一种高稳定性石英晶体谐振器的制造方法

文档序号:8597349阅读:246来源:国知局
一种高稳定性石英晶体谐振器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶体谐振器领域,具体是一种高稳定性石英晶体谐振器。
【背景技术】
[0002]随着通讯、车载、办公自动化、消费电子等电子终端产品的小型化、便携化的发展,石英晶体元器件的发展趋势也向小尺寸、低缺陷、表贴化、集成化和高稳定性方向发展。然而石英晶体谐振器的震荡频率具有温度特性,根据温度的不同而变化,普通的石英晶体谐振器,震荡频率会随温度的变化而波动,工作频率不稳定;另外,使用外部电路负载,其负载电容的大小偏差或负载电容与线路板间的杂散电容直接影响到石英晶体谐振器的频率,不利于石英晶体谐振器向小型化和高稳定性发展。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的是针对现有技术的不足,提供一种高稳定性石英晶体谐振器,该谐振器利用热敏电阻对震荡信号进行补偿,并利用内置压敏电容减少外部电容大小偏差,降低负载电容与线路板间杂散电容对频率的影响。
[0004]本实用新型采用以下技术方案实现:
[0005]一种高稳定性石英晶体谐振器,包括基座、石英晶片、金属盖板,其特征在于:基座上设有三个相互隔离的腔体,腔体内设有导电胶涂覆区域,石英晶片、热敏电阻、压敏电容分别置于三个腔体内,通过导电胶与导电胶涂覆区域连接导通。
[0006]本实用新型基座通过金属盖板封装。
[0007]本实用新型采用热敏电阻对震荡信号进行补偿,并利用内置压敏电容减少外部电容大小偏差,并降低负载电容与线路板间杂散电容对频率的影响,有利于石英晶体谐振器向小型化和高稳定性发展。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面参照图1对本实用新型的【具体实施方式】做进一步说明。
[0010]如图1所示,一种高稳定性石英晶体谐振器,包括基座1、石英晶片7、热敏电阻10、压敏电容14和金属盖板15,所述基座上设有第一腔体2、第二腔体3和第三腔体4,所述第一腔体2内设置有第一导电胶涂覆区域5和晶片缓冲托台6,石英晶片7通过第一导电胶8与第一导电胶涂覆区域5连接;所述第二腔体3内设置有第二导电胶涂覆区域9,热敏电阻10通过第二导电胶11与第二导电胶涂覆区域9连接,所述第三腔体4内设置有第三导电胶涂覆区域12,压敏电容14通过第三导电胶13与第三导电胶涂覆区域12连接。所述第一腔体2上通过金属盖板15封装。
[0011]本实用新型所述石英晶片7的上表面与下表面以及侧面均设有镀膜层。
[0012]本实用新型所述基座I的第一腔体2、第二腔体3、第三腔体4分离设置,高温时各腔体内的导电胶挥发的气体互不影响。
[0013]本实用新型所述的热敏电阻10、压敏电容14均呈板状。
【主权项】
1.一种高稳定性石英晶体谐振器,包括基座、石英晶片、金属盖板,其特征在于:基座上设有三个相互隔离的腔体,腔体内设有导电胶涂覆区域,石英晶片、热敏电阻、压敏电容分别置于三个腔体内,通过导电胶与导电胶涂覆区域连接导通。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定性石英晶体谐振器,其特征在于,所述基座上设有第一腔体(2)、第二腔体(3)和第三腔体(4),所述第一腔体(2)内设置有第一导电胶涂覆区域(5)和晶片缓冲托台(6),石英晶片(7)通过第一导电胶⑶与第一导电胶涂覆区域(5)连接;所述第二腔体(3)内设置有第二导电胶涂覆区域(9),热敏电阻(10)通过第二导电胶(11)与第二导电胶涂覆区域(9)连接,所述第三腔体⑷内设置有第三导电胶涂覆区域(12),压敏电容(14)通过第三导电胶(13)与第三导电胶涂覆区域(12)连接。
3.根据权利要求1所述的一种高稳定性石英晶体谐振器,其特征在于,所述基座通过金属盖板封装。
4.根据权利要求1所述的一种高稳定性石英晶体谐振器,其特征在于,所述石英晶片的上表面与下表面以及侧面均设有镀膜层。
5.根据权利要求1所述的一种高稳定性石英晶体谐振器,其特征在于,所述的热敏电阻和压敏电容均呈板状。
【专利摘要】本实用新型涉及石英晶体谐振器领域,具体是一种高稳定性石英晶体谐振器,包括基座、石英晶片、金属盖板,其特征在于:基座上设有三个相互隔离的腔体,腔体内设有导电胶涂覆区域,石英晶片、热敏电阻、压敏电容分别置于三个腔体内,通过导电胶与导电胶涂覆区域连接导通。本实用新型采用热敏电阻对震荡信号进行补偿,并利用内置压敏电容减少外部电容大小偏差,并降低负载电容与线路板间杂散电容对频率的影响,有利于石英晶体谐振器向小型化和高稳定性发展。
【IPC分类】H03H9-19, H03H9-02
【公开号】CN204304951
【申请号】CN201520009057
【发明人】廖其飞, 王臻, 辜批林, 吴宗泽, 林土全, 潘春琴, 施俊妍
【申请人】浙江东晶电子股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月7日
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