专利名称：电磁干扰屏蔽配置的制作方法
技术领域：
本发明大体上涉及屏蔽壳体，用于降低与容纳在该壳体中的电子电路相关联的电磁干扰。特别是，本发明涉及一种屏蔽配置，用于将多个组件组装在这种屏蔽壳体内。
背景技术：
众所周知，电子电路的操作与电磁波形式的电磁干扰(Electro Magnetic Interference, EMI)发射相关联。这种EMI可能会对其它电子电路的操作造成负面影响。 为防止发生这类问题，通常将容易受到EMI影响或者会产生大量EMI的电路容纳在具有导电壁的壳体中。这些壁被连接至接地端，使得这些壁所拦截的任何EMI都被送往接地端，而不管该EMI是来自壳体内部还是外部)。这种配置的一个问题是密封(针对EMI)这些壁之间的接合边缘。沿着这些接合边缘的间隙使得外部EMI能够渗入(而且使得内部产生的EMI能够从个别的壳体漏出)，因此降低了这些壁所提供的EMI屏蔽的效率。已知的解决方式包括使用插设在这些接合处的导电EMI垫片。然而，包含这类垫片会增加额外的复杂度和成本。此外，许多垫片可能对它们所施加于的壁的导电表面有磨蚀作用。其它解决方式涉及形成适合排列在这些扣接壁周围的屏蔽凸缘。然而，这些转述引用的配置似乎仅具有中等的屏蔽作用及/或很难制造。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种电磁干扰屏蔽配置，其包括被配置成相接合的第一导电组件和第二导电组件。该第一导电组件包含第一导电接触表面。该第二导电组件包含第二导电接触表面以及屏蔽部件，该屏蔽部件在与该第二导电表面相邻的位置处从该第二导电组件延伸。该配置使得在该第一导电组件和该第二导电组件的接合构造中，该第一导电表面和该第二导电表面邻接而产生与该屏蔽部件相邻的导电扣接区。较佳的是，在该接合构造中，该屏蔽部件被设置成相邻于该扣接区的入口边缘，以屏蔽该扣接区的该入口边缘，防止向外发出电磁波。该屏蔽部件可以与该第二导电组件的边界边缘隔开。该屏蔽部件可以包括屏蔽凸缘。该第一导电组件可以包括周围凸缘，该周围凸缘位于该第一导电组件的周围并且包括该第一导电接触表面。屏蔽部件、周围凸缘以及第一接触表面与第二接触表面可以为平面。该第一导电组件可以包括第一平面壁，该周围凸缘朝着该第一平面壁垂直突出， 而该第二导电组件可以包括第二平面壁，该屏蔽凸缘可以朝着该第二平面壁垂直突出。该第二导电组件的该边界边缘可以对齐该第一组件的该第一平面壁。该第二导电组件可以包括形成折边的弯部，该配置使得该折边的唇部限定该第二接触表面并且该屏蔽凸缘从该唇部延伸。该弯部可以会限定该第二导电组件的该边界边缘。该屏蔽凸缘可以包括第一延伸部分，该第一延伸部分朝着该第一导电组件的该第
一平面壁延伸。该屏蔽凸缘可以包括第二延伸部分，该第二延伸部分在平行于该第一导电组件的该第一平面壁的方向上从该第一延伸部分延伸。该第二延伸部分可以包括导电构成部，该导电构成部被配置成用于与该第一导电组件的该第一平面壁的导电表面导电扣接。该导电构成部可以包括多个凹窝指状部或是连续的导体表面，该连续的导体表面被配置成扣接该第一组件的相应连续表面，以形成连续的扣接区。该导电构成部可以包括狭缝。该第一导电组件和该第二导电组件中的每一个可以包括下面组中的一个底盘、
壁以及盖。该配置可以还包括锁扣构件，用于在处于接合构造中时将该第一组件和该第二组件锁扣在一起。根据本发明的第二方面，提供一种电磁干扰屏蔽壳体，其包括接合在一起用以形成该壳体的多个组件，其中，这些组件中的至少两个根据前述权利要求中的任一项所述的
配置接合在一起。根据本发明的第三方面，提供一种用于形成屏蔽壳体的至少一部分的方法，其包括以下步骤提供第一导电组件，该第一导电组件包括第一导电接触表面；提供第二导电组件，该第二导电组件包括第二导电接触表面以及屏蔽部件，该屏蔽部件在与该第二导电表面相邻的位置处从该第二导电组件延伸；以及构造该第一导电组件与该第二导电组件，使得当该第一导电组件与该第二导电组件相接合以形成该壳体的至少一部分时，该第一导电表面和该第二导电表面邻接而产生与该屏蔽部件相邻的导电扣接区。较佳的是，该方法还包含构造该第一导电组件与该第二导电组件，使得在该接合构造中，该屏蔽部件会被设置成相邻于该扣接区的入口边缘，以屏蔽该扣接区的该入口边缘来防止向外发出电磁波。
现在将参考附图描述本发明的至少一个实施例的某些方面，在附图中图IA与IB分别示出了电磁干扰屏蔽配置的断面剖视图和断面透视图；图2A与2B分别示出了电磁干扰屏蔽配置的第二构造的断面剖视图和断面透视图；图3A与;3B分别示出了电磁干扰屏蔽配置的第三构造的断面剖视图和断面透视图；图4A与4B分别示出了电磁干扰屏蔽配置的第四构造的断面剖视图和断面透视图；图5A与5B分别示出了电磁干扰屏蔽配置的第五构造的断面剖视图和断面透视图；以及图6A与6B分别示出了电磁干扰屏蔽配置的第六构造的断面剖视图和断面透视图。
具体实施例方式将参考附图的任何一个或多个图式中具有相同参考标号的特征来作说明。为达本说明的目的，除非有相反意图，否则，具有相同参考标号的那些特征具有相同的(多项)功能或(多项)操作。下文中所述的电磁干扰(EMI)屏蔽配置构成EMI屏蔽壳体的一部分。然而，为对其主要特征的清楚与简化的说明起见，本文参考并未示出整个壳体的断面图示来说明该EMI 屏蔽配置。在下文中说明了 EMI屏蔽配置的六种构造。这六种构造中的每一种参考六组附图 1A、1B至6A、6B中的相应的一组来作说明。在该些组图的每一组中，A图示出了屏蔽配置的各个构造的剖视图，而B图示出了屏蔽配置的各个构造的透视图。下面的说明的大部分是以更详细一些的A图为基础。所有图的断面性质以及B图的透视图则有助于在电磁屏蔽壳体的背景里面可视化该屏蔽配置，其中，描述的屏蔽配置是电磁屏蔽壳体的一部分。图IA示出了屏蔽配置1的一种构造的断面剖视图。图中所示的构造包括第一导电组件2和第二导电组件3。组件2与3会被构造成接合在一起，用以在它们的接合构造中 (在图IA中示出)形成导电扣接区4。第一组件2包括壁14以及位于壁14的周围处的周围凸缘5。该周围凸缘5包含第一接触表面6。第二组件3包括壁15以及屏蔽部件，该屏蔽部件具有屏蔽凸缘7的形式。对作为屏蔽凸缘的凸缘7的提及与凸缘7所实施的屏蔽功能有关，本文中稍后将作解释。边界边缘8在壁14的方向上由壁15的最远延伸线所限定。屏蔽凸缘7 (尤其是屏蔽凸缘7的基部70)与边界边缘8隔开。第二接触表面9形成在第二组件3上。第二接触表面9与边界边缘8相邻并且朝着第二组件3的屏蔽凸缘7延伸。第一接触表面6和第二接触表面9皆为导电性的。周围凸缘5和屏蔽凸缘7被构造成当第一组件2和第二组件3在它们的接合构造中被接合在一起时，使得第一导电接触表面6通过邻接的方式来扣接第二导电接触表面 9，用以在其间形成导电扣接区4。周围凸缘5经由形成在壁14中的弯部16形成。弯部16的角度使得凸缘5实质上或大体上垂直于壁14。同样地，屏蔽凸缘7被制造成同样垂直于壁15。此种直角配置特别适用于壁14与壁15实质上或大体上互相垂直时，如图IA中所示。然而，情况并非必须如此，而且壁14与壁15之间的角度以及周围凸缘5与屏蔽凸缘7从各自的壁14和15延伸的角度亦可以不是90°。对于屏蔽凸缘7，必须注意的是，越大的角度可能会增加绕过屏蔽凸缘7并抵达被屏蔽区域12的电磁辐射11的量。另一方面，小于90°的角度则可能导致屏蔽凸缘7干扰铆钉13的本体。因为第一组件2或第二组件3中的每一个是壳体中的外壳壁的一部分，所以全部第一组件和第二组件都由导电材料制成并被配置成连接至接地端。壁14与15、屏蔽凸缘7 以及扣接区4的导电性质能够使屏蔽配置1减少外送或外来电磁波的传播。为进一步改良屏蔽配置1的屏蔽作用，组件2与3被配置成在接合构造中，使得屏蔽凸缘7被设置成相邻于扣接区4的入口边缘17。如此一来，屏蔽凸缘7会屏蔽扣接区4 的入口边缘17，防止向外发出电磁波10，如图IA中所示。此处，应该注意的是，扣接区4的入口区域在名义上被称为“入口边缘”，以便对应于图IB中的单线代表符号17进行查阅。然而，由于制造公差的关系，接触表面6与9通常不是完全的平坦。据此，导电扣接区4将不是连续的平面表面，而是具有复杂形状的有裂缝的空间。接触表面6与9之间的导电接触的点、线以及面可以分散于整个此空间之中。因此，“入口边缘” 17的用意是表示扣接区4的入口区域，外送波18需要跨越该区域以便经由扣接区4中的间隙漏出。取决于周围凸缘5的边缘的平整性、接触表面6与9的平坦性、以及壁14与15之间的适配性，举例来说，“入口边缘” 17可以具有平面表面的形式或者具有更回旋形状表面的形式。如图IA中所示，电磁波11能够环绕屏蔽凸缘7前进并且进入扣接区4附近的被屏蔽区域12。然而，电磁波11并不会直接达到扣接区4的入口边缘17。为能够接近入口边缘17，电磁波11必须经过一连串的反射。因此，仅有非常少量的电磁波11能够抵达允许它们跨越入口边缘17并可以经由扣接区4中的间隙漏出的位置18。在组件2与组件3的接合构造中，第二组件3的边界边缘8实质上或大体上与第一组件2的壁14的平面表面对齐。此处，应该注意的是，涉及边界边缘8是因为边缘8为壁15的相对于其宽度(或长度)限定壁15的边界的最远延伸线。图IB为图IA中所示的屏蔽配置1的构造的断面透视图。如图IA与IB中所示， 壁14与15、第一接触表面6、第二接触表面9、周围凸缘5以及屏蔽凸缘7实质上或大体上为平面。然而，可以想到的是，这些元件中的至少某一些可以包括弯曲表面。应该注意的是， 第一接触表面6与第二接触表面9的形状应该彼此一致，以便形成接触扣接区4。图IA与IB还示出铆钉13形式的锁扣构件，用以在第一组件2和第二组件3处于它们的接合构造中时将它们锁扣在一起。除了铆钉13之外，锁扣构件还可以具有螺丝、螺栓等的形式。如上文中所提，图IA与IB中所描述的EMI屏蔽配置1被视为以壳体为背景(未示出)，以便容纳一个或多个电子元件。因此，壁14与15仅代表这类壳体的相应底盘、侧壁或是顶盖的一部分。据此，第一组件2和第二组件3的接合构造应该被视为形成此类壳体的一部分(即，接合边缘)。图2A与2B分别示出了与图IA中所示的构造非常类似的构造的断面剖视图和断面透视图。唯一的差别在于图2A与2B中的屏蔽凸缘7是被附接至第二组件3的壁15的单独组件。该附接本身经由熔接、胶黏(使用导电胶)或是任何其它附接手段来进行，其可确保在屏蔽凸缘7与壁15之间有实质上或大体上连续的导电扣接。图3A示出了略微不同的构造，其中，第二组件3包括弯部19，该弯部19形成包括唇部21的折边20。在经过90°的弯部观之后，此构造中的屏蔽凸缘7从折边20的唇部 21处延伸。尽管图3A中的屏蔽凸缘7由形成壁15的板的边缘形成，但是并不限定壁15的边界边缘。取而代之的是，边界边缘8现在是由弯部19来限定，因为此弯部19针对壁15的宽度(长度)划定了该壁15的边界。唇部21的宽度22限定了在边界边缘8和屏蔽凸缘7的基部70之间的空间。如图1A、1B以及2A、2B中的情况，屏蔽凸缘7实质上或大体上垂直于组件3的壁 15。虽然弯部观可以使用90°以外的其它角度，但是要注意的是，越大的角度可能会增加绕过屏蔽凸缘7并抵达被屏蔽区域12的电磁辐射11的量。另一方面，小于90°的角度则可能导致屏蔽凸缘7干扰铆钉13的本体。第一导电表面6再次由周围凸缘5来限定。然而，第二导电接触表面现在却由唇部21的导电表面23来限定。因此，当第一组件2和第二组件3处于接合构造中时，导电表面23以导电接触周围凸缘5的第一导体表面6的方式被扣接。图;3B示出了图3A的构造的断面透视图。图4A的断面剖视图及图4B的断面透视图中示出了所描述的屏蔽配置1的进一步构造。与图3A与;3B中所示的配置的唯一差别是屏蔽凸缘7包括两个延伸部分M与25。包含经由90°弯部沈与27形成的延伸部分M与25进一步总体上限制了抵达被屏蔽区域12尤其是抵达入口边缘17的电磁波11的量。箭头四的顺序指示了外送电磁波达到扣接区4所需要经过的迂回路径范例。数个箭头四以虚线绘制。虚线箭头指示在第二组件3的结构中包含延伸部分M与25所带来的对迂回路径的贡献。弯部沈与27包括90°的角度。因此，延伸部分M以实质上或大体上垂直于屏蔽凸缘7的主体和第一组件2的壁14两者的方式延伸，而延伸部分25则以实质上或大体上垂直于壁14的方式延伸。即使可以使用其它角度，应该注意的是，弯部沈、27和观的特殊角度以及屏蔽凸缘7和延伸部分M与25的长度都会影响为被屏蔽区域12所提供的屏蔽作用的效率以及铆钉13的可用空间。虽然延伸部分M与25被包含在图4A与4B中所示的构造之中；不过，可替代的构造可以仅使用单一延伸部分对，相较于仅包括屏蔽凸缘7的构造，其仍可改良屏蔽配置1的屏蔽效率。图5A示出了屏蔽配置的一种构造的断面剖视图，其中，凸缘25包括具有多个凹窝指状部31形式的导电构成部。这些指状部31中每一个的表面32被配置成用于导电扣接第一组件2的导电壁14。由指状部31所进行的导电扣接改良了屏蔽配置1的效率。图5B示出了图5A中所示的构造的断面透视图。从图5B中可以看见，由这些导电凹窝指状部31所提供的屏蔽作用并不完整，因为这些凹窝指状部31的接触表面32并不构成连续的导电表面。图6A示出了屏蔽配置的又一种构造的断面剖视图。图6B示出了图6A的构造的断面透视图。在此构造中，凸缘25的导电构成部具有导电狭缝33的形式。导电狭缝33包括实质上或大体上连续的导电接触表面34，该导电接触表面34被构造成用于与壁14的相应连续导电表面35形成实质上或大体上连续的导电接触。接触表面34为球状或半球状。 对应的接触表面35由形成在壁14中的沟槽或其它凹部的内表面所构成。亦可以采用其它配置，其中举例来说，接触表面34可以为平坦状并且扣接无变形壁14的表面。前述构造中所示的每一个元件皆由导电材料所制成。组件2与3的壁14与15的表面中的某些部分虽然可以非导体涂料来漆涂，但是表面6与9、32、34、以及35的情况却非如此。这些表面的导体性对于跨越相应的扣接区提供良好接触的效果是非常重要的，以便保持本文所讨论的屏蔽配置的屏蔽效率。必须注意的是，图3A、3B至6A、6B中所示的电磁屏蔽配置的构造可以利用挤压的 (extruded)金属板来制造。此制造过程(其包含挤压金属板并且利用折边与弯部来形成屏蔽凸缘7以及延伸部分M与25)通常比较容易设计和自动化。相比于前面的配置，这是与图3AJB至6A、6B中所示的构造相关联的额外的优点。前文仅说明了本发明的某些实施例，但仍可在不脱离本发明的范畴与精神的情况下对这些实施例进行修正及/或改变。这些实施例是示例性的而非限制性的。举例来说，上面的说明是针对用于构成容纳有一个或更多个电子元件的EMI屏蔽壳体的一部分的两个组件之间的EMI屏蔽配置而提出的。据此，根据上述配置的包括被接合在一起的至少两个组件的壳体同样落在上面说明的范畴里面。此外，虽然针对屏蔽配置对源自相应壳体的外送EMI的效应对屏蔽配置进行了说明，但类似的考虑亦可适用于任何外来EMI。这样的外来EMI会经由扣接区4中的间隙并循着与箭头四所标记的路径反向的路径进入屏蔽壳体。
权利要求
1.一种电磁干扰屏蔽配置，其包括被配置成相接合的第一导电组件和第二导电组件， 其中所述第一导电组件包括第一导电接触表面；以及所述第二导电组件包括第二导电接触表面以及屏蔽部件，所述屏蔽部件在与所述第二导电表面相邻的位置处从所述第二导电组件延伸；所述配置使得在所述第一导电组件和所述第二导电组件的接合构造中，所述第一导电表面和所述第二导电表面邻接而产生与所述屏蔽部件相邻的导电扣接区。
2.如权利要求1所述的屏蔽配置，其中，在所述接合构造中，所述屏蔽部件被设置成相邻于所述扣接区的入口边缘，以屏蔽所述扣接区的所述入口边缘，防止向外发出电磁波。
3.如权利要求1或权利要求2所述的屏蔽配置，其中，所述第二导电组件包括边界边缘，并且所述屏蔽构件与所述边界边缘隔开。
4.如权利要求3所述的屏蔽配置，其中，所述屏蔽构件包括屏蔽凸缘。
5.如权利要求4所述的屏蔽配置，其中，所述第一导电组件包括周围凸缘，所述周围凸缘位于所述第一导电组件的周围并包括第一导电连接表面。
6.如权利要求5所述的屏蔽配置，其中，所述屏蔽部件、所述周围凸缘以及所述第一接触表面和第二接触表面都是平面。
7.如权利要求6所述的屏蔽配置，其中所述第一导电组件包括第一平面壁以及垂直于所述第一平面壁突出的屏蔽凸缘；以及所述第二导电组件包括第二平面壁以及垂直于所述第二平面壁突出的屏蔽凸缘。
8.如权利要求7所述的屏蔽配置，其中，所述第二导电组件的所述边界边缘对齐所述第一组件的第一平面壁。
9.如权利要求8所述的屏蔽配置，其中，所述第二导电组件包括形成折边的弯部，所述配置使得所述折边的唇部限定所述第二接触表面并且所述屏蔽凸缘从所述唇部延伸。
10.如权利要求9所述的屏蔽配置，其中，所述弯部限定所述第二导电组件的边界边缘。
11.如权利要求9或权利要求10所述的屏蔽配置，其中，所述屏蔽凸缘包括第一延伸部分，所述第一延伸部分朝着所述第一导电组件的第一平面壁延伸。
12.如权利要求11所述的屏蔽配置，其中，所述屏蔽凸缘包括第二延伸部分，所述第二延伸部分在平行于所述第一导电组件的所述第一平面壁的方向上从所述第一延伸部分延伸。
13.如权利要求12所述的屏蔽配置，其中，所述第二延伸部分包括导电构成部，该导电构成部被配置成用于与所述第一导电组件的所述第一平面壁的导电表面导电扣接。
14.如权利要求13所述的屏蔽配置，其中，所述导电构成部包括多个凹窝指状部。
15.如权利要求13所述的屏蔽配置，其中，所述导电构成部包括连续的导体表面，该连续的导体表面被配置成扣接所述第一组件的相应连续表面，以形成连续的扣接区。
16.如权利要求15所述的屏蔽配置，其中，所述导电构成部包括狭缝。
17.如前述权利要求中任意一项所述的屏蔽配置，其中，所述第一导电组件和所述第二导电组件中的每一个包括以下组中的一个底盘、壁以及盖。
18.如前述权利要求中任意一项所述的屏蔽配置，其中，所述配置还进一步包括锁扣构件，用于在处于所述接合构造中时将所述第一组件和所述第二组件锁扣在一起。
19.一种电磁干扰屏蔽壳体，其包括接合在一起以形成所述壳体的多个组件，其中，这些组件中的至少两个根据前述权利要求中任意一项所述的配置接合在一起。
20.一种用于形成屏蔽壳体的至少一部分的方法，所述方法包括以下步骤提供第一导电组件，该第一导电组件包括第一导电接触表面；提供第二导电组件，该第二导电组件包括第二导电接触表面以及屏蔽部件，所述屏蔽部件在与所述第二导电表面相邻的位置处从所述第二导电组件延伸；以及构造所述第一导电组件与所述第二导电组件，使得当所述第一导电组件与所述第二导电组件相接合以形成所述壳体的至少一部分时，所述第一导电表面和所述第二导电表面邻接而产生与所述屏蔽部件相邻的导电扣接区。
21.如权利要求20所述的形成屏蔽壳体的方法，所述方法还包括构造所述第一导电组件和第二导电组件，使得在所述接合构造中，所述屏蔽部件被设置成相邻于所述扣接区的入口边缘，以屏蔽所述扣接区的所述入口边缘，防止向外发出电磁波。
全文摘要
一种电磁干扰屏蔽配置，其包括被配置成相接合的第一导电组件和第二导电组件。该第一导电组件包含第一导电接触表面。该第二导电组件包含第二导电接触表面以及屏蔽部件，该屏蔽部件在与该第二导电表面相邻的位置处从该第二导电组件延伸。该配置使得在该第一导电组件和该第二导电组件的接合构造中，该第一导电表面和该第二导电表面邻接而产生与该屏蔽部件相邻的导电扣接区。
文档编号H05K7/14GK102577656SQ201080033412
公开日2012年7月11日 申请日期2010年4月20日 优先权日2010年4月20日
发明者郭柏铨, 黄文彬 申请人:安特精密科技有限公司