连接所述第二十五场效应管M25的源极和所述第二十一场效应管M21的漏极;所述第二十四场效应管M24的漏极和所述第二十五场效应管M25的漏极连接，并输出开关控制信号。
[0034]所述缓冲电容单元包括:延迟单元和电容单元，所述延迟单元用于在LED驱动芯片温度突然升高时，推迟所述开关控制单元执行关闭操作的时间；所述电容单元用于滤除杂波，使所述过温调节电路的电流稳定。
[0035]所述线性电流输出调节单元包括第二十场效应管M20，所述第二十场效应管M20的源极接地，栅极连接到所述比较单元的输出端，漏极输出线性电流。
[0036]本实用新型通过简单的多个场效应管之间的连接即可实现LED驱动芯片的过温调节，结构简单，成本低廉。
[0037]请参见图3，图3是本实用新型过温调节电路中温度保护点与RTH电阻之间的关系图。如图3所示，在过温调节电阻RTH的阻值上升时，过温保护点的温度也在升高，二者是正相关的关系。这样，在LED驱动电路中进行过温调节时，只需对过温调节电阻RTH进行调节就能实现过温保护点的改变，调节简单方便，而且成本低廉。
[0038]请参见图4，图4是本实用新型过温调节电路中LED驱动芯片温度T与基准电压V之间的关系图。如图4所示，设定过温调节电路的基准电压工作在电压Vl，当LED驱动芯片工作时的温度升至Tl时，负温度系数电压产生单元产生的电压(K1、K2、K3所在的倾斜线)与基准电压Vl在Kl处相等，之后LED驱动电路停止工作;改变基准电压，将基准电压从Vl降为V2(其中，Vl大于V2)时，当LED驱动芯片的温度上升至比温度Tl更高的温度T2处时，此时，负温度系数电压产生单元产生的电压(K1、K2、K3所在的倾斜线)与基准电压V2在K2处相等，之后LED驱动电路停止工作;改变基准电压，将基准电压从V2降为V3(其中，V2大于V3)时，当LED驱动芯片的温度上升至比温度T2更高的温度T3处时，此时，负温度系数电压产生单元产生的电压(ΚΙ、K2、K3所在的倾斜线)与基准电压V3在K3处相等，之后LED驱动电路停止工作。通过图4可清楚地得出，通过调节基准电压的大小，可以使LED驱动芯片工作在指定的温度范围内，从而很好地实现对LED驱动芯片的过温调节，有效防止LED驱动芯片因过热而损毁，延长了 LED光源装置的使用寿命。
[0039]以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种过温调节电路，用于调节LED驱动芯片工作时的温度，其特征在于，包括:基准电流输入单元、电阻调节单元、比较单元、负温度系数电压产生单元以及线性电流输出调节单元，所述基准电流输入单元通过所述电阻调节单元产生一个大小可调节的基准电压;所述负温度系数电压产生单元随所述LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压;所述比较单元包括第一比较输入端、第二比较输入端以及比较输出端，所述基准电压自所述第一比较输入端输入，所述第二比较输入端连接所述负温度系数电压产生单元，所述比较输出端连接用于调节电流大小并输出线性电流的所述线性电流输出调节单元。2.如权利要求1所述的过温调节电路，其特征在于，所述过温调节电路还包括:开关控制单元，所述开关控制单元用于依据所述比较单元比较所述负温度系数电压与所述基准电压后的比较信号，开启或关闭所述LED驱动芯片。3.如权利要求2所述的过温调节电路，其特征在于，所述过温调节电路还包括:缓冲电容单元，所述缓冲电容单元一端连接到所述比较单元的输入端，另一端连接到所述比较单元的输出端。4.如权利要求3所述的过温调节电路，其特征在于，所述过温调节电路包括:偏置电流产生单元，用于为所述过温调节电路提供偏置电流。5.如权利要求4所述的过温调节电路，其特征在于，所述比较单元包括:第十四场效应管、第十五场效应管和第十七场效应管以及第十八场效应管，其中，所述第十四场效应管的栅极输入所述基准电压，所述第十四场效应管的源极连接到电源，所述第十四场效应管的漏极连接到所述第十七场效应管的栅极与漏极，以及所述第十八场效应管的栅极，所述第十五场效应管的栅极输入所述负温度系数电压，所述第十五场效应管的源极连接到所述电源，所述第十五场效应管的漏极连接到所述第十八场效应管的漏极，所述第十七场效应管的源极与所述第十八场效应管的源极接地。6.如权利要求5所述的过温调节电路，其特征在于，所述开关控制单元包括:第十六场效应管、第二 ^ 场效应管、第二十二场效应管、第二十三场效应管、第二十四场效应管和第二十五场效应管，其中，所述第十六场效应管的栅极受到所述比较单元的输出信号控制，所述第十六场效应管的源极与所述第二十一场效应管的源极和漏极相连，所述第十六场效应管的漏极分别连接所述第二十一场效应管的栅极、所述第二十二场效应管的栅极以及所述第二十三场效应管的栅极;所述第二十二场效应管的源极连接所述电源，所述第二十二场效应管的漏极分别连接所述第二十三场效应管的栅极的漏极、所述第二十四场效应管的栅极和所述第二十五场效应管的栅极;所述第二十三场效应管的源极分别连接所述第二十五场效应管的源极和所述第二十一场效应管的漏极;所述第二十四场效应管的漏极和所述第二十五场效应管的漏极连接，并输出开关控制信号。7.如权利要求3所述的过温调节电路，其特征在于，所述缓冲电容单元包括:延迟单元和电容单元，所述延迟单元用于在所述LED驱动芯片温度突然升高时，推迟所述开关控制单元执行关闭操作的时间;所述电容单元用于滤除杂波，使所述过温调节电路的电流稳定。8.如权利要求7所述的过温调节电路，其特征在于，所述延迟单元包括串联的第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管;所述电容单元包括并联的第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管和第九场效应管。9.如权利要求1所述的过温调节电路，其特征在于，所述线性电流输出调节单元包括第二十场效应管，所述第二十场效应管的源极接地，栅极连接到所述比较单元的输出端，漏极输出线性电流。10.一种LED驱动芯片，其特征在于，所述LED驱动芯片包括过温调节电路，其中，所述过温调节电路为如权利要求1至9任一项所述的过温调节电路。
【专利摘要】本实用新型公开一种过温调节电路，用于调节LED驱动芯片工作时的温度。其中，该过温调节电路的基准电流输入单元通过电阻调节单元产生一个大小可调节的基准电压；负温度系数电压产生单元随LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压；比较单元包括第一比较输入端、第二比较输入端以及比较输出端，基准电压自第一比较输入端输入，第二比较输入端连接负温度系数电压产生单元，比较输出端连接用于调节电流大小并输出线性电流的线性电流输出调节单元。本实用新型的LED驱动芯片及其过温调节电路具有保护LED驱动芯片正常工作，延长LED光源装置使用寿命的有益效果。
【IPC分类】H05B33/08
【公开号】CN205283872
【申请号】CN201521033353
【发明人】王泽宇, 张伟珊, 焦飞华, 古道雄
【申请人】古道雄
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月11日