I开关使第I电子元件的另一端与第I电压产生电路的输出端子之间的电连接断开，由此能够在使第I电子元件的另一端电浮置的状态即不易对第I电子元件的两端施加高电压的状态下检查振子的特性，因此能够降低第I电子元件损坏的可能性。从而，可通过采用本应用例的振荡器的制造方法来制造可靠性更高的振荡器。
[0051][应用例14]
[0052]在上述应用例的振荡器的制造方法中，检查所述振子的特性的工序是将过驱动检查用的信号以及驱动等级检查用的信号中的至少I个施加给所述振子的工序。
[0053]根据本应用例的振荡器的制造方法，进行过驱动检查以及驱动等级检查中的至少一方作为振子的检查，所以能够将在振子的检查中成为合格品的振荡器判别为合格品。因此，能够制造可罪性闻的振汤器。
[0054][应用例15]
[0055]本应用例的电子设备包含上述任意一个振荡电路或上述任意一个振荡器。
[0056][应用例16]
[0057]本应用例的移动体包含上述任意一个振荡电路或上述任意一个振荡器。
[0058]根据这些应用例的电子设备以及移动体，可降低在振子的检查时第I电子元件被损坏的可能性，因此能够实现可靠性更高的电子设备以及移动体。
【附图说明】
[0059]图1是本实施方式的振荡器的立体图。
[0060]图2的㈧是振荡器的剖视图，图2的⑶是振荡器的仰视图。
[0061]图3是第I实施方式的振荡器的功能框图。
[0062]图4是用于说明模式切换动作的时序图。
[0063]图5是示出本实施方式的振荡器的制造方法的一例的流程图。
[0064]图6是第2实施方式的振荡器的功能框图。
[0065]图7是第3实施方式的振荡器的功能框图。
[0066]图8是第4实施方式的振荡器的功能框图。
[0067]图9是第5实施方式的振荡器的仰视图。
[0068]图10是第5实施方式的振荡器的功能框图。
[0069]图11是第6实施方式的振荡器的功能框图。
[0070]图12是第7实施方式的振荡器的功能框图。
[0071]图13是本实施方式的电子设备的功能框图。
[0072]图14是示出本实施方式的电子设备的外观一例的图。
[0073]图15是示出本实施方式的移动体的一例的图。
[0074]图16的㈧是振荡器的剖视图，图16的⑶是振荡器的仰视图。
[0075]标号说明
[0076]I振荡器；2振荡电路；3振子；4封装；5盖；6外部端子(外部电极);7收容室；8密封部件；9电子部件；10振荡部；11双极晶体管；12电阻元件；13开关；14电阻元件；15电容元件；16可变电容元件；17可变电容元件；18恒流源；20控制电压生成电路；21NM0S晶体管；30电压判定电路；31CM0S反相器；40接口电路；50输出缓冲器；53开关；54电阻元件；55电容元件；56可变电容元件；57可变电容元件；60控制电压生成电路；71开关；72开关；300电子设备；310振荡器；312振荡电路；313振子；320CPU ；330操作部；340R0M ；350RAM ；360通信部；370显示部；400移动体；410振荡器；420、430、440控制器；450电池；460备用电池。
【具体实施方式】
[0077]下面，使用附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式不对权利要求书所记载的本发明的内容进行不当的限定。另外，以下说明的全部结构并非是本发明的必须构成要件。
[0078]1.振荡器
[0079]1-1.第I实施方式
[0080]图1以及图2示出本实施方式的振荡器的构造。图1是本实施方式的振荡器的立体图，图2的㈧是图1的A-A’剖视图。另外，图2的⑶是本实施方式的振荡器的仰视图。
[0081]如图1以及图2的(A)所示，本实施方式的振荡器I包含构成振荡电路2的电子部件9、振子3、封装4、盖5、外部端子(外部电极)6。
[0082]作为振子3例如可采用SAW(Surface Acoustic Wave:表面声波)谐振器、AT切石英振子、SC切石英振子、首叉型石英振子、其它压电振子或MEMS(Micro ElectroMechanical Systems:微机电系统)振子等。振子3的基板材料可采用石英、钽酸锂、银酸锂等的压电单结晶、或锆钛酸铅等压电陶瓷之类的压电材料、或硅半导体材料等。振子3的激励手段可采用基于压电效应的方法，也可采用基于库仑力的静电驱动。
[0083]封装4将电子部件9和振子3收容在同一空间内。具体地说，在封装4中设置有凹部，利用盖5覆盖凹部,从而构成收容室7。在封装4的内部或凹部的表面上设置有用于使振荡电路2的两个端子(后述的图3的XO端子以及XI端子)与振子3的两个端子分别电连接的未图示的布线。另外，在封装4的内部或凹部的表面上设置有用于使振荡电路2的各端子与对应的各外部端子6电连接的未图示的布线。
[0084]如图2的⑶所示，本实施方式的振荡器I在底面(封装4的背面)设置有作为电源端子的外部端子VDD1、作为接地端子的外部端子VSS1、作为控制端子的外部端子VCl以及作为输出端子的外部端子OUTl这4个外部端子6。外部端子VDDl被供给电源电压，夕卜部端子VSSl被接地。外部端子VCl被输入频率控制用的信号，从外部端子OUTl输出进行频率控制后的振荡信号。
[0085]图3是第I实施方式的振荡器I的功能框图。如图3所示，振荡器I包含振荡电路2和振子3。振荡电路2例如具有在作为IC芯片的电子部件9的表面上露出的6个端子VDD、VSS、VC、OUT、X0、XI，4 个端子 VDD、VSS、VC、OUT 分别与封装 4 的外部端子 VDDl、VSSl、VCU OUTl连接。另外，XI端子(第I端子的一例)与振子3的一端(一个端子)连接，XO端子(第2端子的一例)与振子3的另一端(另一个端子)连接。
[0086]在本实施方式中，振荡电路2包含振荡部10、控制电压生成电路20、电压判定电路30、接口电路40以及输出缓冲器50。此外，本实施方式的振荡电路2也可以是省略或变更这些要素的一部分或者追加其它要素后的结构。
[0087]振荡部10与XO端子以及XI端子连接，使振子3进行振荡。XI端子与振荡部10的输入端子侧连接，XO端子与振荡部10的输出端子侧连接。
[0088]在本实施方式中，振荡部10包含NPN型的双极晶体管11、电阻元件12、开关13、电阻元件14、电容元件15、可变电容元件16、可变电容元件17以及恒流源18。此外，本实施方式的振荡部10也可以是省略或变更这些要素的一部分或者追加其它要素后的结构。
[0089]恒流源18从VDD端子对双极晶体管11的集电极端子与发射极端子之间供给恒定的电流。
[0090]关于NPN型的双极晶体管11，例如基极端子与XI端子连接，以向基极端子供给来自XI端子的信号，例如集电极端子与XO端子连接，以向XO端子供给来自集电极端子的信号，发射极端子与VSS端子电连接。
[0091]电阻元件12连接在XO端子与XI端子之间，例如，一端(一个端子)与XO端子连接，另一端(另一个端子)与XI端子连接。
[0092]可变电容元件16(第I电子元件的一例)例如一端(一个端子)与XI端子电连接，另一端(另一个端子)与电容元件15的一端(一个端子)电连接，以便经由可变电容元件16向电容元件15供给来自XI端子的信号。可变电容元件17 (第I电子元件的一例)例如一端(一个端子)与XO端子电连接,另一端(另一个端子)与电容兀件15的一端电连接，以便经由可变电容元件17对电容元件15供给来自XI端子的信号。可变电容元件16或可变电容元件17是可利用电压控制来控制电容的种类的元件，可采用变容二极管(还称为可变电容二极管)等。
[0093]电容元件15的一端(一个端子)与可变电容元件16的另一端以及可变电容元件17的另一端电连接，另一端(另一个端子)与VSS端子电连接。
[0094]开关13 (第I开关的一例)连接在控制电压生成电路20与可变电容元件16的另一端以及可变电容元件17的另一端之间，以便限制从控制电压生成电路20对可变电容元件16或可变电容元件17供给的直流信号的大小。例如，开关13的一端(一个端子)与控制电压生成电路20的输出端子连接，另一端(另一个端子)与电阻元件14的一端(一个端子)连接，电阻元件14的另一端(另一个端子)与可变电容元件16的另一端以及可变电容元件17的另一端连接。该开关13控制可变电容元件16的另一端以及可变电容元件17的另一端与控制电压生成电路20的输出端子之间的电连接。即，开关13控制对可变电容元件16的另一端以及可变电容元件17的另一端施加的电压。该开关13也可位于振荡部10的外部。
[0095]在这样构成的振荡部10中，双极晶体管11作为放大元件发挥功能，该放大元件放大从XI端子输入的振子3的输出信号，经由XO端子供给该放大的信号作为振子3的输入信号。此外，振荡部10具备的放大元件可以是PNP型的双极晶体管、场效应晶体管(FET =FieldEffect Transistor)、金属氧化膜型场效应晶体管(MOSFET:Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)、晶闸管等。
[0096]控制电压生成电路20(第I电压产生电路的一例)生成与从VC端子输入的控制信号相应的控制电压。作为这样的控制电压生成电路20，例如可举出生成用于调整Typical (标准)条件下的频率的控制电压的AFC (Automatic Frequency Control:自动频率控制)电路、或生成用于根据外置的温度传感器的输出信号来补偿包含振荡电路2和振子3的频率温度特性的补偿电压的温度补偿电路等。
[0097]此外，控制电压生成电路20也可以生成与振荡电路2的内部信号相应的控制电压。例如，在振荡电路2中内置温度传感器，控制电压生成电路20可以是生成与该内置的温度传感器的输出信号相应的控制电压的温度补偿电路。
[0098]电压判定电路30判定VDD端子的电压是比阈值高还是比阈值低。在本实施方式中，电压判定电路30输出在VDD端子的电压高于阈值时成为高电平、在VDD端子的电压低于阈值时成为低电平的信号。可采用比较器来实现这样的电压判定电路30。
[0099]在电压判定电路30的输出信号成为高电平时，接口电路40接受从外部端子VCl输入的串行时钟信号SCLK和从外部端子OUTl输入的串行数据信号DATA，对未图示的内部寄存器或者内部存储器进行数据的读写。
[0100]输出缓冲器50的输入端子与双极晶体管11的集电极端