；W2 < V3 ^ G2+W2 ；所述第一电压大于所述第一等效二极管的导通压降，且第一电压大于所述第二开关三极管的阈值电压，且第一电压大于所述第一开关三极管的阈值电压。在输入电压为零时，第二开关三极管处于亚阈值状态，但还是截止；而当输入电压从零变为第一电压时，第二开关三极管从亚阈值状态转变为导通，并使得电平转换电路输出电压为0V，从而实现了电压从输入电压的第一电压到输出OV的转换。这样，由于在输入电压为零时，O < VQ2e -VQ2二 < G2，第二开关三极管处于亚阈值状态，所以在输入电压由零变为第一电压时，只要第二开关三极管的第一端电压与栅极电压的差从OV到G2间的一个值变化到大于第二开关三极管的阈值电压G2就可以使得第二开关三极管立即导通，而无需从OV过度至亚阈值状态再到完全导通状态，最终提高了电平转换电路的切换速度。进一步的，根据电容的特征可知，当电容接收到瞬间跳变信号时，具有无延时作用，所以本发明中的第一电容和第二电容在接收到的信号为从零变为第一电压或者从第一电压变为零时，均具有无延时作用，进一步提高了电平转换电路的切换速度。
[0075]在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0076]所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0077]另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理包括，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
[0078]上述以软件功能单元的形式实现的集成的单元，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能单元存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0079]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括:第一等效二极管，第一开关三极管，第二开关三极管，第二等效二极管，第一电容和第二电容； 所述第一等效二极管的阴极与第一参考电压连接，所述第一等效二极管的阳极分别于所述第一开关三极管的栅极连接及所述第一电容的第一端连接；所述第一开关三极管的第一端与第二参考电压连接，所述第一开关三极管的第二端和所述第二开关三极管的第一端均与所述输出电压连接；所述第一电容的第二端和第二电容的第一端均与输入电压连接；所述第二电容的第二端分别与所述第二等效二极管的阴极和所述第二开关三极管的栅极连接；所述第二开关三极管的第二端接地，所述第二等效二极管的阳极与第三参考电压连接；其中，所述输入电压在零与第一电压之间切换； V2-G1-W1 ^ Vl < V2-W1 ；W2 < V3 ^ G2+W2 ;其中，V1、V2、V3 分别是所述第一参考电压、所述第二参考电压、所述第三参考电压；W1为所述第一等效二极管的导通压降，Gl为所述第一开关三极管的阈值电压，G2为所述第二开关三极管的阈值电压，W2为所述第二等效二极管的导通压降；所述第一电压大于所述第一等效二极管的导通压降，且第一电压大于所述第二开关三极管的阈值电压，且第一电压大于所述第一开关三极管的阈值电压； 当所述输入电压为零时，所述第一等效二极管的阳极与阴极截止；所述第二等效二极管的阳极与阴极导通； 当所述输入电压从零变为第一电压时，所述第一等效二极管的阳极与阴极导通；所述第一开关三极管的栅极和第一端的电压差的绝对值不大于所述第一开关三极管的阈值电压，所述第一开关三极管的第一端与第二端截止；所述第二等效二极管的阳极与阴极的电压差不大于所述第二等效二极管的导通压降，所述第二等效二极管的阳极与阴极截止；所述第二开关三极管的栅极和第二端的电压差的绝对值大于所述第二开关三极管的阈值电压，所述第二开关三极管的第一端与第二端导通，使得所述输出电压为零。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于， 当所述输入电压从所述第一电压变为零时，所述第一等效二极管的阳极与阴极的电压差不大于所述第一等效二极管的导通压降，所述第一等效二极管的阳极与阴极截止；所述第一开关三极管的栅极和第一端的电压差的绝对值大于所述第一开关三极管的阈值电压，所述第一开关三极管的第一端与第二端导通；所述第二等效二极管的阳极与阴极的电压差等于所述第二等效二极管的导通压降，所述第二等效二极管处于预导通状态；所述第二开关三极管的栅极和第二端的电压差的绝对值不大于所述第二开关三极管的阈值电压，所述第二开关三极管的第一端与第二端截止，使得所述输出电压为第二参考电压。
3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，Vl= V2-G1-W1 ；V3 = G2+W2。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括:反相器；所述反相器的输出端与所述输入电压连接； 所述反相器，用于输出所述输入电压。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一等效二极管包括第一P型金属-氧化物-半导体PMOS管； 所述第一 PMOS管的栅极和漏极连接作为所述第一等效二极管的阴极，所述第一 PMOS管的源极作为所述第一等效二极管的阳极。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一开关三极管包括:第二PMOS管； 所述第二 PMOS管的栅极作为所述第一开关三极管的栅极，所述第二 PMOS管的源极作为所述第一开关三极管的第一端；所述第二 PMOS管的漏极作为所述第一开关三极管的第_-丄山一栖。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二开关三极管包括第一N型金属-氧化物-半导体NMOS管； 所述第一 NMOS管的漏极作为所述第二开关三极管的第一端；所述第一 NMOS管的源极作为所述第二开关三极管的第二端；所述第一 NMOS管的栅极作为所述第二开关三极管的栅极。
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二等效二极管包括:第二NMOS管； 所述第二 NMOS管的源极作为所述第二等效二极管的阴极；所述第二 NMOS管的栅极和漏极连接作为所述第二等效二极管的阳极。
9.根据权利要求6-8任一项所述的电路，其特征在于，所述第一电容的容值减所述第二 PMOS管的栅极的寄生电容的容值小于预设值；所述第二电容的容值减所述第一 NMOS管的栅极的寄生电容的容值小于所述预设值；所述预设值大于零。
10.一种电子设备，其特征在于，包括上述权利要求1-9任一项所述的电平转换电路。
【专利摘要】本发明提供一种电平转换电路及装置，用于提高电平转换电路的转换速度。该电路为第一等效二极管的阴极与第一参考电压连接，第一等效二极管的阳极分别于第一开关三极管的栅极连接及第一电容的第一端连接；第一开关三极管的第一端与第二参考电压连接，第一开关三极管的第二端和第二开关三极管的第一端均与输出电压连接；第一电容的第二端和第二电容的第一端均与输入电压连接；第二电容的第二端分别与第二等效二极管的阴极和第二开关三极管的栅极连接；第二开关三极管的第二端接地，第二等效二极管的阳极与第三参考电压连接，其中，V2-G1-W1≤V1<V2-W1；W2＜V3≤G2+W2。
【IPC分类】H03K19-0175
【公开号】CN104868904
【申请号】CN201510287692
【发明人】杨金达, 周立人
【申请人】华为技术有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月29日