F~3pF之间。
[0014] 在本实施例中，功率放大器200在操作上为AB类功率放大器，亦即在增益级电路 中，可藉由控制N型电晶体丽3、MN4与P型电晶体MP3、MP4的栅极偏压以使得功率放大器 200在操作上为AB类功率放大器。另一方面，功率放大器200的增益级电路在实作上有许 多种方式，而并不限于图2所示的电路架构。
[0015] 当功率放大器200在操作上为AB类功率放大器的时候，增益级电路所产生的第一 对控制信号Ctrl_Pl、Ctrl_Nl及第二对控制信号Ctrl_P2、Ctrl_N2会大幅地晃动，此时电 容C1、C2可以让第一对控制信号Ctrl_Pl、Ctrl_Nl及第二对控制信号Ctrl_P2、Ctrl_N2中 高频的部分的操作接近于A类功率放大器的操作，以达到压制共模噪声的效果，但是相较 于传统的A类放大器可以节省较多的电力。在一模拟结果中，假设电容Cl、C2的电容值为 lpF，则功率放大器200的共模噪声可以降低10~20dB。
[0016] 另外，图2所示的功率放大器200为一差动架构，但此仅为一范例说明，本领域具 有通常知识者应能了解到本发明亦可应用于单端输入的电路架构中（类似于图1的说明）。
[0017] 简要归纳本发明，在本发明的功率放大器中，在输出级电路的N型电晶体与P型电 晶体的两个栅极之间设置一具有较大电容值的电容，以使得功率放大器可以在不增加功率 消耗的情形下压制共模噪声，并解决先前技术的问题。
[0018] 以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与 修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
[0019] 【符号说明】
[0020]
【主权项】
1. 一种功率放大器，包含有： 一增益级电路，用以接收至少一第一输入信号以产生一第一对控制信号； 一输出级电路，具有一第一端点以及一第二端点以接收所述第一对控制信号，并根据 所述第一对控制信号产生一第一输出信号；以及 一第一电容，耦接于所述第一端点及所述第二端点之间。2. 根据权利要求1所述的功率放大器，其中所述输出级电路包含有： 一P型电晶体；以及 一N型电晶体，其中所述N型电晶体的漏极连接到所述P型电晶体的漏极； 其中所述P型电晶体与所述N型电晶体的栅极分别作为所述第一端点及所述第二端点 以接收所述第一对控制信号，所述N型电晶体的漏极用来输出所述第一输出信号，且所述 第一电容设置于所述P型电晶体与所述N型电晶体的栅极之间。3. 根据权利要求1所述的功率放大器，其中所述第一电容的电容值大于500fF。4. 根据权利要求1所述的功率放大器，其中所述增益级电路接收所述第一输入信号与 一第二输入信号以产生所述第一对控制信号与一第二对控制信号，且所述输出级电路另具 有一第三端点以及一第四端点以接收所述第二对控制信号以产生一第二输出信号，所述第 一输入信号与所述第二输入信号为一差动输入，且所述第一输出信号与所述第二输出信号 为一差动输出，以及所述功率放大器另包含有： 一第二电容，耦接于所述第三端点以及所述第四端点之间。5. 根据权利要求4所述的功率放大器，其中所述输出级电路包含有： 一第一p型电晶体； 一第一N型电晶体，其中所述第一N型电晶体的漏极连接到所述第一P型电晶体的 漏极，所述第一P型电晶体与所述第一N型电晶体的栅极分别作为所述第一端点及所述第 二端点以接收所述第一对控制信号，所述第一N型电晶体的漏极用来输出所述第一输出信 号； 一第二P型电晶体；以及 一第二N型电晶体，其中所述第二N型电晶体的漏极连接到所述第二P型电晶体的 漏极，所述第二P型电晶体与所述第二N型电晶体的栅极分别作为所述第三端点及所述第 四端点以接收所述第二对控制信号，所述第二N型电晶体的漏极用来输出所述第二输出信 号。6. 根据权利要求1所述的功率放大器，其中所述第一电容与所述第二电容的电容值均 大于500fF。7. 根据权利要求1所述的功率放大器，为一AB类放大器。8. -种AB类功率放大器，包含有： 一增益级电路，用以接收一第一输入信号与一第二输入信号以产生一第一对控制信号 与一第二对控制信号，其中所述第一输入信号与所述第二输入信号为一差动输入； 一输出级电路，具有一第一端点以及一第二端点以接收所述第一对控制信号，并根据 所述第一对控制信号产生一第一输出信号；所述输出级电路另具有一第三端点以及一第四 端点以接收所述第二对控制信号，并根据所述第二对控制信号产生一第二输出信号，其中 所述第一输出信号与所述第二输出信号为一差动输出； 一第一电容，耦接于所述第一端点及所述第二端点之间；以及 一第二电容，耦接于所述第三端点及所述第四端点之间。9. 根据权利要求8所述的功率放大器，其中所述输出级电路包含有： 一第一p型电晶体； 一第一N型电晶体，其中所述第一N型电晶体的漏极连接到所述第一P型电晶体的漏 极，所述第一P型电晶体与所述第一N型电晶体的栅极分别作为所述第一端点及所述第二 端点以接收所述第一对控制信号，且所述第一N型电晶体的漏极用来输出所述第一输出信 号； 一第二P型电晶体；以及 一第二N型电晶体，其中所述第二N型电晶体的漏极连接到所述第二P型电晶体的 漏极，所述第二P型电晶体与所述第二N型电晶体的栅极分别作为所述第三端点及所述第 四端点以接收所述第二对控制信号，所述第二N型电晶体的漏极用来输出所述第二输出信 号。10. 根据权利要求8所述的功率放大器，其中所述第一电容与所述第二电容的电容值 均大于500fF。
【专利摘要】一种功率放大器包含有一增益级电路、一输出级电路以及一第一电容，其中所述增益级电路用以接收至少一第一输入信号以产生一第一对控制信号，所述输出级电路具有一第一端点以及一第二端点以接收所述第一对控制信号，并根据所述第一对控制信号产生一第一输出信号，且所述第一电容耦接于所述第一端点及所述第二端点之间。
【IPC分类】H03F3/20, H03F3/45
【公开号】CN105305987
【申请号】CN201410310902
【发明人】吴健铭
【申请人】瑞昱半导体股份有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年6月30日