一种多晶硅铸锭炉热场结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种在进行半融工艺时避免子晶过度融化的多晶硅铸锭炉热场结构。该多晶硅铸锭炉热场结构，包括炉体，所述炉体内设置有下托保温板与保温罩，保温罩与下托保温板共同构成保温隔热笼，所述保温隔热笼内设置有坩埚、坩埚护板、石墨底板、石墨盖板、侧部加热器、顶部加热器、热交换平台，坩埚护板的上端设置有尾气排放孔，还包括进气管，所述坩埚护板包括上护板与下护板，上护板与下护板拼接在一起。由于上护板与下护板是拼接在一起的，因此，上护板与下护板之间存在拼接缝隙，这样坩埚底部的热量会透过拼接缝隙快速的散失掉，从而避免子晶被过度融化，使子晶保持在半融状态。适合在多晶硅生产设备领域推广应用。
【专利说明】一种多晶硅铸锭炉热场结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅生产设备领域，尤其是一种多晶硅铸锭炉热场结构。
【背景技术】
[0002]太阳能电池可以将光能转换为电能，是现代节能社会发展的一个重点。根据基体材料的不同，现有的太阳能电池分为多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池和类单晶硅太阳能电池。其中，单晶硅太阳能电池的转化效率高，但生产成本也高，多晶硅太阳能电池的转化效率比单晶硅太阳能电池低1%_2%，但其生产成本也低，而类单晶硅太阳能电池是介于单晶硅电池和多晶硅太阳能电池之间的电池。综合考虑，目前市场上的太阳能电池仍以多晶硅太阳能电池为主。
[0003]现有用于生产多晶硅太阳能电池的多晶硅锭通常采用铸锭工艺制的，铸锭工艺一般是通过多晶硅铸锭炉热场结构实现的，现有的多晶硅铸锭炉热场结构包括，包括炉体，炉体上设置有抽气孔，所述炉体内设置有下托保温板与保温罩，保温罩放置在下托保温板上，保温罩与下托保温板共同构成保温隔热笼，所述保温罩上连接有能够使保温罩上下移动的升降杆，所述保温隔热笼内设置有坩埚、坩埚护板、石墨底板、石墨盖板、侧部加热器、顶部加热器、热交换平台，所述石墨底板放置在热交换平台上，坩埚放置在石墨底板上，坩埚护板设置在坩埚外侧，侧部加热器设置在坩埚护板的外侧，石墨盖板设置在坩埚上方，顶部加热器设置在石墨盖板上方，所述热交换平台通过石墨立柱固定在炉体底部，坩埚护板的上端设置有尾气排放孔，还包括进气管，所述进气管依次穿过炉体、保温罩、顶部加热器、石墨盖板后伸入坩埚内。
[0004]目前的铸锭工艺，首先是经过喷涂-装料工序后，再进入铸锭工序。
[0005]喷涂:硅料高温熔化后会与坩埚发生反应，引入杂质，并且造成粘锅，影响硅锭的质量，所以需要在坩埚与硅料之间喷涂一层氮化硅溶液，利用氮化硅可以有效的隔离硅料与坩埚，氮化硅溶液喷涂完成以后，再进行高温烘干，将氮化硅溶液中的水分蒸发，就可以使坩埚内壁附着一层氮化硅涂层。
[0006]装料:坩埚烘干以后，将散碎的硅料，按顺序、要求及重量将硅料装入坩埚中。
[0007]装完料的坩埚就可以进行下一步的铸锭工艺，首先将装好料的坩埚装入铸锭炉的炉体内，按要求装好后，将铸锭炉合盖，合盖以后的铸锭炉，就形成一个密封的腔室，将装好硅料的坩埚密封在铸锭炉内部，开始运行铸锭工艺，整个铸锭工艺分6个过程，抽真空-加热_熔化_长晶_退火_冷却。
[0008]S11、抽真空:将炉体内的空气从抽气孔抽走，防止升温的过程中空气中的氧气与硅料发生氧化反应，影响硅锭质量。抽真空是利用真空泵将炉体内的空气抽出，直到达到设备开启要求。
[0009]S12、加热:抽真空完成以后，进入加热阶段，加热是为了快速使硅料升温接近熔化温度，此时炉腔内的环境为真空环境，可以有利于将附着在硅料表面的水蒸气，通过抽真空的方法抽出，并且快速升温。[0010]S13、熔化:熔化过程中，需要在密封的腔室内填充氩气，避免附着在坩埚内壁的氮化硅涂层发生分解反应，氩气是通过进气管充入炉体内。熔化开始后，炉体内开始充气，按工艺程序充气到规定压力后，开始动态保持。
[0011]S14、长晶:熔化完成的硅料，开始进行长晶，长晶的过程是将炉体内部的保温罩向上升，液态硅从底部开始散热，底部的液态硅变成固态硅，并伴随着保温罩的上升及热量的散失，缓慢向上凝固，直至整个硅锭凝固完成。
[0012]S15、退火:由于长晶过程在底部开始，并伴随保温罩升起，直至顶部，这样顶底之间因为散热的原因，就会存在一定得温度差，产生内应力。退火的作用就是在保证恒温环境下，消除温度差，从而消除内应力。
[0013]S16、冷却:在炉腔内快速冷却硅锭到出炉温度。
[0014]另外，在利用多晶硅铸锭装置进行半融工艺加工时，保温隔热笼不需要封闭，保温罩与下托保温板之间有间隙，便于散热，但是需要在坩埚底部铺设一层子晶，而在对硅料进行加热熔化时，子晶需保持在半融状态，这就需要对加热器进行严格精确的控制才能实现，操作起来极为困难，很容易使子晶过度融化。
实用新型内容
[0015]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种在进行半融工艺时避免子晶过度融化的多晶硅铸锭炉热场结构。
[0016]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:该多晶硅铸锭炉热场结构，包括炉体，炉体上设置有抽气孔，所述炉体内设置有下托保温板与保温罩，保温罩放置在下托保温板上，保温罩与下托保温板共同构成保温隔热笼，所述保温罩上连接有能够使保温罩上下移动的升降杆，所述保温隔热笼内设置有坩埚、坩埚护板、石墨底板、石墨盖板、侧部加热器、顶部加热器、热交换平台，所述石墨底板放置在热交换平台上，坩埚放置在石墨底板上，坩埚护板设置在坩埚外侧，侧部加热器设置在坩埚护板的外侧，石墨盖板设置在坩埚上方，顶部加热器设置在石墨盖板上方，所述热交换平台通过石墨立柱固定在炉体底部，坩埚护板的上端设置有尾气排放孔，还包括进气管，所述进气管依次穿过炉体、保温罩、顶部加热器、石墨盖板后伸入坩埚内，所述坩埚护板包括上护板与下护板，上护板与下护板拼接在一起。
[0017]进一步的是，所述下护板的高度与铺设在坩埚底部的子晶厚度一致。
[0018]进一步的是，所述下护板的上端面设置有凹槽，在上护板的下端面设置有与凹槽相匹配的凸起。
[0019]进一步的是，所述石墨盖板上设置有多个通孔。
[0020]进一步的是，所述炉体底部安装有溢流毯，所述溢流毯为四层结构，从上到下依次为针织陶瓷纤维毯层、针织陶瓷纤维毯层、陶瓷纤维毯层、碳毡层，所述针织陶瓷纤维毯层的厚度为10mm、针织陶瓷纤维毯层的厚度为10mm、陶瓷纤维毯层的厚度为25mm、碳毡层的厚度为10mm。
[0021]进一步的是，所述溢流毯的上表面安装有溢流丝。
[0022]进一步的是，在相邻的石墨立柱之间均设置有溢流丝。
[0023]进一步的是，所述下托保温板上设置有多个溢流孔。[0024]本实用新型的有益效果是:本实用新型对坩埚护板进行改进，可以有效避免子晶被过度融化，即所述坩埚护板包括上护板与下护板，上护板与下护板拼接在一起，由于上护板与下护板是拼接在一起的，因此，上护板与下护板之间存在拼接缝隙，这样坩埚底部的热量会透过拼接缝隙快速的散失掉，从而避免子晶被过度融化，使子晶保持在半融状态。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1是本实用新型多晶硅铸锭炉热场结构的结构示意图；
[0026]图2是本实用新型所述石墨盖板的结构示意图；
[0027]图3是本实用新型所述溢流毯的结构示意图；
[0028]图中标记为:炉体1、抽气孔2、下托保温板3、保温罩4、升降杆5、坩埚6、坩埚护板
7、石墨底板8、石墨盖板9、侧部加热器10、顶部加热器11、热交换平台12、尾气排放孔13、进气管14、通孔17、溢流毯18、溢流丝19、溢流孔20、石墨立柱22。
【具体实施方式】
[0029]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0030]如图1至3所示，该多晶硅铸锭炉热场结构，包括炉体1，炉体I上设置有抽气孔2，所述炉体I内设置有下托保温板3与保温罩4，保温罩4放置在下托保温板3上，保温罩4与下托保温板3共同构成保温隔热笼，所述保温罩4上连接有能够使保温罩4上下移动的升降杆5，所述保温隔热笼内设置有坩埚6、坩埚护板7、石墨底板8、石墨盖板9、侧部加热器10、顶部加热器11、热交换平台12，所述石墨底板8放置在热交换平台12上，坩埚6放置在石墨底板8上，坩埚护板7设置在坩埚6外侧，侧部加热器10设置在坩埚护板7的外侧，石墨盖板9设置在坩埚6上方，顶部加热器11设置在石墨盖板9上方，所述热交换平台12通过石墨立柱22固定在炉体I底部，坩埚护板7的上端设置有尾气排放孔13，还包括进气管14，所述进气管14依次穿过炉体1、保温罩4、顶部加热器11、石墨盖板9后伸入坩埚6内，所述坩埚护板7包括上护板71与下护板72，上护板71与下护板72拼接在一起。本实用新型对坩埚护板7进行改进，可以有效避免子晶被过度融化，即所述坩埚护板7包括上护板71与下护板72，上护板71与下护板72拼接在一起，由于上护板71与下护板72是拼接在一起的，因此，上护板71与下护板72之间存在拼接缝隙，这样坩埚6底部的热量会透过拼接缝隙快速的散失掉，从而避免子晶被过度融化，使子晶保持在半融状态。
[0031]在上述实施方式中，为了尽可能的使子晶保持在半融状态，所述下护板72的高度与铺设在坩埚6底部的子晶厚度一致，这样就使得拼接缝隙正好处于硅料与子晶的接触面，既可以避免子晶被过度融化，同时又不会对硅料的融化造成太大影响。
[0032]为了便于将上护板71与下护板72拼接在一起，所述下护板72的上端面设置有凹槽，在上护板71的下端面设置有与凹槽相匹配的凸起。在拼接时只需将设置在上护板71上的凸起放入下护板72上设置的凹槽内即可，操作非常方便。
[0033]在长晶过程中，坩埚6内部从上到下需具有一定的温度梯度，即坩埚6内的温度从上向下逐渐减小，温度梯度变化越明显，铸锭的生长速度越快，坩埚6内上部的温度主要是靠顶部加热器11提供，顶部加热器11的热量透过石墨盖板9后再传递到坩埚6内，由于经过石墨盖板9的阻隔，石墨盖板9上方的温度要高于石墨盖板9下方的温度，由于现有的多晶硅铸锭炉热场结构的侧部加热器10和顶部加热器11都是统一控制的，而且在长晶阶段，温度必须控制在一定的范围，这就是使得侧部加热器10和顶部加热器11都只能以相同的功率工作，也就是说侧部加热器10和顶部加热器11提供的热量是一定的，若要使坩埚6内上部的温度较高，就必须使更多热量能够透过石墨盖板9传递到坩埚6内，从而使坩埚6内温度梯度变化明显，本实用新型提供了一种简单有效的方式来达到坩埚6内温度梯度变化明显的目的，即在所述石墨盖板9上设置有多个通孔17，通过在石墨盖板9上设置多个通孔17，顶部加热器11的热量可以毫无阻隔的通过通孔17传递到坩埚6内，使得坩埚6内上部的温度相对于原来而言能够有所提高，从而使坩埚6内的温度梯度变化明显，进而增加铸锭的生长速度，这种方式只需在原有的石墨盖板9上打几个通孔17即可，基本不会增加成本，同时改装也很方便。
[0034]多晶硅铸锭炉热场结构在使用过程中，有时会发生硅液溢流的现象，一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液会沿热交换平台12流到下方的下托保温板3上，接着硅液再从下托保温板3的边缘滴落到炉体I的底部，由于硅液温度较高，硅液很容易将炉体I烧穿从而引发事故，为了避免溢流的硅液将炉体I烧穿，所述炉体I底部安装有溢流毯18，溢流毯18将溢流出的硅液与炉体I隔开，有效避免了硅液将炉体I烧穿，即使硅液将溢流毯18烧穿，此时硅液的温度也较低，不会对炉体I造成太大的损失。为了防止硅液将溢流毯18烧穿，所述溢流毯18为四层结构，从上到下依次为针织陶瓷纤维毯层、针织陶瓷纤维毯层、陶瓷纤维毯层、碳毡层，所述针织陶瓷纤维毯层的厚度为10mm、针织陶瓷纤维毯层的厚度为10mm、陶瓷纤维毪层的厚度为25mm、碳租层的厚度为10mm。
[0035]为了使操作人员及时知晓是否发生了硅液溢流，所述溢流毯18的上表面安装有溢流丝19，一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液落在溢流毯18后就会将安装在溢流毯18表面的溢流丝19烧断，溢流丝19烧断后会发出报警信号，提示操作人员进行相关操作。由于溢流的硅液很容易沿石墨立柱22向下流，因此，为了能够及时快速的监测溢流现象的发生，在相邻的石墨立柱22之间均设置有溢流丝19。由于溢流的硅液流到下托保温板3后要流到下托保温板3的边缘才能继续向下流，这样就导致溢流现象发生一段时间后才能监测至IJ，这样就增加了发生事故的几率，因此，为了及时快速的监测是否发生了硅液溢流现象，所述下托保温板3上设置有多个溢流孔20，通过在下托保温板3上设置溢流孔20，当硅液流到下托保温板3后可以直接从溢流孔20流到下方的溢流毯18上，进而将设置在溢流毯18上设置的溢流丝19烧断，从而达到快速监测的目的。
【权利要求】
1.一种多晶硅铸锭炉热场结构，包括炉体(1)，炉体(I)上设置有抽气孔(2)，所述炉体(I)内设置有下托保温板(3)与保温罩(4)，保温罩(4)放置在下托保温板(3)上，保温罩(4)与下托保温板(3)共同构成保温隔热笼，所述保温罩(4)上连接有能够使保温罩(4)上下移动的升降杆(5)，所述保温隔热笼内设置有坩埚(6)、坩埚护板(7)、石墨底板(8)、石墨盖板(9)、侧部加热器(10)、顶部加热器(11)、热交换平台(12)，所述石墨底板(8)放置在热交换平台(12)上，坩埚(6)放置在石墨底板(8)上，坩埚护板(7)设置在坩埚(6)外侧，侧部加热器(10)设置在坩埚护板(7)的外侧，石墨盖板(9)设置在坩埚(6)上方，顶部加热器(11)设置在石墨盖板(9)上方，所述热交换平台(12)通过石墨立柱(22)固定在炉体(I)底部，坩埚护板(7)的上端设置有尾气排放孔(13)，还包括进气管(14)，所述进气管(14)依次穿过炉体(I)、保温罩(4)、顶部加热器(11)、石墨盖板(9)后伸入坩埚(6)内，其特征在于:所述坩埚护板(7)包括上护板(71)与下护板(72)，上护板(71)与下护板(72)拼接在一起。
2.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:所述下护板(72)的高度与铺设在坩埚(6)底部的子晶厚度一致。
3.如权利要求2所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:所述下护板(72)的上端面设置有凹槽，在上护板(71)的下端面设置有与凹槽相匹配的凸起。
4.根据权利要求1至3中任意一项权利要求所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:所述石墨盖板(9)上设置有多个通孔(17)。
5.如权利要求4所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:所述炉体(I)底部安装有溢流毯(18)，所述溢流毯(18)为四层结构，从上到下依次为针织陶瓷纤维毯层、针织陶瓷纤维毯层、陶瓷纤维毯层、碳毡层，所述针织陶瓷纤维毯层的厚度为10mm、针织陶瓷纤维毯层的厚度为10mm、陶瓷纤维毪层的厚度为25mm、碳租层的厚度为10mm。
6.如权利要求5所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:所述溢流毯(18)的上表面安装有溢流丝(19)。
7.如权利要求6所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:在相邻的石墨立柱(22)之间均设置有溢流丝(19)。
8.如权利要求7所述的多晶硅铸锭炉热场结构，其特征在于:所述下托保温板(3)上设置有多个溢流孔(20)。
【文档编号】C30B29/06GK203530487SQ201320715247
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】陈五奎, 李军, 马涛, 徐文州, 冯加保, 虎春萍 申请人:乐山新天源太阳能科技有限公司