专利名称：一种晶体生长监测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到一种晶体生长监测装置。
背景技术：
晶体在我们日常生活中的应用越来越广泛，而且大多数晶体都是人工合成的。现有晶体的制作方法大都采用提拉法，为了确保晶体的质量，需要控制晶体在生长过程中的 各种条件，而调控晶体生长条件的前提就是通过检查晶体在生长过程中重量的变化来判断是否需要改变晶体生长条件。原有方法都是通过人工观察晶体的直径变化来判断晶体的生长情况，由于提拉法中的晶体是需要旋转并同时上下移动的，这就对检测人员的眼力要求很高，但是在晶体上下移动并旋转的情况下，检测人员还是很难判断晶体的直径变化，很容易是检测人员发生眩晕。这样生产出来的晶体就很难保证其质量。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种自动监测晶体质量变化的晶体生长监测装置。为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为一种晶体生长监测装置，包括支架和设置在支架内的提升轴、支架内顶端设置有称重传感器，所述称重传感器的下端固定设置有基座，基座内转动设置有从动吊装装置，从动吊装装置的上端位于基座内，其下端伸出基座，提升轴的上端固定设置在从动吊装装置下端内，提升轴上套设有传动套，且传动套的上端位于从动吊装装置下端外侧，且传动套的上端与从动吊装装置的下端之间通过弹性装置连接，传动套的下端从支架中穿出并于位于支架外部的驱动传动套转动的驱动装置相连，提升轴的下端也从支架内穿出。所述弹性装置为环形垫片。所述环形垫片上沿其圆周方向上开设有若干个大致呈Y形的孔，该孔的三段均呈弧形，且均与环形垫片同心，远离圆心的孔的弧形段的弧度大于靠近圆心的孔的弧形段的弧度且该两弧形段之间半圆形过度。所述环形垫片上沿其圆周方向上开设有三个大致呈Y形的孔。所述从动吊装装置包括转动设置基座内的短轴和与短轴相连的短套，短套位于基座下侧。本实用新型的有益效果是上述结构的晶体生产控制装置可自动监测晶体生长时的质量变化，而且晶体的旋转和上下移动不会影响其监测效果。
图I是本实用新型一种晶体生长监测装置的结构示意图；图2是图I中环形垫片的结构图。图中1、支架，2、提升轴，3、称重传感器，4、基座，5、短轴，6、短套，7、传动套，8、环形垫片，9、孔。
具体实施方式
以下结合附图，详细描述本实用新型的具体实施方案。如图I所示，本实用新型所述的一种晶体生长监测装置，包括支架I和设置在支架I内的提升轴2、支架I内顶端设置有称重传感器3，所述称重传感器3的下端固定设置有基座4，基座4内转动设置有从动吊装装置。从动吊装装置包括通过轴承转动设置基座4内的短轴5和与短轴相连的短套6，短套6位于基座4下侧。在实际生产时，短轴5也可跟短套6 一体成型。提升轴2的上端固定设置在短套6内。提升轴2上套设有传动套7，且传动套7的上端位于短套6外侧。因为本实用新型晶体生长监测装置在安装时，传动套7和短套6在垂直方向上有微小的偏移，且安装尺寸固定，所以传动套7的上端与短套6之间通过弹性装置相连可抵消偏移带来的影响。如图2所示，弹性装置可以为环形垫片8。环形垫片8的内边缘与短套6的外壁固定连接，环形垫片8的外边缘与传动套7的内壁固定连接。所述 环形垫片8上沿其圆周方向上开设有若干个大致呈Y形的孔9，该孔9的三段均呈弧形，且均与环形垫片8同心，远离圆心的孔9的弧形段的弧度大于靠近圆心的孔9的弧形段的弧度且该两弧形段之间半圆形过度。在实际生产时，孔9的数量可根据实际要求设定。传动套7的下端从支架I中穿出并于位于支架I外部的可驱动传动套7转动的驱动装置(因现有技术，图中未示出)相连，提升轴2的下端也从支架I内穿出。本实用新型的工作过程是因为在提拉法和旋转法中，晶体在结晶的过程中需要旋转并上下移动，所以利用驱动装置驱动传动套7转动，传动套7通过环形垫片8带动短套6转动,短套6再带动短轴5在基座4内转动,称重传感器3在测量晶体重量时不受短轴5的转动影响。同时，短套6还带动提升轴2转动，随着提升轴2的转动,挂在提升轴2下端的晶体也开始转动。晶体的上下移动则通过上下移动晶体生长监测装置和驱动装置来实现。上述工作过程中，称重传感器3不受影响，能很好的监测晶体的重量变化，从而给结晶条件提供一个很好的参考。
权利要求1.一种晶体生长监测装置，包括支架和设置在支架内的提升轴、支架内顶端设置有称重传感器，其特征在于所述称重传感器的下端固定设置有基座，基座内转动设置有从动吊装装置，从动吊装装置的上端位于基座内，其下端伸出基座，提升轴的上端固定设置在从动吊装装置下端内，提升轴上套设有传动套，且传动套的上端位于从动吊装装置下端外侧，且传动套的上端与从动吊装装置的下端之间通过弹性装置连接，传动套的下端从支架中穿出并于位于支架外部的驱动传动套转动的驱动装置相连，提升轴的下端也从支架内穿出。
2.根据权利要求I所述的一种晶体生长监测装置，其特征在于所述弹性装置为环形垫片。
3.根据权利要求2所述的一种晶体生长监测装置，其特征在于所述环形垫片上沿其 圆周方向上开设有若干个大致呈Y形的孔，该孔的三段均呈弧形，且均与环形垫片同心，远离圆心的孔的弧形段的弧度大于靠近圆心的孔的弧形段的弧度且该两弧形段之间半圆形过度。
4.根据权利要求3所述的一种晶体生长监测装置，其特征在于所述环形垫片上沿其圆周方向上开设有三个大致呈Y形的孔。
5.根据权利要求I或2或3或4所述的一种晶体生长监测装置，其特征在于所述从动吊装装置包括转动设置基座内的短轴和与短轴相连的短套，短套位于基座下侧。
专利摘要本实用新型公开了一种自动监测晶体质量变化的晶体生长监测装置，包括支架和设置在支架内的提升轴、支架内顶端设置有称重传感器，所述称重传感器的下端固定设置有基座，基座内转动设置有从动吊装装置，从动吊装装置的上端位于基座内，其下端伸出基座，提升轴的上端固定设置在从动吊装装置下端内，提升轴上套设有传动套，且传动套的上端位于从动吊装装置下端外侧，且传动套的上端与从动吊装装置的下端之间通过弹性装置相连，传动套的下端从支架中穿出并于位于支架外部的驱动传动套转动的驱动装置相连。本实用新型的优点是上述结构的晶体生产控制装置可自动监测晶体生长时的质量变化，而且晶体的旋转和上下移动不会影响其监测效果。
文档编号C30B15/22GK202380129SQ20112055626
公开日2012年8月15日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日
发明者伊戈尔库兹涅佐夫, 伊戈尔柯尔克, 刘春艳, 毕成, 胡春霞, 马克菲列格勒 申请人:苏州优晶光电科技有限公司