一种低噪音pssr放大器电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种低噪音PSSR放大器电路，属于集成电子电路设计领域。
【背景技术】
[0002]CMOS放大器设计中低噪声一直是设计的难点。CMOS器件中包含了热噪声和闪烁噪声，为了高增益，宽输入共模，第一级运放中通常应用折叠式共源共栅设计，这种设计中电流源噪声在噪声列表中占比很大，增长其面积和较少跨导都需要付出性能代价及提高成本。
【发明内容】
[0003]鉴于上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提出一种低噪音PSSR放大器电路。
[0004]为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为:一种低噪音PSSR放大器电路，由共源相接的电流源、第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器相接构成，其中所述电流源为由场效应管P2、场效应管P3、场效应管P6、场效应管P7、场效应管N5、场效应管N6组成的共源共栅电流源且接设有负载，所述第一级放大器具有由场效应管Ml和场效应管M2组成的差分对管，
特别地，所述负载由电阻Rl和电阻R2组成，
所述电阻Rl的一端接Vss电位点，电阻Rl的另一端与场效应管N5的源极及场效应管Ml的漏极相耦接，
所述电阻R2的一端接Vss点位点，电阻R2的另一端与场效应管N6的源极及场效应管M2的漏极相耦接，
所述场效应管N5和场效应管N6的共栅极与场效应管N5的漏极相连，且两个场效应管的漏极分别接入第二级放大器的差分输入端。
[0005]进一步地，所述电流源中，场效应管P2与场效应管P3共源共栅相连，场效应管P2的漏极与场效应管P6的源极相耦接，场效应管P6的漏极与场效应管N5的漏极相耦接，场效应管P3的漏极与场效应管P7的源极相耦接，场效应管P7的漏极与场效应管N6的漏极相耦接，场效应管P6与场效应管P7共栅相连，场效应管N5与场效应管N6共栅相连。
[0006]进一步地，所述第一级放大器还包括场效应管Pl，所述场效应管Pl的漏极与场效应管Ml、场效应管M2的共源极相耦接。
[0007]进一步地，所述第二级放大器包括场效应管P4、场效应管N7、场效应管N8、场效应管M21和场效应管M22，所述场效应管P4的漏极与场效应管M21、场效应管M22的共源极相耦接，所述场效应管M21的栅极与场效应管P7、场效应管N6的共漏极相耦接，场效应管M21的漏极与场效应管N7的漏极、场效应管N7和场效应管NS的共栅极相耦接，所述场效应管M22的栅极与场效应管P6的漏极和场效应管N5的共漏极、场效应管N5和场效应管N6的共栅极相耦接，场效应管M22的漏极与场效应管N8的漏极相耦接，所述场效应管N7与场效应管N8的源极连接Vss电位点。
[0008]进一步地，所述第三级放大器包括共漏相连的场效应管P5和场效应管M3，所述场效应管M3的栅极与场效应管M22和场效应管N8的共漏极相耦接，且场效应管M3的源极接Vss电位点。
[0009]本发明的有益效果:负载采用并联的电阻，改善了噪音系数，具有低噪音的特点，显著提高了电路的电源抑制比，且成本低廉。
【附图说明】
[0010]图1是本发明一种低噪音PSSR放大器电路的示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示，一种低噪音PSSR放大器电路，由共源相接的电流源、第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器相接构成，其中电流源为由场效应管P2、场效应管P3、场效应管P6、场效应管P7、场效应管N5、场效应管N6组成的共源共栅电流源且接设有负载，第一级放大器具有由场效应管Ml和场效应管M2组成的差分对管，负载由电阻Rl和电阻R2组成，电阻Rl与电阻R2为并联结构，电阻的噪声特性比MOS器件好，所以负载能实现低噪音，电阻Rl的一端接Vss电位点，电阻Rl的另一端与场效应管N5的源极及场效应管Ml的漏极相耦接，电阻R2的一端接Vss点位点，电阻R2的另一端与场效应管N6的源极及场效应管M2的漏极相耦接，场效应管N5和场效应管N6的共栅极与场效应管N5的漏极相连，且两个场效应管的漏极分别接入第二级放大器的差分输入端，场效应管N5和场效应管N6的共栅极利用二极管连接的方式，能消除电源噪声影响。
[0012]细化本发明的电流源，场效应管P2与场效应管P3共源共栅相连，场效应管P2的漏极与场效应管P6的源极相耦接，场效应管P6的漏极与场效应管N5的漏极相耦接，场效应管P3的漏极与场效应管P7的源极相耦接，场效应管P7的漏极与场效应管N6的漏极相耦接，场效应管P6与场效应管P7共栅相连，场效应管N5与场效应管N6共栅相连。
[0013]对第一级放大器进行优化，第一级放大器还包括场效应管Pl，场效应管Pl的漏极与场效应管Ml、场效应管M2的共源极相耦接。
[0014]对第二级放大器进行优化，第二级放大器包括场效应管P4、场效应管N7、场效应管N8、场效应管M21和场效应管M22，场效应管P4的漏极与场效应管M21、场效应管M22的共源极相耦接，场效应管M21的栅极与场效应管P7、场效应管N6的共漏极相耦接，场效应管M21的漏极与场效应管N7的漏极、场效应管N7和场效应管N8的共栅极相耦接，场效应管M22的栅极与场效应管P6的漏极和场效应管N5的共漏极、场效应管N5和场效应管N6的共栅极相耦接，场效应管M22的漏极与场效应管NS的漏极相耦接，所述场效应管N7与场效应管N8的源极连接Vss电位点。
[0015]对第三级放大器进行优化，第三级放大器包括共漏相连的场效应管P5和场效应管M3，所述场效应管M3的栅极与场效应管M22和场效应管NS的共漏极相耦接，且场效应管M3的源极接Vss电位点。
[0016]除上述实施例外，本发明还可以有其它实施方式，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明所要求保护的范围之内。
【主权项】
1.一种低噪音PSSR放大器电路，由共源相接的电流源、第一级放大器、第二级放大器和第三级放大器相接构成，其中 所述电流源为由场效应管P2、场效应管P3、场效应管P6、场效应管P7、场效应管N5、场效应管N6组成的共源共栅电流源且接设有负载，所述第一级放大器具有由场效应管Ml和场效应管M2组成的差分对管， 其特征在于:所述负载由电阻Rl和电阻R2组成， 所述电阻Rl的一端接Vss电位点，电阻Rl的另一端与场效应管N5的源极及场效应管Ml的漏极相耦接， 所述电阻R2的一端接Vss点位点，电阻R2的另一端与场效应管N6的源极及场效应管M2的漏极相耦接， 所述场效应管N5和场效应管N6的共栅极与场效应管N5的漏极相连，且两个场效应管的漏极分别接入第二级放大器的差分输入端。2.根据权利要求1所述的一种低噪音PSSR放大器电路，其特征在于:所述电流源中，场效应管P2与场效应管P3共源共栅相连，场效应管P2的漏极与场效应管P6的源极相耦接，场效应管P6的漏极与场效应管N5的漏极相耦接，场效应管P3的漏极与场效应管P7的源极相耦接，场效应管P7的漏极与场效应管N6的漏极相耦接，场效应管P6与场效应管P7共栅相连，场效应管N5与场效应管N6共栅相连。3.根据权利要求1所述的一种低噪音PSSR放大器电路，其特征在于:所述第一级放大器还包括场效应管P1，所述场效应管Pl的漏极与场效应管M1、场效应管M2的共源极相耦接。4.根据权利要求1所述的一种低噪音PSSR放大器电路，其特征在于:所述第二级放大器包括场效应管P4、场效应管N7、场效应管N8、场效应管M21和场效应管M22，所述场效应管P4的漏极与场效应管M21、场效应管M22的共源极相耦接，所述场效应管M21的栅极与场效应管P7、场效应管N6的共漏极相耦接，场效应管M21的漏极与场效应管N7的漏极、场效应管N7和场效应管NS的共栅极相耦接，所述场效应管M22的栅极与场效应管P6的漏极和场效应管N5的共漏极、场效应管N5和场效应管N6的共栅极相耦接，场效应管M22的漏极与场效应管N8的漏极相耦接，所述场效应管N7与场效应管N8的源极连接Vss电位点。5.根据权利要求1所述的一种低噪音PSSR放大器电路，其特征在于:所述第三级放大器包括共漏相连的场效应管P5和场效应管M3，所述场效应管M3的栅极与场效应管M22和场效应管N8的共漏极相耦接，且场效应管M3的源极接Vss电位点。
【专利摘要】本发明揭示了一种低噪音PSSR放大器电路，由共源相接的电流源、三级放大器相接构成，其中电流源为由场效应管P2、P3、P6、P7、N5、N6组成的共源共栅电流源且接设有负载，第一级放大器具有由场效应管M1、M2组成的差分对管，负载由电阻R1、R2组成，电阻R1的一端接VSS电位点，电阻R1的另一端与场效应管N5的源极及场效应管M1的漏极相耦接，电阻R2的一端接VSS点位点，电阻R2的另一端与场效应管N6的源极及场效应管M2的漏极相耦接，场效应管N5、N6的共栅极与场效应管N5的漏极相连，两个场效应管的漏极分别接入第二级放大器的差分输入端。本发明的有益效果，负载采用并联的电阻，改善了噪音系数，具有低噪音的特点，显著提高了电路的电源抑制比，且成本低廉。
【IPC分类】H03F1/26
【公开号】CN104901635
【申请号】CN201510313431
【发明人】何德军
【申请人】思瑞浦微电子科技（苏州）有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月10日