[0023]如图2所示，所述变速控制电路包括:电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q2、稳压二极管D1、电容Cl、及电阻R4，所述电阻Rl的一端、电容Cl的一端、及功率MOSFET的源极为所述变速控制电路的输入端用于连接所述供电电源，所述电阻Rl的另一端分别连接三极管Q2的发射极、电阻R2的一端、稳压二极管Dl的负极，所述三极管Q2的基极分别连接电阻R2的另一端、电阻R3的一端，所述稳压二极管Dl的正极分别连接电容Cl的另一端、电阻R4的一端、三极管Q2的集电极、及所述功率MOSFET的栅极，所述功率MOSFET的漏极连接所述容性负载，所述电阻R3的另一端连接所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R4的另一端接地。
[0024]如图2所示，所述逻辑控制电路包括:电阻R5、电阻R6、三极管Q3，所述电阻R5的一端为所述逻辑控制电路的输入端用于连接外界的使能信号源，所述电阻R5的另一端分别连接电阻R6的一端、及三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极为所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R6的另一端连接三极管Q3的发射极且接地。
[0025]需要说明的是，在本技术方案中，所述功率MOSFET为常见的P沟道型晶体管，为PMOS晶体管中的常用型号，如:2SJ143、2SJ136、2SJ122、2SJ118。所述三极管Q2为PNP型三极管，所述三极管Q3为NPN型三极管。
[0026]在所述变速控制电路中，稳压二极管Dl构成变速控制电路的保护电路，保护电平可由稳压二极管Dl选型来灵活设置，三极管Q2用来加速功率MOSFET的快速关断功能。电容Cl和电阻R4组成控制功率MOSFET的软开启特性，改变功率MOSFET的输出特性，软开启参数可由电阻R4和电容Cl来设置，设置方法参考如下公式:
[0027]ton = -R4*CI*Ln[(VCC-VDI)/VCC]
[0028]其中，VDl为稳压二极管Dl的电压，VCC为麻醉机供电电源的电压。可通过ton的参数来设定功率MOSFET的输出特性，从而可以避免开启的瞬间由于负载电容瞬态短路造成功率MOSFET导通短路情况出现。
[0029]本发明所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路的工作过程如下:首先，外界使能信号源发送关闭功率MOSFET的信号给逻辑控制电路，所述逻辑控制电路控制功率MOSFET导通，同时，所述变速控制电路能够控制功率MOSFET的功率输出特性，实现软启动，能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击；外界使能信号源发送断开功率MOSFET的信号给逻辑控制电路，所述逻辑控制电路控制功率MOSFET截止，同时，所述变速控制电路能够控制功率MOSFET加速关闭麻醉机供电电源。
[0030]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，包括:变速控制电路和逻辑控制电路； 所述变速控制电路的输入端连接供电电源，所述变速控制电路的输出端连接用于控制麻醉机供电电源的功率M0SFET，所述功率MOSFET连接容性负载； 所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源用于接收使能信号，所述逻辑控制电路的输出端通过所述逻辑控制电路连接功率M0SFET，用于控制功率MOSFET的导通和截止; 当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET导通时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET软开启输出特性；当所述逻辑控制电路控制所述功率MOSFET截止时，所述变速控制电路用于控制功率MOSFET极速关闭麻醉机供电电源。2.根据权利要求1所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，所述变速控制电路包括:电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q2、稳压二极管D1、电容Cl、及电阻R4，所述电阻Rl的一端、电容Cl的一端、及功率MOSFET的源极为所述变速控制电路的输入端用于连接所述供电电源，所述电阻Rl的另一端分别连接三极管Q2的发射极、电阻R2的一端、稳压二极管Dl的负极，所述三极管Q2的基极分别连接电阻R2的另一端、电阻R3的一端，所述稳压二极管Dl的正极分别连接电容Cl的另一端、电阻R4的一端、三极管Q2的集电极、及所述功率MOSFET的栅极，所述功率MOSFET的漏极连接所述容性负载，所述电阻R3的另一端连接所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R4的另一端接地。3.根据权利要求2所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括:电阻R5、电阻R6、三极管Q3，所述电阻R5的一端为所述逻辑控制电路的输入端用于连接外界的使能信号源，所述电阻R5的另一端分别连接电阻R6的一端、及三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极为所述逻辑控制电路的输出端，所述电阻R6的另一端连接三极管Q3的发射极且接地。4.根据权利要求3所述的一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路，其特征在于，所述功率MOSFET为PMOS晶体管，所述三极管Q2为PNP型三极管，所述三极管Q3为NPN型三极管。
【专利摘要】本发明涉及一种麻醉机功率MOSFET容性负载的保护电路。其包括：变速控制电路和逻辑控制电路，所述变速控制电路连接用于控制麻醉机供电电源的功率MOSFET，所述功率MOSFET连接容性负载，所述逻辑控制电路的输入端连接外界的使能信号源，其输出端通过变速控制电路连接功率MOSFET。当逻辑控制电路控制功率MOSFET导通时，通过变速控制电路能够控制功率MOSFET的软启动功率输出特性，能够大大减小MOSFET导通瞬间大电流对容性负载的冲击；当逻辑控制电路控制功率MOSFET截止时，通过变速控制电路能够控制功率MOSFET加速关闭麻醉机供电电源。本发明可以通过改变加速控制电路中元器件的参数实现任意配置功率MOSFET的软启动特性，而且可以保证极速关闭麻醉机供电电源，具有电路结构简单、功耗低的优点。
【IPC分类】H03K17/567
【公开号】CN105577154
【申请号】CN201410542302
【发明人】聂培军
【申请人】北京谊安医疗系统股份有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月14日