开关S2B的控制，所述Q非端输出的频率信号连接到所述第二开关SlB和所述第三开关S2的控制端实现对所述第二开关SlB和所述第三开关S2的控制。
[0026]第二电流路径和第三电流路，所述第二电流路径包括第二电流源和第一 MOS晶体管NI，所述第三电流路径包括第三电流源和第二 MOS晶体管N2。
[0027]所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源互为镜像电流。
[0028]所述第一 MOS晶体管NI的漏极、栅极和所述第二 MOS晶体管N2的栅极连接在一起，所述第一 MOS晶体管NI的源极连接到所述公共端，所述第二 MOS晶体管N2的源极通过第一电阻Rl连接到所述公共端，所述第一电阻Rl的值为1ΜΩ。所述第一 MOS晶体管NI的漏极连接所述第二电流源，所述第二 MOS晶体管N2的漏极连接所述第三电流源，由所述第一MOS晶体管NI和所述第二 MOS晶体管N2的栅源电压差除以所述第一电阻Rl的值确定所述第三电流源的大小；所述第一 MOS晶体管NI的栅极作为所述比较电压VREF的输出端，所述比较电压VREF由所述第一 MOS晶体管NI的栅源电压确定。
[0029]本发明实施例中，所述第一 MOS晶体管NI为NMOS管，所述第二 MOS晶体管N2为NMOS管，所述公共端为接地端。
[0030]所述第一电流源包括第一 PMOS管P4，所述第二电流源包括第二 PMOS管P1，所述第三电流源包括第三PMOS管P2 ;所述第一 PMOS管P4的栅极、所述第二 PMOS管Pl的栅极和所述第三PMOS管P2的栅极和漏极连接在一起；所述第一 PMOS管P4的源极、所述第二PMOS管Pl的源极和所述第三PMOS管P2的源极都接电源电压；所述第一 PMOS管P4的漏极为所述第一镜像电流的输出端；所述第二 PMOS管Pl的漏极为所述第二镜像电流的输出端；所述第三PMOS管P2的漏极为所述第三镜像电流的输出端。
[0031]比较图1和图2所示可知，本发明直接采用NMOS管NI的栅源电压作为比较电压VREF，而图1中需要采用虚线框201所示的电流路径来形成参考电压VREF，电阻R2为兆欧级，所以本发明实施例能节约采用兆欧级电阻所占用的面积以及增加的电流路径所带来的功耗，所以本发明能够使功耗和面积都得到降低。
[0032]MOS晶体管的类型做相应的变换，能够推导出其他实现方式，如再其它实施例中，也能为:
[0033]所述第一 MOS晶体管NI为PMOS管，所述第二 MOS晶体管N2为PMOS管，所述公共端为电源电压端。
[0034]所述第一电流源包括第一 NMOS管，所述第二电流源包括第二 NMOS管，所述第三电流源包括第三NMOS管；所述第一 NMOS管的栅极、所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极连接在一起；所述第一 NMOS管的源极、所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极都接地；所述第一 NMOS管的漏极为所述第一镜像电流的输出端；所述第二NMOS管的漏极为所述第二镜像电流的输出端；所述第三NMOS管的漏极为所述第三镜像电流的输出端。
[0035]以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种振荡器，其特征在于，包括: 第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端通过第一开关接第一电流源、所述第一电容的第一端和第二端通过第二开关连接，所述第二电容的第一端通过第三开关接第一电流源、所述第二电容的第一端和第二端通过第四开关连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端都连接到公共端； 第一比较器和第二比较器，所述第一比较器的第一输入端连接所述第一电容的第一端，所述第二比较器的第一输入端连接所述第二电容的第一端；所述第一比较器的第二输入端和所述第一比较器的第二输入端都连接一比较电压； RS触发器，所述RS触发器的S端连接所述第一比较器的输出端，所述RS触发器的R端连接到所述第二比较器的输出端，所述RS触发器的Q端和Q非端分别输出频率信号，所述Q端输出的频率信号连接到所述第一开关和所述第四开关的控制端实现对所述第一开关和所述第四开关的控制，所述Q非端输出的频率信号连接到所述第二开关和所述第三开关的控制端实现对所述第二开关和所述第三开关的控制； 第二电流路径和第三电流路，所述第二电流路径包括第二电流源和第一 MOS晶体管，所述第三电流路径包括第三电流源和第二 MOS晶体管； 所述第一电流源、所述第二电流源和所述第三电流源互为镜像电流； 所述第一MOS晶体管的漏极、栅极和所述第二MOS晶体管的栅极连接在一起，所述第一MOS晶体管的源极连接到所述公共端，所述第二 MOS晶体管的源极通过第一电阻连接到所述公共端，所述第一 MOS晶体管的漏极连接所述第二电流源，所述第二 MOS管的漏极连接所述第三电流源，由所述第一 MOS晶体管和所述第二 MOS晶体管的栅源电压差除以所述第一电阻的值确定所述第三电流源的大小；所述第一 MOS晶体管的栅极作为所述比较电压的输出端，所述比较电压由所述第一 MOS晶体管的栅源电压确定。2.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于:所述第一MOS晶体管为NMOS管，所述第二 MOS管为NMOS管，所述公共端为接地端。3.如权利要求2所述的振荡器，其特征在于:所述第一电流源包括第一PMOS管，所述第二电流源包括第二 PMOS管，所述第三电流源包括第三PMOS管； 所述第一 PMOS管的栅极、所述第二 PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和漏极连接在一起； 所述第一 PMOS管的源极、所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极都接电源电压； 所述第一 PMOS管的漏极为所述第一镜像电流的输出端；所述第二 PMOS管的漏极为所述第二镜像电流的输出端；所述第三PMOS管的漏极为所述第三镜像电流的输出端。4.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于:所述第一MOS晶体管为PMOS管，所述第二MOS管为PMOS管，所述公共端为电源电压端。5.如权利要求4所述的振荡器，其特征在于:所述第一电流源包括第一NMOS管，所述第二电流源包括第二 NMOS管，所述第三电流源包括第三NMOS管； 所述第一 NMOS管的栅极、所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极连接在一起； 所述第一 NMOS管的源极、所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极都接地； 所述第一 NMOS管的漏极为所述第一镜像电流的输出端；所述第二 NMOS管的漏极为所述第二镜像电流的输出端；所述第三NMOS管的漏极为所述第三镜像电流的输出端。6.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于:所述第一电阻的值为IM Ω。
【专利摘要】本发明公开了一种振荡器，包括：两个电容和两个比较器和一个RS触发器，通过开关控制电容的充放电，第一电流源为电容的充电电流源，第一电流源为第二电流路径和第三电流路的镜像电流，比较电压由第二电流路径的第一MOS晶体管的栅源电压确定，由第一MOS晶体管和第三电流路的第二MOS晶体管的栅源电压差除以第三电流路的第一电阻的值确定第三电流源的大小进而确定第一电流源的电流大小。本发明电容的充分电的比较电压直接采用电流源路径中的MOS晶体管的栅源电压，能够使功耗和面积都得到降低。
【IPC分类】H03K3/012, H03K3/02
【公开号】CN105187030
【申请号】CN201510458486
【发明人】袁志勇, 唐成伟, 张斌
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年7月30日