专利名称：一种晶体生长的保温装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体生长的保温装置，特指一种Nd:YAG晶体生长的保温装置。
背景技术：
NdiYAG晶体是固体激光器的核心元件，NdiYAG晶体的光学均勻性决定固体激光 器品质的优劣。为了获得光学均勻性好的晶体，一是增加坩埚的尺寸，国内一般的坩埚尺寸 是0120X 120X 2. 5 (mm)，最大的坩埚的尺寸是0180 X 180X 3 (ram)，国外最大坩埚的 尺寸是024OX240X4(mm) ；二是减小析晶率，0120的坩埚只能生长2英寸的晶体，其析晶 率为40%，0180的坩埚只能生长3英寸的晶体，其析晶率为26%，0240的坩埚生长4英寸 的晶体，其析晶率为18%，国内的析晶率一般在26% 40%。但是大直径晶体毛坯的生长 对各方面的条件是很苛刻的，一是对设备的依赖性很强，要求中频电源，单晶炉的旋转提拉 以及温控器能稳定运行，对控制精度提出了很高的要求；二是必须有一套适合大直径晶体 生长的保温装置；三是要有与之相适应的生产工艺。这套保温装置决定着生长大直径晶体 的温场，其中包括空间和溶体的径向梯度和轴向梯度；决定着生长大直径晶体的成功率和 质量，如果保温装置的尺寸不合适，所生长的晶体很容易开裂，很难生长出大尺寸的晶体。
实用新型内容针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种，适合大尺寸晶体 生长，晶体不容易开裂，成功率高，质量好的晶体生长保温装置。为达到以上目的，本实用新型采取的技术方案是一种晶体生长的保温装置，所述 晶体生长的保温装置包括，一保温部分，所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒，所 述锆筒中可放置坩埚，且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层；一支撑部份，所述支撑部分支 撑保温装置，所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘；一锆屏蔽层，所述锆屏蔽 层位于保温装置上方；一观察孔，所述观察孔与保温部分相连通。在上述技术方案的基础上，所述石英筒的厚度为10毫米，直径为350毫米。在上述技术方案的基础上，所述锆筒内设有第一锆盘，所述第一锆盘位于锆筒底 部。在上述技术方案的基础上，所述锆筒下设有支撑锆筒的第二锆盘。在上述技术方案的基础上，所述第一锆盘及第二锆盘之间设有锆砂层。在上述技术方案的基础上，所述锆托盘与第二锆盘之间设有锆砂层。在上述技术方案的基础上，所述锆屏蔽层分为锆屏蔽上层及锆屏蔽下层。在上述技术方案的基础上，所述观察孔分观察孔上层及观察孔下层。本实用新型的有益效果在于保温部分包括石英筒和锆筒，并且石英筒和锆筒之 间设置锆砂层，进一步增强了保温效果，并且在坩埚和锆筒下方分别设置了第一及第二锆 盘，增强了保温系统的稳定性，使温场更加稳定，可以适应大晶体的生长，降低了晶体开裂的几率，降低了晶体产生结构缺陷的几率。
图1是本实用新型晶体生长的保温装置截面示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。如图1所示，本实用新型晶体生长的保温装置包括保温部分，支撑保温部分的支 撑部分，在保温部分上方的屏蔽层及观察晶体的观察孔。保温部分包括附着有锆毡的石英筒1及锆筒2，所述锆筒2中可放置坩埚，且所述 石英筒与锆筒2之间设有锆砂层；石英筒1厚度10mm，直径350mm。石英筒1上附着有锆 毡，锆毡的作用是起保温作用同时起保护石英筒1的作用。锆筒2内的空间为放置坩埚的 空间，(坩埚未图示)。所述石英筒1与锆筒2之间的锆砂层为第一锆砂层12，其起到在侧 向上保温的作用。锆筒2内的下端设有第一锆盘3，第一锆盘3用于支撑坩埚。第一锆盘3 下方还设有第二锆盘4，第二锆盘4支撑在锆筒2下，起到稳定锆筒2的作用。同时，第一锆 盘3与第二锆盘4之间也设有锆砂层，其为第二锆砂层11，第二锆砂层11除了起保温作用 外，还起调整坩埚底部第一锆盘3高低和平整度的作用。避免因坩埚歪斜或下沉而造成温 场改变。支撑部分包括支撑锆筒6和锆托盘5，支撑锆筒6在支撑保温部分的同时也起到保 温的作用。保温部分的上方设有锆屏蔽层，作用是构成空间梯度的保温层，有轴向梯度和径 向梯度，这决定着空间的温度分布，避免晶体在生长中开裂，锆屏蔽层分上屏蔽层8和下屏 蔽层7，由于增加了锆屏蔽层的高度，从而减小了轴向梯度，使晶体在生长中开裂的几率减 小。观察孔的作用是便于工作人员掌握坩埚内晶体生长情况，以便控制晶体生长。同时，观 察孔也包括上观察孔10及下观察孔9，增加了观察孔的高度，也进一步减小了轴向梯度，避 免晶体开裂。
权利要求一种晶体生长的保温装置，其特征在于所述晶体生长的保温装置包括，一保温部分，所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒，所述锆筒中可放置坩埚，且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层；一支撑部份，所述支撑部分支撑保温装置，所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘；一锆屏蔽层，所述锆屏蔽层位于保温装置上方；一观察孔，所述观察孔与保温部分相连通。
2.如权利要求1所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述石英筒的厚度为10毫 米，直径为350毫米。
3.如权利要求1所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述锆筒内设有第一锆盘，所 述第一锆盘位于锆筒底部。
4.如权利要求3所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述锆筒下设有支撑锆筒的第二锆盘。
5.如权利要求4所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述第一锆盘及第二锆盘之 间设有锆砂层。
6.如权利要求5所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述锆托盘与第二锆盘之间 设有锆砂层。
7.如权利要求1所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述锆屏蔽层分为锆屏蔽上 层及锆屏蔽下层。
8.如权利要求1所述晶体生长的保温装置，其特征在于所述观察孔分观察孔上层及 观察孔下层。
专利摘要一种晶体生长的保温装置，所述晶体生长的保温装置包括，一保温部分，所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒，所述锆筒中可放置坩埚，且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层；一支撑部份，所述支撑部分支撑保温装置，所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘；一锆屏蔽层，所述锆屏蔽层位于保温装置上方；一观察孔，所述观察孔与保温部分相连通，保温性能更好，温场稳定，适合大尺寸晶体生长。
文档编号C30B15/00GK201713597SQ20102019875
公开日2011年1月19日 申请日期2010年5月20日 优先权日2010年5月20日
发明者武南平 申请人:黄石市晶立科技有限公司