专利名称：一种有效控制热场的多晶硅铸锭炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于生产太阳能级电池的基础材料的生产设备，特别是一种
有效控制热场的多晶硅铸锭炉。
背景技术：
太阳能是人类取之不尽，用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，太阳能电池就是 利用光伏效用将太阳能直接转换为电能的一种装置。制作太阳能电池主要是以硅材料为 主，通过定向凝固铸锭，具有稳定的转换效率，而且性能价格比最高，将满足硅块切片封装 加工成最终产品。 多晶硅铸锭炉是一种硅熔炼设备，是生产大规格太阳能级电池多晶硅锭特有重要 设备。生产中、将达到要求的多晶硅料装入炉中，通过真空、加热、熔化、长晶、退火、冷却出 炉。多晶硅熔化、长晶、退火这样一个核心环境成为热场。在长晶时先开启热门，形成一个 垂直的温度梯度，热门的开启时机及方式对生产出的硅锭的品质及整个长晶时间起到至关 重要的作用。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种设计合理、操 作简单、能提高多晶硅生长质量的有效控制热场的多晶硅铸锭炉。 本实用新型要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，一种有效控制热场 的多晶硅铸锭炉，设有炉体，炉体内设有保温笼，装料坩埚放置在保温笼底部的承接台上， 在保温笼内设有上加热器和下加热器，保温笼设有四周笼体、上盖和底板，上加热体与保温 笼的上盖固定，下加热体设置在承接台与保温笼的底板之间，在保温笼的底板的中部设有 热门，在热门的下面设有冷却板，其特点是在保温笼底板的中部开有温度梯度场控制口， 所述的热门装在温度梯度场控制口处，在温度梯度场控制口的侧部设有热门水平抽拉通 道，热门与装在炉体上的拉杆固定连接。 本实用新型要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，所述的拉 杆与丝杆螺母驱动机构相接。 本实用新型要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，所述的热 门设有左右对称的两块。 本实用新型要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，所述的热 门采用石墨毡材料制造。 本实用新型与现有技术相比，隔热底板含热门，热门之下有冷却板，热门打开后使 腔室内形成以个垂直且稳定的温度梯度场。热门采用单门或双门结构，打开方式采用纵向 抽拉结构，不仅能縮短工艺时间，生产出高品质硅锭，且降低结晶过程的能耗。其设计合理、 操作简单、能提高多晶硅生长质量。
图1为单开热门的结构简图。 图2为双开热门的结构简图。
具体实施方式—种有效控制热场的多晶硅铸锭炉，设有炉体l，炉体1内设有保温笼，装料坩埚5 放置在保温笼底部的承接台6上，在保温笼内设有上加热器2和下加热器7，保温笼设有四 周笼体4、上盖3和底板8，上加热体2与保温笼的上盖3固定，下加热体7设置在承接台6 与保温笼的底板8之间，在保温笼的底板8的中部设有热门IO，在热门10的下面设有冷却 板9，在保温笼底板8的中部开有温度梯度场控制口，热门IO装在温度梯度场控制口处，所
述的热门io采用单门或双门结构，打开方式采用纵向抽拉结构，在温度梯度场控制口的侧
向设有热门水平抽拉通道，热门10与装在炉体上的拉杆12固定连接。热门采用石墨毡材 料制造。 所述的拉杆12与丝杆螺母驱动机构13相接。电机通过丝杆带动拉杆12移动实 现打开或关闭热门，在拉杆12的下部设有导轮11作为辅助支撑。
权利要求一种有效控制热场的多晶硅铸锭炉，设有炉体，炉体内设有保温笼，装料坩埚放置在保温笼底部的承接台上，在保温笼内设有上加热器和下加热器，保温笼设有四周笼体、上盖和底板，上加热体与保温笼的上盖固定，下加热体设置在承接台与保温笼的底板之间，在保温笼的底板的中部设有热门，在热门的下面设有冷却板，其特征在于在保温笼底板的中部开有温度梯度场控制口，所述的热门装在温度梯度场控制口处，在温度梯度场控制口的侧部设有热门水平抽拉通道，热门与装在炉体上的拉杆固定连接。
2. 根据权利要求1所述的有效控制热场的多晶硅铸锭炉，其特征在于所述的拉杆与 丝杆螺母驱动机构相接。
3. 根据权利要求1所述的有效控制热场的多晶硅铸锭炉，其特征在于所述的热门设 有左右对称的两块。
4. 根据权利要求1或3所述的有效控制热场的多晶硅铸锭炉，其特征在于所述的热 门采用石墨毡材料制造。
专利摘要一种有效控制热场的多晶硅铸锭炉，设有炉体，炉体内设有保温笼，装料坩埚放置在保温笼底部的承接台上，在保温笼内设有上加热器和下加热器，保温笼设有四周笼体、上盖和底板，上加热体与保温笼的上盖固定，下加热体设置在承接台与保温笼的底板之间，在保温笼的底板的中部设有热门，在热门的下面设有冷却板，在保温笼底板的中部开有温度梯度场控制口，所述的热门装在温度梯度场控制口处，在温度梯度场控制口的侧部设有热门水平抽拉通道，热门与装在炉体上的拉杆固定连接。热门采用单门或双门结构，打开方式采用纵向抽拉结构，不仅能缩短工艺时间，生产出高品质硅锭，且降低结晶过程的能耗。其设计合理、操作简单、能提高多晶硅生长质量。
文档编号C30B28/06GK201473323SQ20092023298
公开日2010年5月19日 申请日期2009年7月27日 优先权日2009年7月27日
发明者文林, 楚宜民, 王泽平, 管文礼, 范钦满 申请人:管悦