专利名称：区熔石墨舟的制作方法
技术领域：
区熔石墨舟技术领域[0001]本实用新型涉及一种石墨舟，特别涉及一种区熔石墨舟。
背景技术：
[0002]区熔法是一种利用局部区域熔化后，通过熔区的运动进行提纯的方法，它是一种制备高纯单晶的方法，广泛应用于硅锗等单晶的制备。区熔法主要可分为水平区熔法和悬浮区熔法两种，两种方法生产工艺不同。[0003]物质的固相和液相在密度差的驱动下，均会发生运动，因而可通过区域熔炼控制或者重新分配存在于原料纸的可溶性杂质。同时区熔法可有效消除分凝效应，也可将所期望的杂质均匀掺入晶体中，并在一定程度上控制盒消除位错、包裹体等结构缺陷。[0004]区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶晶向相同。 区熔法适宜生长那些在熔点温度时具有非常强的溶解能力的材料，可生长熔点极高或活性较强的材料。区熔法主要分为两种，即水平区熔法和悬浮区熔法。水平区熔提纯是只把材料锭的一部分熔化形成熔区，并使熔区从锭条的一端移动另一端。因为每次熔化的仅是锭条的一部分，当熔区第二次在锭首时，由于杂质浓度较高的尾部没被熔化，所以小熔区中的杂质浓度一定比原来锭的杂质浓度要小，熔区移动后，新凝固的固相杂质浓度要比第一次小。这样当熔区一次次通过锭条时，材料就能逐渐被提纯，使中间部分纯度达到要求的程度。生产中，锗锭放在一个清洁处理过的高纯区熔石墨舟中，舟放入石英管中，区熔时，石英管内填充氢气或其他惰性气体保护或者抽真空，防止锗在高温时被氧化。现有区熔石墨舟为整体结构，杂质的流动仅仅靠区熔过程中产生的动力，影响到提纯的质量，无杂质储存的区域，不易区分杂质。实用新型内容本实用新型的目的是解决上述不足，提供一种杂质流动具有更好的导向性，且具有存放杂质的区域的，区熔石墨舟 。[0006]实现本实用新型目的的技术方案是一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体，开设在石墨舟本体内部的凹槽，所述石墨舟本体中还具有杂质凹槽，凹槽与杂质凹槽之间由隔块间隔开。[0007]上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽与凹槽的接触面为梯形结构，另一端即尾端为半圆形。[0008]上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽的深度为凹槽深度的60%。[0009]上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽与凹槽的长度比为1:7。[0010]上述的区熔石墨舟，所述隔块(为轴截面为梯形的隔块。[0011]本实用新型具有积极的效果(I)采用两段设计，能够对杂质流动有较好的导向性；(2)具有单独的杂质储存区域，提闻提纯效率。
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中图I为本实用新型的结构示意图的俯视图；图2为本实用新型的剖面示意图。其中I石墨舟本体，2凹槽，3杂质凹槽，4隔块。
具体实施方式
见图1，本实用新型具有石墨舟本体1，开设在石墨舟本体I内部的凹槽2，凹槽2 两个顶端间的长度为405mm,深度为36mm ;石墨舟本体I中还具有杂质凹槽3,凹槽3的长度为57mm，深度为21. 6mm,凹槽2与杂质凹槽3之间由隔块4间隔开，隔块4的轴截面为梯形，杂质凹槽3与凹槽2的接触面为梯形，另一端即尾端为半圆形。以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体(I)，开设在石墨舟本体(I)内部的凹槽(2 )，其特征在于所述石墨舟本体(I)中还具有杂质凹槽(3)，凹槽(2)与杂质凹槽(3)之间由隔块(4)间隔开。
2.根据权利要求I所述的区熔石墨舟，其特征在于所述杂质凹槽(3)与凹槽(2)的接触面为梯形，另一端即尾端为半圆形。
3.根据权利要求I所述的区熔石墨舟，其特征在于所述杂质凹槽(3)的深度为凹槽(2)深度的60%。
4.根据权利要求I所述的区熔石墨舟，其特征在于所述杂质凹槽(3)与凹槽(2)的长度比为1:7。
5.根据权利要求I所述的区熔石墨舟，其特征在于所述隔块(4)的轴截面为梯形的隔块。
专利摘要本实用新型涉及一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体(1)，开设在石墨舟本体(1)内部的凹槽(2)，所述石墨舟本体(1)中还具有杂质凹槽(3)，凹槽(2)与杂质凹槽(3)之间由隔块(4)间隔开。本实用新型采用两段设计，能够对杂质流动有较好的导向性；具有单独的杂质储存区域，提高提纯效率。
文档编号C30B13/14GK202786492SQ20122049292
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月25日 优先权日2012年9月25日
发明者吴建洪 申请人:常州市立新石墨有限公司