专利名称：用于腔室抽气的偏置衬垫的制作方法
用于腔室抽气的偏置衬垫
背景技术：
本发明的实施例一般涉及在腔室衬垫及腔室壁之间具有一抽气气体空间 (evacuation plenum)白勺工月空胃。相关技术说明当在真空中处理基板时，使用真空泵以将工艺腔室抽气至适当的工艺压力。在部 分情形中，真空泵会持续地将导入工艺腔室的工艺气体抽出，以维持期望的工艺压力。真空 泵将工艺气体抽吸经过工艺腔室而至导向真空泵的真空泵口。工艺气体(例如沉积气体)被导入工艺腔室中，并在处理期间会导致沉积在暴露 出的腔室部件上。在不期望的腔室部件上沉积可能会导致部件失效或是在处理期间的基板 污染。当部件失效时，则需要清洁或替换该部件。在任一情形中，需要将工艺腔室停工以取 出部件，而此举会造成基板产量的降低。因此，在该领域中需要一种具有抽气系统的工艺腔室，其降低工艺腔室部件失效 及基板污染。
发明内容
本发明一般包括一腔室衬垫，其与腔室壁分隔开，以允许在抽吸工艺腔室中的气 体时，可以在腔室衬垫及腔室壁之间抽吸工艺气体。在一个实施例中，一种设备包括腔 室主体，具有形成穿过第一侧的一狭缝阀开口 ；以及耦接至该腔室主体的一或多个突出部 (ledge)。该一或多个突出部自该第一侧延伸而位于该狭缝阀开口上方且距离该腔室的底 部为第一距离。该设备也包括第一腔室衬垫，其耦接至与该腔室主体的该第一侧相邻的至 少一第二侧。该第一腔室衬垫具有与该第二侧及该腔室的底部分隔开的第一衬垫部分，该 第一衬垫部分在该腔室主体中延伸至第一高度，且该第一高度实质等于该第一距离。该设 备也包括一遮蔽框，其设置于该腔室主体中，并且可移动于与该第一腔室衬垫及该一或多 个突出部接触的第一位置以及与该第一腔室衬垫及该一或多个突出部分隔开的第二位置 之间。在另一实施例中，一种设备包括一衬垫组件。该衬垫组件包括第一侧，该第一侧具 有穿过其中的一狭缝阀开口、第一顶表面及第一底表面。该衬垫组件也包括第二侧，该第二 侧具有第二顶表面以及第二底表面，该第二顶表面与该第一顶表面实质上等高度，该第二 底表面高于该第一底表面。该第二侧也具有一上部分以及与该上部分为分隔开的底部分， 且该上部分与该底部分在该第二侧的末端处相耦接。该设备也可包括一遮蔽框，该遮蔽框 可在与该衬垫组件接触的第一位置以及与该衬垫组件分隔开的第二位置之间移动，该遮蔽 框在沿着其三侧具有实质相等的第一宽度，以及沿着第四侧具有第二宽度，且该第二宽度 大于该第一宽度。在另一实施例中，公开了一种方法。该方法包括将一承座由下降位置升高至上升 位置；将一遮蔽框由与一腔室衬垫接触的第一位置升举至与该承座接触且与该腔室衬垫分 隔开的第二位置，藉此，该腔室衬垫与一腔室壁之间的第一距离大于该遮蔽框与该腔室衬垫之间的第二距离。该方法也包括将该遮蔽框周围及该衬垫与该腔室壁之间的工艺气体抽吸至该承座下方的一区域。附图简要说明为了让本发明的上述特征更明显易懂，可配合参考实施例说明，其部分绘示如附 图。需注意的是，虽然
了本发明特定实施例，但其并非用以限定本发明的精神与范 围，任何本领域技术人员可作各种改变与修改而得到等效实施例。图1A绘示根据本发明一个实施例的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的 截面视图。图1B绘示图1A的PECVD设备的截面视图，其中承座位于处理位置。图1C绘示图1A的遮蔽框的示意性上视图。图2A绘示根据本发明一个实施例的具有偏置衬垫的设备的示意性上视图。图2B绘示根据本发明另一实施例的具有偏置遮蔽框的设备的示意性上视图。图3绘示根据本发明另一实施例的具有偏置衬垫及遮蔽框的设备的截面示意图。图4绘示根据本发明一个实施例的PECVD设备的截面视图。图5绘示根据本发明一个实施例的具有双壁抽气通道的工艺设备的另一截面视 图。图6绘示根据本发明一个实施例的具有双壁抽气通道的工艺腔室中的狭缝阀开 口的部分等角示意图。为了便于了解，尽可能地，附图中相同的组件符号表示相同的组件。某一实施例采 用的组件不需特别详述而可应用到其它实施例。具体说明本发明一般包括一腔室衬垫，其与腔室壁间隔设置，以允许在将气体自工艺腔室 抽出时，工艺气体会被抽吸至腔室衬垫与腔室壁之间。在此描述的本发明关于PECVD设备。 适合的PECVD设备可购自位于加州圣克拉拉的应用材料公司(Applied Material, Inc.)的 独资子公司AKT America公司。可了解下面述及的发明可用于其它工艺腔室(包括购自其 它制造商的)，例如蚀刻或物理气相沉积(PVD)腔室。图1A为根据本发明一个实施例的PECVD设备的截面视图。PECVD设备包括一腔 室100，该腔室100具有壁102及底部104。喷洒头106及承座118设置在腔室100中，并 在其间界定一处理容积。可透过一狭缝阀开口 108而进出该处理容积，以便基板120可以 传输进出腔室100。承座118耦接至致动器116以使承座118升高及降低。升举销122可 移动地穿设于承座118，以在将基板120放置于承座118上之前以及自承座118移除之后， 用于支撑基板120。承座118也可包括加热及/或冷却元件124，以将承座118维持在期望 温度下。接地带(grounding strap) 126可耦接至承座118，以在承座118周围提供RF接 地。接地带126可耦接至腔室100的底部104。在一个实施例中，接地带126可耦接至承座 118的角落和/或侧边，以及腔室100的底部104。喷洒头106通过耦接件144而耦接至背板112。在一个实施例中，该耦接件144可 包括一螺栓，且该螺栓与该喷洒头106螺锁接合。喷洒头106可通过一或多个耦接件144 而耦接至背板112，以协助防止喷洒头106下垂，及/或控制喷洒头106的平直度/弯曲度。在一个实施例中，可使用12个耦接件144以将喷洒头106耦接至背板112。喷洒头106可 额外使用托架134以耦接至背板112。托架134可具有一突出部(ledge) 136，而喷洒头106 则座落在突出部136上。背板112可座落在与腔室壁102耦接的突出部114上，以密封该 腔室100。承座118的顶表面与喷洒头106之间的间距为约400mil 约1200mil。在一个实 施例中，该间距为约400mil 约800mil。气体源132耦接至背板112，以通过喷洒头106中的气体通道提供气体至基板 120。真空泵110在承座118下方的位置耦接至腔室100，以将处理容积维持在一预定压力。 RF功率源128耦接至背板112和/或喷洒头106，以提供RF功率至喷洒头106。RF功率在 喷洒头106与承座118之间产生电场，以便由来自喷洒头106与承座118之间的气体产生 等离子体。可以使用多种频率，例如介于约0.3MHz 约200MHz。在一个实施例中，RF功率 在频率为13. 56MHz下提供。远程等离子体源130 (例如感应耦合远程等离子体源)也可耦接于气体源132与 背板112之间。在处理基板之间，可将清洁气体提供至远程等离子体源130，以产生远程等 离子体。随后可将来自远程产生的等离子体的自由基提供至腔室100，以清洁腔室100的部 件。清洁气体可进一步由RF功率源128提供至喷洒头106的功率而激发。适合的清洁气 体包括但不限于NF3、F2及SF6。工艺腔室100也包括腔室衬垫138，且该腔室衬垫138紧靠于(f lushagainst)具 有狭缝阀开口 108的壁102。腔室衬垫138可通过紧固构件(例如黏合剂、螺母及螺栓组 件，或螺钉)而耦接至壁102。如图IA所示，腔室衬垫138可延伸至腔室100的底部104并 与其耦接。由于腔室衬垫138与具有穿设其中的狭缝阀开口 108的壁102紧靠，故实质上 不会有工艺气体被真空泵110抽吸下降至衬垫138后方。腔室衬垫140也可设置在腔室100的其余三个壁102上。腔室衬垫140可与壁102 相距有距离A，以便在壁102与衬垫140之间界定一气体空间142。衬垫140与腔室100的 底部104之间具有一间隔，以使得在气体空间142内的任何气体会自气体空间142往下被 抽吸出而至真空泵110。在一个实施例中，衬垫138、140可包括铝。在另一实施例中，衬垫 138、140可包括阳极电镀铝。在另一实施例中，衬垫138、140可包括不锈钢。在另一实施例 中，衬垫138、140可包括电性绝缘材料。当承座118位于如图IA所示的下降位置时，腔室衬垫140的顶部可以用于支撑一 遮蔽框146。遮蔽框146也可支托在一突出部148上，该突出部148自具有穿设于其中的狭 缝阀开口 108的壁102伸出。或者，突出部148可以自衬垫138伸出。衬垫138的顶部与 衬垫140的顶部的高度实质相同，以致遮蔽框146实质上水平。当承座118位于图IB所示的处理位置时，遮蔽框146与衬垫140及突出部138相 隔一距离B。遮蔽框146与衬垫140及突出部148之间的距离B小于由箭头A所示的气体 空间142的宽度。因此，相较之下，较大量的工艺气体会被抽吸通过气体空间142，而非通 过遮蔽框146与衬垫140之间或是遮蔽框146与突出部148之间。因此，仅有少量或是没 有工艺气体会被抽吸至承座118下方以及至狭缝阀开口 108前面。在一个实施例中，A与B 的比率为介于约2 1 约20 1。因此，遮蔽框146与衬垫140之间仅有少量或是没有 工艺气体会被抽吸。故即使有沉积在承座118下方并且在承座118移动时会剥落的任何物质，但该物质也很少。在狭缝阀开口 108前面仅有少量或是没有工艺气体会被抽吸，则较少 的会剥落并污染基板120的物质会沉积在狭缝阀开口 108中。在一个实施例中，遮蔽框146在腔室100中可对称设置。在另一实施例中，遮蔽框 146可为非对称设置，以便遮蔽框146朝向具有穿设于其中的狭缝阀开口 108的壁102而 延伸较长的距离(相较于其它壁102)。图IC是图IA的遮蔽框146的上视图，其显示出遮 蔽框146在狭缝阀开口侧的宽度(以箭头D表示)大于遮蔽框146其它侧的宽度(以箭头 C表示)。非对称的遮蔽框146可减少遮蔽框146与腔室壁之间的间隔，因而减少由遮蔽框 与在腔室的狭缝阀侧壁之间被抽吸的气体量。图2A绘示根据本发明一个实施例的具有偏置(offset)衬垫的一腔室的示意剖面图。腔室200可具有第一壁204，且该第一壁204具有穿设其中的狭缝阀开口。腔室200也 可具有其它三个壁206、208、210。在狭缝阀壁204上，衬垫(被突出部212所隐藏住)紧靠 于腔室壁204，因此衬垫与壁204之间没有间隔。突出部212设置在狭缝阀开口上方，以允 许当承座位于下降位置时，将遮蔽框支托在其上。突出部212可具有多个间隔设置的部件 (piece)，例如图2A所示的在壁210上的突出部214。在一个实施例中，三个壁具有实质相同的腔室衬垫。在另一实施例中，覆盖住三个 壁的腔室衬垫可包括单一部件(Piece)。在一个实施例中，突出部212可包括横跨狭缝阀开 口的长度的单一部件材料。在另一实施例中，突出部212可包括共同横跨狭缝阀开口的多 个部件。突出部212可以减少移动进入狭缝阀开口的工艺气体量。沿着壁206、208，存在有与壁206、208间隔设置的衬垫部分216。另外，衬垫部分 218可紧靠于壁206、208，以便不会有工艺气体在衬垫部分218与腔室壁206、208之间移 动。气体空间220存在于衬垫部分216与腔室壁206、208之间，以允许工艺气体流经其间。 可视需要而在衬垫部分216的底部设置有凹口，以供接地带耦接。在一个实施例中，壁210 的衬垫与壁210紧靠，因此工艺气体不会在衬垫与壁210之间流动。衬垫部分216与衬垫 部分218可在其角落处互相耦接。另外，在衬垫部分216、218相互耦接的位置处，衬垫部分 216,218可以耦接至腔室200的壁206、208。图2B是根据本发明另一实施例的具有偏置遮蔽框的上视示意图。设备250具有 围绕偏置的遮蔽框258的多个腔室壁252A-D。遮蔽框258具有穿设于其中的开口，以允许 在处理期间将基板260暴露于工艺气体。遮蔽框258可支托在与腔室壁252A-D间隔设置 的衬垫上。衬垫可通过耦接件262而耦接至壁252A-D。在一个实施例中，耦接件262包括 一或多个从壁252A-D延伸的杆，而该杆焊接至衬垫及壁252A-D。在另一实施例中，耦接件 262可释放地(releasably)耦接至壁252A-D及衬垫。在狭缝阀侧壁252A上，突出部256可在狭缝阀开口上方自壁252A延伸出。当遮 蔽框258尚未上升至处理位置时，其可以支托在突出部256上。遮蔽框258与壁252B-D分 隔开，以致可见到腔室的底部254。然而，在狭缝阀侧壁252A上，突出部256及遮蔽框258 阻挡住任何通往腔室底部254的视线。由于遮蔽框258在沿着狭缝阀侧壁252A具有较大 宽度(相较于其它壁252B-D)，故遮蔽框258为偏置的。因此，通过腔室底部254而被抽出 设备250的任何工艺气体在遮蔽框258及突出部256附近会以一迂回曲折的路径前进。而 由于此迂回曲折的路径，工艺气体自然会沿具有最少阻力的路径前进，其中此具有最少阻 力的路径介于衬垫与壁252B-D之间。
图3为根据本发明另一实施例的具有偏置衬垫316及遮蔽框306的设备300的截 面示意图。设备300具有一承座302，而该承座302可以如箭头L所示般上升及下降。基板 304可设置在承座302上。遮蔽框306可以由突出部320及由衬垫316的顶部而升举至处 理位置。遮蔽框306可以为偏置遮蔽框306，以致与具有狭缝阀开口 312的壁308相邻的遮 蔽框306的宽度(以箭头K表示)大于与其它壁308相邻的遮蔽框306的宽度(以箭头J 表示)。在一个实施例中，遮蔽框306与具有狭缝阀开口 312穿设于其中的壁308之间的距 离(以箭头H表示)约等于遮蔽框306经升高而在突出部320及衬垫316上方的距离(以 箭头H表示)。衬垫316利用耦接件318而与壁308分隔开的距离以箭头G表示。在一个 实施例中，G与H的比率为约2 1 约20 1。因此，通过真空泵314而进行抽气的工艺 气体会朝着具有最少阻力的路径(即，介于衬垫316与壁之间)移动，如箭头M所示。衬垫 316与壁308之间的路径远没有遮蔽框306与衬垫316之间的路径(以箭头N表示)或是 遮蔽框306与突出部320之间的路径(以箭头P表示)迂回曲折。因此，较大量的气体会 由衬垫316与壁308之间排出，并远离狭缝阀开口 312及承座302底侧，而可减少在不期望 的腔室表面上的沉积。图4为根据本发明另一实施例的PECVD设备的横截面视图。该设备包括一腔室400，在该腔室400中，一个或多个薄膜可沉积在基板420上。腔室400 —般包括壁402及 底部404。喷洒头406及承座418设置在由腔室400所界定的处理容积中。可透过狭缝阀 开口 408而进出处理容积，从而将基板420传送进出腔室400。承座418可耦接至致动器 416，以将承座418升起或下降。升举销422可移动地穿设于承座418中，以在将基板420 放置在承座418之前以及自承座418移除之后，用于支撑基板420。承座418也可包括加热 和/或冷却元件424，以将承座418维持在期望温度下。承座418也包括接地带426，以在 承座418周围提供RF接地。喷洒头406通过紧固构件450而耦接至背板412。喷洒头406可通过一或多个耦 接支撑件450而耦接至背板412，以协助阻止喷洒头406的下垂，和/或控制喷洒头406的 平直度/弯曲度。在一个实施例中，使用12个耦接支撑件450以将喷洒头406耦接至背 板412。耦接支撑件450可包括紧固构件，例如螺母及螺栓组件。在一个实施例中，螺母及 螺栓组件由电性绝缘材料制成。在另一实施例中，螺栓可以由金属制成，并且围绕有电性绝 缘材料。在又另一实施例中，喷洒头406具有螺纹以容设螺栓。在又另一实施例中，螺母由 电性绝缘材料制成。电性绝缘材料协助防止耦接支撑件450与腔室400中存在的任何等 离子体呈现电性耦接。另外地和/或可替代地，可存在有中央耦接构件，以将背板412耦接 至喷洒头406。中央耦接构件可以围绕背板支撑环(未示出)，并且悬挂自桥组件(bridge assembly)(未示除)。喷洒头406可以另外通过托架434而耦接至背板412。托架434具 有一突出部436，且喷洒头406支托在突出部436上。背板412可支托在与腔室壁402耦接 的突出部414上以密封腔室400。气体源432耦接至背板412，以通过喷洒头406中的通道将气体提供至基板420。 真空泵410在承座418下方一位置耦接至腔室400，以将处理容积维持在预定压力。RF功 率源428耦接至背板412和/或喷洒头406，以将RF功率提供至喷洒头406。RF功率在喷 洒头406与承座418之间产生电场，以便从来自喷洒头406与承座418之间的气体产生等 离子体。可使用多种频率，例如介于约0. 3MHz 约200MHz的频率。在一个实施例中，RF功率在频率为13. 56MHz下提供。远程等离子体源430 (例如感应耦合远程等离子体源)也可耦接于气体源432与 背板412之间。在处理基板之间，可将清洁气体提供至远程等离子体源430，以便产生远程 等离子体。来自远程所产生的等离子体的自由基可提供至腔室400，以清洁腔室400的部 件。清洁气体可进一步由RF功率源428提供至喷洒头406的功率而激发。适合的清洁气 体包括但不限于NF3、F2及SF6。
工艺腔室400也可包括设置在腔室400内的抽气主体452。抽气主体452具有耦 接至底部464的多个侧壁462。抽气主体452至少部分围绕住腔室400的一处理空间。抽 气主体452可设置在腔室400中，以便腔室壁402与抽气主体452之间会形成一抽气通道 454。侧壁462的高度小于腔室壁402的高度，因而进入抽气通道454的入口形成在侧壁462 的顶部456上方。当承座418位于下降位置以承接基板420时，进入抽气通道454的入口 位于承座418上方。当基板420位于上升位置以进行处理时，进入抽气通道454的入口则 低于被处理基板的上升位置或处理位置。抽气通道454可具有宽度F(以箭头显示)，而此 宽度F足以使腔室400的压力维持在预定压力下。抽气主体452可以耦接至腔室400的壁 402，以将抽气主体452接地。另外，接地带426可以与抽气主体452耦接，以提供一接地路 径。或者，接地带426可直接与腔室400的底部404连接。遮蔽框466可设置在抽气主体452的侧壁462的顶部456上。当承座418上升至 处理位置时，承座418会遇到遮蔽框466，并将遮蔽框466升举离开抽气主体452的侧壁462 的顶部456。因此，当承座418位于处理位置时，遮蔽框466与抽气主体452的侧壁462的 顶部456脱离，而进入抽气通道454的入口变成低于承座418已经上升了的顶表面。由腔室400抽离的工艺气体会被吸引至抽气通道454中，并且沿着箭头E所示的 路径至真空泵410。工艺气体被吸引至抽气通道454中，因此降低了被抽吸至承座418下方 区域的工艺气体量。由于降低到达承座418下方区域的工艺气体量，因此也降低了在承座 418下方的腔室部件上沉积的量。另外，在蚀刻的情况中，也可降低承座418下方的腔室部 件的腐蚀，从而延长腔室部件的寿命。抽气主体452的顶部456也可设置在狭缝阀开口 408的腔室侧开口 458的上方。 由于抽气主体452的顶部456位于狭缝阀开口 408的腔室侧开口 458的上方，因此在腔室 侧开口 458周围的工艺气体会被吸引至抽气通道454。来自承座418下方的工艺气体也会 被吸引至抽气通道454中。进入狭缝阀开口 408的腔室侧开口 458的工艺气体量降低，这 是因为当对工艺气体进行抽气时，工艺气体会被吸离狭缝阀开口 408的侧边抽吸气体空间 E。当工艺气体不会进入狭缝阀开口 408的腔室侧开口 458时，则可降低在抽气主体452与 壁402所界定的狭缝阀通道460中沉积的物质的量。当较少的物质沉积在狭缝阀通道460 中时，则可降低沉积在狭缝阀通道460中的物质的剥落，也可降低基板的污染。图5绘示根据本发明一个实施例的具有双壁抽气通道514的工艺腔室500的水平 截面视图。腔室500具有一外壁502，而该外壁502至少部分地围绕工艺腔室500的工艺 区域。所示抽气主体也具有一内壁504，且该内壁504通过耦接件508而与外壁502耦接。 耦接件508可包括一焊接、一诸如具螺纹的紧固件的紧固构件、或是其它适合的耦接构件。 在外壁502和内壁504之间界定一抽气通道514。抽气通道514具有一至工艺区域的开口， 且该开口的高度高于承座506及狭缝阀开口 512的高度。抽气通道514允许真空泵(未示出)通过该通道514而抽吸真空，而不会将工艺气体抽吸通过承座506下方的区域或是狭 缝阀开口 512。基于工艺气体抽吸进入抽气通道514的位置，则降低了可到达承座506下方 的区域的工艺气体量。另外，由于抽气通道514的入口高于狭缝阀开口 512，则被抽吸至狭 缝阀通道510的工艺气体量减少，因此，可降低污染物剥落以及在通过狭缝阀通道510的进 出基板上的污染物掉落。如图5可见，狭缝阀通道510通过抽气通道514。因此，抽吸通过 抽气通道514的工艺气体可通过狭缝阀通道510的外侧周围。图6为根据本发明一个实施例的具有双壁抽气通道的工艺腔室600的狭缝阀开口 602的部分截面等角视图。腔室600包括多个外壁608，而该些外壁608至少部分围绕该腔 室600的工艺区域。腔室600也包括具有多个内壁606的抽气主体。内壁606通过一或多 个耦接件(未示出)及腔室底部610而与外壁608耦接。在内壁606与外壁608之间界定 有一抽气通道，而工艺气体将经过此抽气通道而被抽吸出。抽气通道由内壁606、外壁608 及腔室底部610所界定。抽气通道在顶端开启，以允许工艺气体进入通道。狭缝阀通道604 耦接至内壁606，并且通过抽气通道，以致被抽吸的工艺气体在狭缝阀通道604的外侧周围 流动。内壁606的顶部612为抽气通道的入口。因此，被抽吸的工艺气体在高于狭缝阀开 口 602的位置处进入抽气通道。因此，降低了通过狭缝阀开口 602而进入狭缝阀通道604 的工艺气体量。当工艺气体不进入狭缝阀通道604中时，工艺气体不会沉积在狭缝阀通道 604的表面上，因而不会剥落以及掉落在通过狭缝阀开口 604进出的基板上。通过在沿着腔室侧壁的位置处而自工艺腔室抽吸工艺气体，可减少沉积在承座下 方的腔室部件上的物质，因此，可减少对腔室部件的清洁和/或替换。通过减少腔室部件的 清洁和/或替换，则可使腔室的停工期(downtime)降低，并增加基板产量。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域 技术人员，在不脱离本发明的精神和范围下，可作各种改变与修改，因此本发明的保护范围 以所附权利要求所界定为准。
权利要求
一种设备，包括一腔室主体，具有穿过一第一侧形成的一狭缝阀开口；一或多个突出部，耦接至该腔室主体，并自该第一侧延伸而位于该狭缝阀开口上方且距离该腔室的底部为第一距离处；一第一腔室衬垫，耦接至与该腔室主体的该第一侧相邻的至少一第二侧，该第一腔室衬垫具有与该第二侧及该腔室的该底部分隔开的一第一衬垫部分，该第一衬垫部分在该腔室主体中延伸至一第一高度，且该第一高度实质上等于该第一距离；以及一遮蔽框，设置于该腔室主体中，并且在与该第一腔室衬垫及该一或多个突出部接触的第一位置以及与该第一腔室衬垫及该一或多个突出部分隔开的第二位置之间是可移动的。
2.权利要求1的设备，还包括一第二腔室衬垫，该第二腔室衬垫紧靠于该第一侧及该 腔室的该底部。
3.权利要求1的设备，其中该遮蔽框在该腔室主体中为偏置的，以致该遮蔽框沿着该 第一侧而与该腔室主体分隔一第二距离，该遮蔽框沿着该第二侧而与该腔室主体分隔一第 三距离，其中该第二距离小于该第三距离。
4.权利要求3的设备，当该遮蔽框位于该第二位置时，该遮蔽框与该一或多个突出部 之间为一第四距离，且该第二距离实质上等于该第四距离。
5.权利要求1的设备，还包括一承座，设置在该腔室主体中；以及一或多个接地带，耦接至该承座的一底表面及该腔室的该底部。
6.权利要求5的设备，其中该一或多个接地带在该承座的该底表面的角落或侧边处与 其華禹接。
7.权利要求1的设备，其中该第一腔室衬垫另外耦接至与该腔室主体的该第一侧相邻 设置的一第三侧，以及与该腔室主体的该第一侧相对设置的一第四侧。
8.权利要求7的设备，还包括一第二腔室衬垫，该第二腔室衬垫紧靠于该第一侧及该 腔室的该底部。
9.权利要求1的设备，其中当该遮蔽框位于该第二位置时，该遮蔽框与该第一衬垫部 分之间有一距离，且该距离小于该第一衬垫部分与相应的腔室侧之间的一距离。
10.一种设备，包括一衬垫组件，包括第一侧，第一顶表面及第一底表面，该第一侧具有穿过其中的一狭缝 阀开口，该衬垫组件也包括第二侧，第二顶表面以及第二底表面，该第二顶表面与该第一顶 表面为实质上等高，该第二底表面高于该第一底表面，该第二侧也具有一上部分以及与该 上部分分隔开的一底部分，且该上部分与该底部分在该第二侧的端部相耦接；以及一遮蔽框，该遮蔽框在与该衬垫组件接触的第一位置以及与该衬垫组件分隔开的第二 位置之间是可移动的，该遮蔽框在沿着其三侧具有实质上相等的第一宽度，而沿着第四侧 具有第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度。
11.权利要求10的设备，其中该衬垫组件还包括第三侧，该第三侧与该第二侧相对设 置，且该第三侧与该第二侧实质相同。
12.权利要求11的设备，其中该衬垫组件还包括第四侧，该第四侧与该第二侧及该第四侧相邻，且该第四侧与该二侧及该第三侧实质相同。
13.权利要求11的设备，还包括一或多个突出部，该一或多个突出部耦接至该第一侧 并设置在该狭缝阀开口上方。
14.一种方法，包括将一承座由下降位置升高至上升位置；将一遮蔽框由与一腔室衬垫接触的第一位置升举至与该承座接触且与该腔室衬垫分 隔开的第二位置，使得该腔室衬垫与一腔室壁之间的第一距离大于该遮蔽框与该腔室衬垫 之间的第二距离；以及将该遮蔽框周围及该衬垫与该腔室壁之间的工艺气体抽吸至该承座下方的区域。
15.权利要求14的方法，该升举步骤还包括使该遮蔽框由与设置在该狭缝阀开口上方 的一遮蔽框突出部接触的该第一位置上升至与该遮蔽框突出部分隔开的该第二位置，以致 该遮蔽框与该遮蔽框突出部分隔第三距离。
全文摘要
本发明一般包括一腔室衬垫，其与腔室壁分隔开，以允许在抽吸工艺腔室中的气体时，可以在腔室衬垫及腔室壁之间抽吸工艺气体。当真空泵位于承座下方，工艺气体则会抽吸至承座下方，并可能导致工艺腔室部件出现不期望的沉积现象。另外，工艺气体会被抽吸通过狭缝阀开口，因而可能会沉积在狭缝阀开口中。当物质沉积在狭缝阀开口中，可能会发生剥落现象并污染基板。通过沿着侧壁(非具有狭缝阀开口的侧壁)而抽吸工艺气体，则可减少在狭缝阀开口上的不期望的沉积现象。
文档编号H05H1/34GK101836510SQ200880113201
公开日2010年9月15日 申请日期2008年10月7日 优先权日2007年10月26日
发明者古田学, 崔寿永, 崔永镇, 朴范秀, 约翰·M·怀特, 罗宾·L·泰内, 苏希尔·安瓦尔 申请人:应用材料股份有限公司