专利名称：区熔单晶硅生长炉的制作方法
技术领域：
本实用新型属于一种区熔单晶硅生长炉。
背景技术：
传统的单晶硅炉主要用于生产硅半导体材料，单晶硅炉包括硅半导体材料生长合成的主炉室、主轴升降传动结构和电控自动糸统。传统的单晶硅炉的主轴升降传动结构采用齿条单点传动平衡稳定性差，不容易保证上下主轴的动态真空度，使生产出的硅籽晶质量很差，造成产品正品率低。
发明内容
本实用新型的目的是设计一种区熔单晶硅生长炉，使其能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好，保证上下主轴的动态真空度，以达到理想的使用效果。为此，本实用新型采用呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上，对应两边的两导柱之间设有丝杆，两丝杆上端与对应的顶板轴接，两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接，两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接，滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接，滑座中部设有中心轴。上述结构达到了本实用新型的目的。
本实用新型的优点是能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好，保证上下主轴的动态真空度，达到了理想的使用效果，大幅度提高了产品的正品率，且结构简单，制作使用成本低，维修和使用简便效果好。
图1为本实用新型的结构示意图图2为图1的A-A剖面结构示意图图3为为图1的右侧面结构示意图图4为图3的仰视面结构示意图具体实施方案如图1至图4所示，一种区熔单晶硅生长炉，由底板3、顶板10和减速箱所组成，呈矩形四角分布的四个导柱21的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上。对应两边的两导柱之间设有丝杆5，两丝杆上端与对应的顶板轴接，两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱14、12输出端相接，两减速箱输入端通过连轴器2、13与电机11轴相接。滑座8四角通过直线轴承16与四个导柱滑配并与两丝杆螺接。滑座中部设有中心轴9。滑座一侧设有电机支架18，电机支架上固设滑座电机17，电机轴带动带轮19并通过皮带20传动中心轴上的皮带轮7带动中心轴缓慢转动。
所述的中心轴为空心轴，中心轴(或称主轴)下端位于滑座下端并与水管进口6相连。用以引入冷却水进入中心轴内，对其降温。中心轴下端与滑座之间设有止动架15以随时止动中心轴。为支撑底顶板，在底顶板之间可设支撑架4，防止导柱和丝杆承重变形。
电机11通过连轴器传动减速箱12，该减速箱再通过小轴1传动减速箱14同步减速带动两丝杆转动，同时使与两丝杆螺接的滑座同步平稳沿四导柱上下移动。
总之，本实用新型能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好，保证上下主轴的动态真空度，达到了理想的使用效果，大幅度提高了产品的正品率，且结构简单，制作使用成本低，维修和使用简便效果好。
权利要求1.一种区熔单晶硅生长炉，由底板、顶板和减速箱所组成，其特征在于呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上，对应两边的两导柱之间设有丝杆，两丝杆上端与对应的顶板轴接，两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接，两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接，滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接，滑座中部设有中心轴。
2.按权利要求1所述的区熔单晶硅生长炉，其特征在于所述的中心轴为空心轴，中心轴下端位于滑座下端并与水管进口相连。
专利摘要本实用新型属于一种区熔单晶硅生长炉，采用呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上，对应两边的两导柱之间设有丝杆，两丝杆上端与对应的顶板轴接，两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接，两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接，滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接，滑座中部设有中心轴。本实用新型能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好，保证上下主轴的动态真空度，以达到理想的使用效果。
文档编号C30B13/00GK2913391SQ20062011781
公开日2007年6月20日 申请日期2006年5月29日 优先权日2006年5月29日
发明者张志新, 王军, 安桂正 申请人:北京东方科运晶体技术有限公司