极端子连接，该第2导线与第1导线之间呈现加极性互感。
7.根据权利要求6所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片是gan类hemt芯片，所述第2半导体芯片是gaas类芯片。
8.根据权利要求6所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片是gan类hemt芯片，所述第2半导体芯片是soi芯片。
9.根据权利要求6所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片都是gaas类芯片。
10.根据权利要求6所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第2半导体芯片是ipd芯片。