高频传输线路及电子设备的制作方法

文档序号:8090291阅读:324来源:国知局
高频传输线路及电子设备的制作方法
【专利摘要】作为高频传输线路的扁平电缆(60)中的传输线路部(10)的结构为,其第1区域(100S)和第2区域(100H)交互连接。第1区域(100S)为具有柔软性的三片型传输线路,包括:电介质坯体(110),该电介质坯体包括信号导体(40);第1接地导体(20),该第1接地导体包括开口部(24);以及第2接地导体(30),该第2接地导体为整体导体。第2区域(100H)为较硬的三片型传输线路,包括:加宽的电介质坯体(111H),该电介质坯体包括蛇形导体(40H);以及第1接地导体(20H)和第2接地导体(30H),该第1接地导体和第2接地导体为整体导体。第2区域(100H)的特性阻抗的变化幅度(ΔR1)与第1区域(100S)的特性阻抗的变化幅度(ΔR0)相比较大。
【专利说明】高频传输线路及电子设备

【技术领域】
[0001]本发明涉及传输高频信号的薄型高频传输线路及包括该高频传输线路的电子设备。

【背景技术】
[0002]以往,作为传输高频信号的高频线路,以同轴电缆为代表。同轴电缆包括:中心导体(信号导体),该中心导体呈向一个方向延伸的形状(向信号传输方向延伸的形状);以及屏蔽导体,该屏蔽导体设置为沿该中心导体的外周面呈同心圆状。
[0003]然而,近年来,随着包括移动通信终端在内的高频设备的小型化、薄型化的推进,出现了终端壳体中无法保证用以设置同轴电缆的空间的情况。另外,同轴电缆较硬,不容易通过弯曲、屈折来进行布线。
[0004]为解决使用了像这样的同轴电缆而产生的问题,使用如专利文献I和专利文献2所示的高频传输线路得到了广泛关注。虽然高频传输线路在宽度上比同轴电缆更宽,但其更加薄,因此在终端壳体内只有狭窄缝隙的情况下,十分有用。另外,高频传输线路由于采用具有挠性的电介质坯体作为基材,具有柔软性,能易于通过弯曲、屈折进行布线。
[0005]专利文献1、专利文献2中记载的高频传输线路,具有三片型(tr1-plate)的带状线(strip line)构造作为基本的构造。
[0006]专利文献1、专利文献2中示出的高频传输线路包括具有挠性和绝缘性的平板状电介质坯体。电介质坯体为一条直线状延伸的长条形状。在与电介质坯体的厚度方向正交的第2面上,设置有第2接地导体。第2接地导体将基材片材的第2面几乎完全覆盖,即所谓的整体导体图案(?夕導体^夕一 >)。与基材片材的第I面相对的第I面上,设置有第I接地导体。在与长度方向和厚度方向正交的宽度方向的两端,第I接地导体包括长条导体,该长条导体呈沿长度方向延伸的形状。两根长条导体在长度方向上以特定间隔被设置,通过在宽度方向上延伸的桥接导体连接。由此,第2接地导体形成为,由特定的开口长度形成的开口部沿长度方向排列形成的形状。
[0007]在电介质坯体的厚度方向的中间,以特定宽度形成有特定厚度的信号导体。信号导体为在与第I接地导体的长条导体部以及第2接地导体平行的方向上延伸的长条状。信号导体形成在电介质坯体的宽度方向的大致中央处。
[0008]这种结构中,俯视高频传输线路(从与第I面和第2面正交的方向观察),信号导体相对于第I接地导体仅桥接导体重合,在其他区域则被设置在开口部内。
[0009]采用像这样的形状,在具有特定的传输特性的同时,高频传输线路能实现薄型化,能实现易于通过使其弯曲、屈折进行布线的构造。另外,这里所说的弯曲、屈折,是指高频传输线路的平板面整体并不存在于同一平面上,而是表现出了立体变形的状态。换言之,是指相对于高频传输线路的平板面,在厚度方向弯曲特定角度的状态。
现有技术文献专利文献
[0010]专利文献1:国际公开第2011/007660号刊物专利文献2:日本实用新型专利第3173143号说明书


【发明内容】

发明所要解决的技术问题
[0011]然而,所述结构的高频传输线路中,产生了如下所示的问题。图14是为说明以往结构的高频传输线路产生的问题,示出了特性阻抗的分布特性的图。
[0012]以往的高频传输线路中,第I接地导体包括沿长度方向的数个开口部。由此,第I接地导体和信号导体,只在桥接导体的设置部位沿厚度方向相对。因此,在沿长度方向的桥接导体的位置上C性(=电容性)最高,在开口部的中央L性(=电感性)最高。
[0013]由于桥接导体如所述那样以特定间隔设置,以往的高频传输线路的特性阻抗对应于桥接导体的设置间隔呈周期性变化。而且,为在高频传输线路的整个长度上得到所期望的特性阻抗而进行设定。
[0014]上述特性阻抗的设定是在高频传输线路不弯曲的状态下进行。由此,在高频传输线路不弯曲的状态下,如图14(A)所示,对应于桥接导体的设置间隔,特性阻抗发生迁移,全长中的期望的特性阻抗Z0。这时,特性阻抗的实数振幅ARO为定值。
[0015]但是,高频传输线路弯曲的情况下,在弯曲部处,信号导体和第I接地导体以及第2接地导体的位置关系发生变化。这种情况下弯曲部的特性阻抗发生变化。并且,基于弯曲状态,例如图14(B)所示,在开口部L性增加,弯曲部的特性阻抗的实数的振幅AR0’比未弯曲部分的特性阻抗的实数振幅ARO要大。
[0016]在这里,高频传输线路整体的特性阻抗非常依存于特性阻抗的实数振幅的最大值。由此,高频传输线路弯曲时,特性阻抗的实数振幅的最大值发生变化,则高频特性线路整体的特性阻抗也发生变化。例如,如图14(B)所示,具有弯曲部的状态下的高频传输线路整体的特性阻抗Z0’,与未弯曲状态下的高频传输线路整体的特性阻抗ZO不同。因此,RF信号的传输损失增加,传输特性呈现劣化。
[0017]本发明的目的在于提供一种高频传输线路和电子设备,即使将其部分向厚度方向弯曲其整体的特性阻抗也几乎不发生变化。
解决技术问题所采用的技术方案
[0018]本发明的高频传输线路具有以下特征。高频传输线路包括:电介质坯体、信号导体和第I接地导体。电介质坯体为具有挠性的平板,其一个方向较长,在相对于该长度方向正交的方向上具有特定宽度,并且具有特定厚度。信号导体被设置在电介质坯体上,呈沿长度方向延伸的形状。第I接地导体沿信号导体被配置在电介质坯体上。
[0019]信号导体和第I接地导体至少其中一方其特性阻抗沿着长度方向呈周期性变化,并且其形状包括第I区域和第2区域,该第I区域和第2区域特性阻抗的变化幅度不同。第2区域的特性阻抗的变化幅度与第I区域的特性阻抗的变化幅度相比要大。
[0020]该结构中,高频传输线路全体的特性阻抗由第2区域的特性阻抗支配。由此,即便将第I区域弯曲,第I区域的特性阻抗发生变化,由于第2区域的特性阻抗未发生变化,作为高频传输线路全体的特性阻抗也几乎不发生变化。
[0021]另外,本发明的高频传输线路优选采用下述结构。高频传输线路的第I区域中,第I接地导体呈沿长度方向延伸的形状,包括:两个长条导体,所述两个该长条导体以被相互间隔开的方式设置在宽度方向的两端,呈沿长度方向延伸的形状;以及数个桥接导体,所述数个桥接导体以沿着长度方向空开间隔的方式连接所述两个长条导体。第2接地导体为在另一端面几乎整面形成的导体。
[0022]该结构中的高频传输线路的第I区域的具体的形状例被示出。采用像这样的形状,第I接地导体的结构呈沿着长度方向排列设置数个未形成导体的部分即开口部。由此,第I区域中,比电介质坯体更硬的导体所占据的比例变小,形成了易于弯曲或屈折的结构。
[0023]另外,该发明的高频传输线路的第2区域的形状优选为:通过在输入端和输出端之间进行传送,高频信号的相位被旋转规定量。
[0024]该结构中第2区域还起到相位调整电路的作用。由此,将输入的高频信号通过高频传输线路传输的同时,能以特定的相位进行输出。
[0025]另外,本发明的高频传输线路优选采用下述结构。高频传输线路的第2区域中,信号导体为导体线路,该导体线路的长度使得对于高频信号而言,相位被旋转规定量。高频传输信号的第2区域中,第I接地导体为在一个端面的几乎整面上形成的导体。
[0026]该结构中,高频传输线路的第2区域通过分布常数线路实现。由此,能够起到频率特性优良的相位调整电路(延迟线)的作用。另外,由于第I接地导体和第2接地导体是所谓的整体导体,因此使得第2区域更硬,弯曲和屈折较困难。
[0027]另外,本发明的高频传输线路优选采用下述结构。高频传输线路的第2区域中包括第3接地导体,该第3接地导体形成在厚度方向上与信号导体大致相同的位置上,该第3接地导体的形状为与信号导体保持大致特定的间隔而平行延伸的形状,该第3接地导体与第I接地导体高频连接。
[0028]该结构中,构成相位调整电路的导体线路被地线包围。由此,作为相位调整电路的特性能被高精度地设定,期望的相位旋转量也能被高精度地实现。
[0029]另外,本发明的高频传输线路中,优选第2区域的宽度与第I区域的宽度相比更宽。
[0030]该结构中,通过使得第2区域的面积较宽,能够使得第2区域更硬,弯曲或屈折较困难。
[0031]另外,本发明的高频传输线路中优选采用下述结构。高频传输线路的第2区域在该高频传输线路的长度方向上有数个,数个该第2区域的特性阻抗的变化幅度优选大致相同。
[0032]该结构中,没有弯曲或屈折的数个第2区域的特性阻抗几乎相同,因此能够使得高频传输线路全体的特性阻抗更稳定。
[0033]另外,本发明的高频传输线路中,优选具有第2接地导体,该第2接地导体在与第I接地导体相反的一侧形成并将信号导体包夹其间。
[0034]由此,三片型的传输线路能得到实现。
[0035]另外,本发明的高频传输线路中,长度方向的至少其中一端上,优选包括与信号导体连接的连接器部件。
[0036]该结构中,由于具有连接器部件,能够方便地将高频传输线路连接至外部电路基板等。
[0037]并且,本发明涉及的电子设备,其特征在于如下结构。电子设备包括:上所的任一项记载的高频传输线路;数个安装电路基板,所述数个安装电路基板利用高频传输线路进行连接;以及壳体,该壳体将安装电路基板内藏其中。
[0038]该结构中,示出了使用上述高频传输线路的电子设备。采用上述的高频传输线路,即使以弯曲或屈折的方式使用高频传输线路,传输损失也不会增加,能在安装电路基板之间传输高频信号。
[0039]另外,本发明的电子设备中,优选高频传输线路中,第I区域中的至少一处部位呈弯曲的形状。
[0040]该结构中,能使高频传输线路的设置方式得到增加。更进一步,无论在哪一种设置方式中使其弯折,高频传输线路的特性阻抗都为定值。由此,电子设备内的高频信号的传输特性得以提闻。
发明效果
[0041]通过本发明,即使扁平电缆的部分被弯曲,整体的特性阻抗也几乎不发生变化。由此,能实现不受使用方式影响、传输特性稳定的扁平电缆。

【专利附图】

【附图说明】
[0042]图1是发明的实施方式I涉及的扁平电缆60的外观透视图。
图2是示出了本发明的实施方式I涉及的扁平电缆的传输线路部的第I区域的结构的分解透视图。
图3是示出了本发明的实施方式I涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
图4是示出了本实施方式涉及的扁平电缆的传输线路部沿长度方向的特性阻抗分布特性的图。
图5是示出了本发明的实施方式I涉及的便携电子设备的部件结构的侧面剖视图和平面剖视图。
图6是示出了本发明的实施方式2涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
图7是示出了本发明的实施方式2涉及的扁平电缆的传输线路部沿长度方向的特性阻抗分布特性的图。
图8是示出了本发明的实施方式3涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
图9是示出了本发明的实施方式4涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
图10是示出了本发明的实施方式5涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
图11是示出了本发明的实施方式6涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
图12是示出了本发明的实施方式7涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。 图13是宽度一定的情况下扁平电缆的外观透视图。
图14是为说明以往结构的扁平电缆产生的问题,示出了特性阻抗的分布特性的图。

【具体实施方式】
[0043]针对本发明的实施方式I涉及的扁平电缆,参照附图进行说明。图1是本发明的实施方式I涉及的高频传输线路即扁平电缆60的外观透视图。图1(A)是示出了扁平电缆全长中不弯曲的状态。图1(B)、图1(C)示出了扁平电缆部分弯曲的状态,图1(C)比图1(B)的弯曲更大。另外,透视图中,图1(A)中将设置有同轴连接器一侧作为上表面,图1 (B)、图1(C)中将设置有同轴连接器一侧作为下表面。
[0044]图2是示出了本发明的实施方式I涉及的扁平电缆的传输线路部的第I区域的结构的分解透视图。图3是示出了本发明的实施方式I涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0045]扁平电缆60包括传输线路部10和同轴连接器61。传输线路部10呈平板状并且呈长条状。传输线路部10的结构为,第I区域100S、第2区域100H、第I区域100S、第2区域100H、第I区域100S沿长度方向相互连续。
[0046]同轴连接器61有两个,分别被设置在传输线路部10的长度方向的两端。同轴连接器61,通过转换座62设置在传输线路部10的第2主面(相当于本发明的另一面)侧。同轴连接器61的图中未示出的中心导体被连接在传输线路部10的信号导体40 (参照图2、图3)的端部。另外,同轴连接器61的图中未示出的外部导体被连接在传输线路部10的第2接地导体30上。另外,同轴连接器61和转换座62可省略,不是同轴方式亦可。在省略的情况下,将传输线路部10的两端附近的信号导体40、第I接地导体20和第2接地导体30向外部露出即可。另外,使同轴连接器61的设置面不同也可。例如,将一端的同轴连接器61设置在第I主面侧,另一端的同轴连接器61设置在第2主面侧也可。
[0047]传输线路部10如图1所示,外观上形成的形状为:平板状的电介质坯体110被保护层120和保护层130从该电介质坯体110的厚度方向的两端夹住。具体的,在电介质坯体110的厚度方向一端端面即第I主面侧,在电介质坯体110的几乎整个面上形成保护层130。在电介质坯体110的厚度方向另一端端面即第2主面侧,在电介质坯体110的几乎整个面上形成保护层120。
[0048]针对构成传输线路部10的第I区域100S和第2区域100H的具体结构进行说明。
[0049](A)第I区域100S (参照图2)
第I区域100S包括电介质还体110,该电介质还体110由第I电介质层111和第2电介质层112构成。电介质坯体110为具有特定厚度的挠性平板。电介质坯体110,在沿着平板面的第I方向上延长。在沿着该平板面上与长度方向(第I方向)正交的方向上有特定宽度。电介质坯体110由例如,聚酰亚胺膜或液晶高分子等具有挠性的材料组成。
[0050]信号导体40为平面膜状,在第I电介质层111和第2电介质层112的层间形成。在电介质坯体110的宽度方向的大致中央处形成。信号导体40的宽度比电介质坯体110的宽度更窄,更具体的是比后述的构成第I接地导体20的长条导体21、22的宽度方向的间隔更窄。信号导体40在电介质坯体110的厚度方向的中间处形成。信号导体40的厚度方向的位置被设定为可获得传输线路部10期望的特性阻抗。换言之,第I电介质层111和第2电介质层112的厚度被设定为可获得传输线路部10期望的特性阻抗。信号导体40由导电性高的材料,如铜(Cu)等形成。
[0051]第I接地导体20在电介质坯体110的第I主面(第I电介质层111侧的表面)上形成。第I接地导体20包括长条导体21、22和桥接导体23。第I接地导体20也由导电性高的材料,如铜(Cu)等形成。
[0052]长条导体21、22为沿电介质坯体110的长度方向的长条状。长条导体21在电介质坯体110的宽度方向的一端形成,长条导体22在电介质坯体110的宽度方向的另一端被形成。长条导体21、22沿电介质坯体110的宽度方向形成特定间隔。
[0053]桥接导体23是在电介质坯体110的宽度方向上延伸的形状。沿电介质坯体110的长度方向,隔一定间隔形成有数个桥接导体23。由此,从与第I主面侧正交的方向观察(沿厚度方向观察),在桥接导体23间形成开口部24。
[0054]像这样,第I接地导体20呈在长度方向上延伸的梯子形状。
[0055]第2接地导体30在电介质坯体110的第2主面(第2电介质层112侧的表面)上形成。第2接地导体30在电介质坯体110的几乎整个面上覆盖形成。第2接地导体30也由导电性高的材料,如铜(Cu)等形成。
[0056]第I接地导体20和第2接地导体30通过连接导体50被连接。连接导体50为所谓的导电性过孔导体,在厚度方向上贯通电介质坯体110。连接导体50形成在第I接地导体20上长条导体21、22和桥接导体23连接的位置处。
[0057]由这样的结构,传输线路部10的第I区域100S形成为,在电介质坯体110内形成的信号导体40被第I接地导体20和第2接地导体30包夹的形状。由此,所谓的三片型的传输线路能得以实现。此时,作为整体导体的第2接地导体30成为基准地线,梯子状的第I接地导体20成为辅助地线。
[0058]并且,在第I区域100S中,第I接地导体20上沿长度方向以特定间隔形成开口部,该开口部不形成导体。由此,对于第I区域100S,与将第I接地导体设置为与第2接地导体相同的整体电极的情况相比,能使导体相对于电介质坯体110的比例降低,电介质坯体的厚度变薄。由此,第I区域100S具有柔软性,成为容易相对于扁平电缆的平板面在厚度方向上以特定角度弯曲的形状。
[0059](B)第2区域100H (参照图3)
第2区域100H包括电介质坯体110H,该电介质坯体I1H由第I电介质层11IH和第2电介质层112H构成。电介质坯体IlOH为具有特定厚度的挠性平板。电介质坯体IlOH为比第I区域100S的电介质坯体110宽度更大的形状。另外,电介质坯体IlOH的宽度与第I区域100S的电介质坯体110的宽度具有相同水平也可。
[0060]电介质坯体IlOH由例如,聚酰亚胺膜或液晶高分子等具有挠性的材料组成。第I电介质层IllH与第I区域100S的第I电介质层111形成一体,第2电介质层112H与第I区域100S的第2电介质层112形成一体。S卩,第2区域100H的电介质坯体IlOH与第I区域100S的电介质坯体110形成一体。
[0061 ] 第2区域100H包括蛇形导体40H。蛇形导体40H在第I电介质层11IH和第2电介质层112的层间形成。蛇形导体40H的两端分别连接着与该第2区域100H连接的第I区域100S的信号导体40。像这样形状的蛇形导体40H在分布常数电路中起到与传输线路串联连接的电感的作用。由于传输的高频信号由蛇形导体40H传输,蛇形导体40H的长度被设定为该高频信号以期望的相位量旋转的长度。并且,像这样在分布常数电路中使用电感,电感量不随频率发生变化,可实现频率特性优良的相位调整电路。由此,在传输信号具有特定的频带情况下,也能低损失的传输。
[0062]第2区域100H包括第I接地导体20H。第I接地导体20H在电介质坯体IlOH的第I主面(第I电介质层11IH侧的表面)上形成。第I接地导体20H在电介质坯体IlOH的第I主面的几乎整个面上覆盖形成。即,第I接地导体20H在第2区域100H上为整体导体。第I接地导体20H也由导电性高的材料,如铜(Cu)等组成。第I接地导体20H和第I区域100S的第I接地导体20形成一体。
[0063]第2区域100H包括第2接地导体30H。第2接地导体30H在电介质坯体I1H的第2主面(第2电介质层112H侧的表面)上形成。第2接地导体30H在电介质坯体IlOH的第2主面的几乎整个面上覆盖形成。即,第2接地导体30H在第2区域100H上为整体导体。第2接地导体30H也由导电性高的材料,如铜(Cu)等组成。第2接地导体30H和第I区域100S的第2接地导体30形成一体。
[0064]第I接地导体20H和第2接地导体30H通过连接导体50H被连接。连接导体50H为所谓的导电性过孔导体,在厚度方向上贯通电介质坯体110H。俯视第2区域100H的情况下,在蛇形导体40H的形成区域以外的区域中形成多个连接导体50H。
[0065]利用该结构,在相邻连接的第I区域100S之间传输高频信号时,第2区域100H起到将该高频信号的相位以特定相位量旋转的相位调整电路的作用。由此,向扁平电缆60输入的高频信号被调整成特定相位输出。另外,第2区域中也可形成线圈状的电感图案或电容图案,第2区域也可以起到低通滤波器或高通滤波器等滤波器电路的作用。形成线圈状的电感图案的情况下,能够更容易地使得第2区域100H的阻抗高于形成有桥接导体23位置。
[0066]进一步,本实施方式的第2区域100H包括第3接地导体41。第3接地导体41在第I电介质层IllH和第2电介质层112H的层间形成。换言之,第3接地导体41沿着电介质坯体I1H的厚度方向,在与蛇形导体40H相同的位置形成。第3接地导体41形成与蛇形导体40H保持特定距离平行的形状。第3接地导体41通过连接导体50H,与第I接地导体20H和第2接地导体30H连接。通过像这样的结构,能高精度地设定在第2区域100H被实现的相位调整电路的特性。由此,能够更高精度地对高频信号给予特定的相位旋转量。更有,能将蛇形导体40H同外部环境屏蔽。由此,能抑制在蛇形导体40H发生的不必要的辐射向外部泄露。
[0067]另外,通过构成本实施方式的结构,第2区域100H中,由于形成蛇形导体40H被整体导体包夹的形状,导体相对于电介质坯体的比例变大。由此,比起第I区域100S,能更硬,形成难以弯曲的结构。更有,所述的实施方式的结构中,由于第2区域100H的宽度比第I区域100S的宽度更大,所以更硬,更难以弯曲的构造能得到实现。
[0068]并且,采用像这样的结构,扁平电缆60的传输线路部10沿长度方向,呈现如下所示的特性阻抗分布特性。图4是示出了本实施方式涉及的扁平电缆60的传输线路部10沿长度方向的特性阻抗分布特性的图。图4(A)示出了未弯曲的状态,图4(B)示出了第I区域100S弯曲的状态。
[0069]第I区域100S中,特性阻抗以与桥接导体23的设置间隔相对应的周期变化。具体地,在沿长度方向的桥接导体23的位置上,由于桥接导体23和信号导体40在厚度方向上相对,因此特性阻抗的C性(=电容性)增强,达到最小值。并且,在沿长度方向桥接导体23的中间位置、换言之为沿长度方向在开口部24的中心位置上,特性阻抗的L性最强,达到最大值。由此,第I区域100S上特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的变化幅度为ARO0
[0070]第2区域100H上,由于采用蛇形导体40H,在该蛇形导体40H的延伸方向的中间位置上,L性最强,特性阻抗达到最大值。另一方面,第2区域100H和第I区域100S的边界位置上,由于信号导体40和第I接地导体20H相对,C性变强,特性阻抗达到最小。由此,第2区域100H上特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的变化幅度为AR1。
[0071]这时,通过适当设定蛇形导体40H的长度,能使第2区域100H上的特性阻抗的最大值比第I区域100S的特性阻抗的最大值更高。由此,第2区域100H上的特性阻抗的变化幅度AR1,能比第I区域100S上的特性阻抗的变化幅度ARO更大。
[0072]在这里,还事先对第2区域100H上的特性阻抗的变化幅度ARl进行设定,使其大于特性阻抗变化幅度ARO由于第I区域100S弯曲或屈折而可能取到的最大值AR0’。
[0073]利用这样的结构,即便因为第I区域100S弯曲或屈折,第I区域100S的特性阻抗发生了变化,传输线路部10整体的特性阻抗的变化幅度的最大值为第2区域100H的特性阻抗的变化幅度AR1。
[0074]由此,即便第I区域100S被弯曲或屈折,传输线路部10整体的特性阻抗几乎不发生变化。
[0075]由此,在预先对第I区域100S的特性阻抗和第2区域100H的特性阻抗的分布进行设计,以使传输线路部10整体成为期望的特性阻抗ZO的方式事先对各部形状进行设定的情况下,将不受第I区域100S的弯曲或屈折影响,能保持传输线路部10整体的特性阻抗为定值。由此,传输特性优良的扁平电缆能得到实现。
[0076]例如,如图1 (B)、图1(C)所示,即便将第I区域100S作为弯曲部,将扁平电缆60弯曲后再使用,其传输特性也未劣化,能实现具有优良的传输特性的扁平电缆。
[0077]并且,第2区域100H沿传输方向的间隔、即阻抗的绝对值变高的位置之间的间隔(图4的「S」)优选为较短。通过缩短间隔S,能够提高对传输线路部10的传输-频率特性造成影响的驻波频率。由此,将间隔S调整的更短,使其达到远离传输的高频信号频率的高频率,能够提高传输信号的频带中传输线路部10的传输-频率特性。即,在传输信号的频带中,低损失的传输特性能得到实现。
[0078]更有,本实施方式的结构中,由于能够以特定相位量旋转高频信号的相位,因此在与例如高频用功率放大器这样的输出特性随相位不同的电路元件连接的情况下,能以调整成更适当的相位的状态提供高频信号。由此,能提高使用该扁平电缆的高频模块的特性(例如发送信号输出特性等)。
[0079]另外,所述的第2区域100H的连接导体50H的直径优选大于第I区域100S的连接导体50的直径。优选形成尽可能多的个数。由此,对于第2区域100H的弯曲,硬度能得到提闻。
[0080]如下文所示制造像这样结构的扁平电缆。
[0081]首先,准备两面贴铜的第I绝缘膜和两面贴铜的第2绝缘膜。
[0082]第I绝缘膜的第I主面侧的与第I区域100S对应的部分上,通过图案化处理形成第I接地导体20,与第2区域100H对应的部分上,通过图案化处理形成第I接地导体20H。
[0083]第I绝缘膜的第2主面侧的与第I区域100S对应的部分上,通过图案化处理形成信号导体40,与第2区域100H对应的部分上,通过图案化处理形成蛇形导体40H及第3接地导体41。
[0084]另外,第I绝缘膜上排列形成数个第I接地导体20、20H、信号导体40、蛇形导体40H和第3接地导体41的组。
[0085]第2绝缘膜的第2主面侧的与第I区域100S对应的部分上,通过图案化处理形成第2接地导体30,与第2区域100H对应的部分,通过图案化处理形成第2接地导体30H。另夕卜,第2绝缘膜上排列形成数个第2接地导体30、30H。
[0086]将第I绝缘膜和第2绝缘膜贴合,使得各第I接地导体20与第2接地导体30相对,第I接地导体20H和第2接地导体30H相对。这时,将第I绝缘膜和第2绝缘膜贴合,使得信号导体40、蛇形导体40H、第3接地导体41被设置在第I绝缘膜和第2绝缘膜之间。由此得到数个复合体,该复合体中,电介质坯体在厚度方向的中间位置上包括信号导体40、蛇形导体40H、第3接地导体41,而在该电介质坯体的两面上形成了第I接地导体20、20H和第2接地导体30、30H。
[0087]由该复合体分割出各个独立的传输线路部10。在传输线路部10上形成保护层120、130。在传输线路部10的长度方向的两端,并且在形成保护层130—侧的面上,通过转换座62设置同轴连接器61。
[0088]以所述结构形成的扁平电缆60能用在如下所示的便携电子设备上。图5㈧使示出了本发明的第I实施方式涉及的便携电子设备的部件结构的侧面剖视图,图5(B)是为说明该便携电子设备的部件结构的平面剖视图。
[0089]便携电子设备I包括薄型的设备壳体2。在设备壳体2内,设置有安装电路基板3A、3B和电池组4。安装电路基板3A、3B的表面上安装有数个IC芯片5和安装部件6。安装电路基板3A、3B和电池组4被设置在设备壳体2中,使得在俯视设备壳体2的情况下,电池组4被设置在安装电路基板3A、3B之间。在这里,由于设备壳体2被尽量作成薄型,在设备壳体2的厚度方向上,电池组4和设备壳体2的间隔极其狭窄。由此,无法在该间隔中设置同轴电缆。
[0090]然而,通过设置本实施方式示出的扁平电缆60,使得该扁平电缆60的厚度方向和设备壳体2的厚度方向一致,能够在电池组4和设备壳体2之间穿过扁平电缆60。由此,能通过扁平电缆60连接因电池组4设置在中间并相互间隔的安装电路基板3A、3B。
[0091]更有,即便在扁平电缆60同安装电路基板3A、3B连接的位置在设备壳体2的厚度方向上不同于电池组4上设置扁平电缆60平面、因而必须将扁平电缆60弯曲才能连接的情况下,采用本实施方式的结构能抑制传输损失,传输高频信号。
[0092]接着,针对本发明的实施方式2涉及的高频传输线路即扁平电缆,参照附图进行说明。图6是示出了本发明的实施方式2涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0093]本实施方式的扁平电缆60a的传输线路部1a与第I实施方式示出的传输线路部10的不同之处在于第2区域100HC的结构,其他结构相同。由此,只对不同的部分进行说明。
[0094]第2区域100HC包括平板导体40HC,该平板导体40HC在第I电介质层11IH和第2电介质层112H之间。沿着厚度方向观察,平板导体40HC在第2区域100HC几乎整面上形成。平板导体40HC即所谓的整体导体。
[0095]在与平板导体40HC不连接的位置上形成有数个连接第I接地导体20H和第2接地导体30H的连接导体50H。
[0096]由于像这样的结构,平板导体40HC、第I接地导体20H和第2接地导体30H、第1、第2电介质层111HU12H起到了连接在传输线路和地线之间的电容器的作用。
[0097]采用像这样的结构,使高频信号的相位旋转的相位调整电路也能实现。
[0098]并且,采用像这样的结构,扁平电缆60a的传输线路部1a沿长度方向,呈现如下所示的特性阻抗分布特性。图7是示出了本发明的实施方式2涉及的扁平电缆60a的传输线路部1a沿长度方向的特性阻抗分布特性的图。
[0099]第I区域100S上与第I实施方式相同,特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的变化幅度为AR0。
[0100]第2区域100HC中,采用平板导体40HC的第I接地导体20H和第2接地导体30H之间由于产生电容,C性增强,与第2区域100HC和第I区域100S之间的边界位置处相比,特性阻抗大幅减小,达到最小值。由此,第2区域100HC上特性阻抗的最大值和最小值之差即特性阻抗的变化幅度为AR2,比第I区域100S的变化幅度ARO要大。
[0101]在这里,还事先对第2区域100HC上的特性阻抗的变化幅度AR2进行设定,使其大于特性阻抗变化幅度ARO由于第I区域100S弯曲或屈折而可能取到的最大值AR0’。
[0102]采用像这样的结构,即便第I区域100S的特性阻抗因第I区域100S弯曲或屈折而发生变化,传输线路部10整体的特性阻抗的变化幅度的最大值为第2区域100HC的特性阻抗的变化幅度AR2。
[0103]由此,即便第I区域100S被弯曲或屈折,传输线路部1a整体的特性阻抗几乎不发生变化。
[0104]由此,在预先对第I区域100S的特性阻抗和第2区域100HC的特性阻抗的分布进行设计,以使传输线路部1a整体成为期望的特性阻抗ZO的方式事先对各部形状进行设定的情况下,将不受第I区域100S的弯曲或屈折影响,能保持传输线路部1a整体的特性阻抗为定值。由此,传输特性优良的扁平电缆能得到实现。
[0105]更有,本实施方式的结构中,第2区域100HC的构造是在厚度方向上,第1、第2电介质层111HU12H被作为整体电极的第I接地导体20H、平板导体40HC、第2接地导体30H包夹。由此,相对于向厚度方向的弯曲,第2区域100HC具有更硬的结构。由此,第2区域100HC由于呈更难弯曲的结构,第2区域100HC的特性阻抗的变化能得到抑制。
[0106]并且,第2区域100H沿传输方向的间隔、即阻抗的绝对值变高的位置之间的间隔(图7的「S」)优选为较短。通过缩短间隔S,能够提高对传输线路部10的传输-频率特性造成影响的驻波频率。由此,将间隔S调整的更短,使其达到远离传输的高频信号频率的高频率,能够提高传输信号的频带中传输线路部10的传输-频率特性。即,传输信号的频带中,低损失的传输特性能得到实现。【0107】 接着,针对本发明的实施方式3涉及的高频传输线路即扁平电缆,参照附图进行说明。图8是示出了本发明的实施方式3涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0108]本实施方式的扁平电缆60b的传输线路部1b与第2实施方式示出的传输线路部1a的不同之处在于第2区域100HC的结构和第I电介质层的结构,其他结构相同。由此,只对不同的部分进行说明。
[0109]第2区域100HC的第I电介质层IllH上形成有第I接地导体20Hbl、20Hb2。第I接地导体20Hbl、20Hb2为平板导体。第I接地导体20Hbl、20Hb2以特定间隔200Hb被分离。换言之,第2区域100HC上形成的第I接地导体,在沿着传输方向的中途位置上被分割。
[0110]第I接地导体20Hbl,与长条导体21、22连接,该长条导体21、22形成在与第I电介质层IllH连接的一边的第I电介质层111上。第I接地导体20Hbl,与长条导体21、22连接,该长条导体21、22形成在与第I电介质层IllH连接的另一边的第I电介质层111上。
[0111]第I接地导体20Hbl、20Hb2分别隔着第I电介质层111H,与平板导体40HC相对。
[0112]第I接地导体20Hbl、20Hb2分别通过单独的连接导体50H与第2接地导体30H连接。在未与平板导体40HC连接的位置上形成有数个这些连接导体50H。
[0113]采用像这样的结构,第I接地导体20Hbl和第2接地导体30H构成电容,第I接地导体20Hb2和第2接地导体30H构成电容,平板导体40HC和第2接地导体30H构成电容。并且,这些电容起到连接在传输线路和地线之间的电容的作用。
[0114]像这样的结构也能得到与上述的实施方式同样的作用效果。另外,采用本实施方式的结构的情况下,通过调整间隔200Hb的形状,换言之调整第I接地导体20Hbl、20Hb2的形状,能调整连接在传输线路和地线之间的电容的电容量。
[0115]另外,本实施方式中,示出了将第I接地导体进行分割的示例,但也可分割第2接地导体。
[0116]接着,针对本发明的实施方式4涉及的高频传输线路即扁平电缆,参照附图进行说明。图9是示出了本发明的实施方式4涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0117]本实施方式的扁平电缆60c的传输线路部1c与第2实施方式示出的传输线路部1a的不同之处在于第I电介质层和第2区域100HC的结构,其他结构相同。由此,只对不同的部分进行说明。
[0118]第2电介质层为电介质层1121、1122的两层结构。电介质层1121设置在第I电介质层111的一侧。电介质层1121的第I电介质层111 一侧上,在第I区域形成信号导体40,在第2区域形成平板导体40HC。电介质层1122的电介质层1121 —侧上,在第2区域形成平板导体42。形成平板导体42,使得其以特定面积与平板导体40HC相对。平板导体42通过连接导体50H与第2接地导体30H连接。
[0119]第2区域100HC的第I电介质层11IH上未形成导体(第I接地导体)。包夹第2区域100HC的第I区域100S的第I电介质层111上,在第2区域100HC—侧的端部分别形成有桥接导体23与长条导体21、22连接。
[0120]采用像这样的结构,平板导体40HC和平板导体42 (与第2接地导体30H连接)形成电容。并且,该电容起到连接在传输线路和地线之间的电容的作用。
[0121]采用像这样的结构,与未形成平板导体42的情况相比,平板导体40HC和第2接地导体之间产生的电容量会较大。通过调整平板导体42的形状,电容量能被调整。更有,通过调整平板导体40HC、42之间的电介质层1121的厚度也能调整电容量。
[0122]另外,本实施方式中,示出了平板导体42和第2接地导体30HC通过50H连接的示例,但也可以是平板导体40HC和平板导体42通过连接导体连接,将平板导体42和第2接地导体30HC之间的连接导体去除的结构。这种情况下,利用电介质层1122的厚度能调整电容。
[0123]接着,针对本发明的实施方式5涉及的高频传输线路即扁平电缆,参照附图进行说明。图10是示出了本发明的实施方式5涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0124]本实施方式的扁平电缆60d的传输线路部1d与第2实施方式示出的传输线路部1a的不同之处在于第2区域100HC的结构,存在差异,其他结构相同。由此,只对不同的部分进行说明。
[0125]第2区域100HC的第I电介质层IllH上形成平板导体42。平板导体42为在几乎整面上形成的平板导体,除去沿第I电介质层IllH的外周特定宽度的区域。平板导体42分离于长条导体21、22,该长条导体21、22在第I区域100S的第I电介质层111上形成。平板导体42上连接有布线导体421。布线导体421在第2区域100HC的第I电介质层IllH上形成。
[0126]包夹第2区域100HC的第I区域100S的第I电介质层111上,在第2区域100HC一侧的端部分别形成有桥接导体23与长条导体21、22连接。
[0127]第2区域100HC的第2电介质层112H上形成平板导体40HCd。平板导体40HCd也为在几乎整面上形成的平板导体,除去沿第2电介质层112H的外周特定宽度的区域。平板导体40HCd仅与在一边的第I区域100S上形成的信号导体40连接,与另一边的第I区域100S的信号导体40分离。该平板导体42从线状导体100分离的一侧,与第I电介质层IllH的形成布线导体421的一侧相同。
[0128]该分离侧的信号导体40,伸长到第2区域100HC为止。伸长到该第2区域100HC为止的信号导体40与第I电介质层IllH的布线导体421通过连接导体52连接。
[0129]由于这种结构,平板导体40HCd、42夹着第I电介质层IllH而相对,形成电容。并且,由于平板导体40HCd与一边的信号导体40连接,平板导体42与另一边的信号导体40连接,该电容起到与信号传输线串联连接的电容的作用。
[0130]更有,第2区域100HC的第2接地导体30Hd在除上述沿外周的特定宽度的区域以外形成开口。由于该结构,平板导体40HCd和第2接地导体30Hd的平板面不对向。由此,平板导体40HCd和第2接地导体30Hd之间,能几乎不发生静电容量结合。由此,只需要有串联电容的情况下,设置这样的开口即可。另外,并联电容也需要的情况下,不设置开口即可。
[0131]接着,针对本发明的实施方式6涉及的高频传输线路即扁平电缆,参照附图进行说明。图11是示出了本发明的实施方式6涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0132]本实施方式的扁平电缆60e的传输线路部1e与第2实施方式示出的传输线路部1a的不同之处在于第2区域100HC的结构,其他结构相同。由此,只对不同的部分进行说明。
[0133]第2区域100HC的第2电介质层112H上形成一对梳齿导体40HCel、40HCe2。梳齿导体40HCel、40HCe2分别与不同的信号导体40连接。梳齿导体40HCel、40HCe2被设置为它们各自的导体相互不连接的状态而螺合。换言之,梳齿导体40HCel、40HCe2的各导电指状件,在第2电介质层112H的宽度方向以特定间隔被设置。
[0134]由于像这样的结构,梳齿导体40HCel、40HCe2的各导电指状件之间产生静电容量,作为电容发挥作用。并且,该静电容量,由于在第2电介质层112H上即同一平面内耦合,很难因为受到配置在该平面外的导体影响而使电容量发生变化。
[0135]另外,该结构中,由各导电指状件的相对长度决定电容量,不受构成电容的导体间的电介质层的厚度影响。由此,设计的电容量能被可靠且正确的实现。
[0136]另外,该结构中,构成电容的梳齿导体40HCel、40Hce2被整体导体的第I接地导体20H和第2接地导体30H包夹,则相对于外部电磁场的屏蔽性能得到提高。
[0137]接着,针对本发明的实施方式7涉及的高频传输线路即扁平电缆,参照附图进行说明。图12是示出了本发明的实施方式7涉及的扁平电缆的传输线路部的第2区域的结构的分解透视图。
[0138]本实施方式的扁平电缆60f的传输线路部1f与第4实施方式示出的传输线路部1c的不同之处在于第I电介质层和第2区域100HC的结构,其他结构相同。由此,只对不同的部分进行说明。
[0139]第2电介质层为电介质层1121、1122的两层结构。电介质层1121设置在第I电介质层111的一侧。电介质层1121的第I电介质层111的一侧上,在第I区域100S形成信号导体40,在第2区域100HC形成平板导体40HCfl、40HCf2。平板导体40HCf l、40HCf2以特定间隔分离设置。平板导体40HCfl、40HCf2分别与不同的信号导体40连接。
[0140]电介质层1122的电介质层1121的一侧上,在第2区域100HC形成平板导体42。平板导体42与平板导体40HCfl、40HCf2分别以特定面积相对。
[0141]第2区域100HC的第I电介质层11IH上未形成导体(第I接地导体)。包夹第2区域100HC的第I区域100S的第I电介质层111上,在第2区域100HC—侧的端部分别形成有桥接导体23与长条导体21、22连接。
[0142]由于这种结构,平板导体40HCfl、42包夹电介质层1121而相对,形成电容。另外,平板导体40HCf2、42包夹电介质层1121而相对,形成电容。平板导体40HCfl、40HCf2分别与不同的信号导体40连接,因此该电容起到与信号传输线串联连接的两个电容的作用。
[0143]更有,第2区域100HC的第2接地导体30Hf在除上述沿外周的特定宽度的区域以外形成开口。由于该结构,平板导体42和第2接地导体30Hf的平板面不相对。由此,平板导体42和第2接地导体30Hf之间,能几乎不发生静电容量耦合。由此,只需要有串联电容的情况下,设置这样的开口即可。另外,并联电容也需要的情况下,不设置开口即可。
[0144]另外,所述各实施方式中,示出了第2区域100H、100HC比第I区域100S宽度更大的情况。然而,图13中示出的宽度一定的结构也可。图13是宽度一定的情况下扁平电缆的外观透视图。如图13所示,扁平电缆60’的传输线路部10’呈第I区域100S和第2区域100H’交替相连的形状。第I区域100S和第2区域100H’的宽度相同。只要第2区域100H’的刚性高于第I区域10S的刚性,则像这样宽度一定的结构也可。
[0145]另外,所述的各实施方式中,示出了第I区域100S上的开口部24的宽度一定的示例。然而,也可以是如下形状:从与桥接导体连接的端部开始,开口部的宽度向开口部的长度方向的中心逐渐变宽。由此,第I区域上的特性阻抗的剧烈的变化能得到抑制,传输损失也能进一步得到抑制。
[0146]另外,所述的各实施方式中,示出了第I区域100S上的信号导体40的宽度一定的示例。然而,加大与开口部相对部分的信号导体的宽度也可。这时,从厚度方向观察扁平电缆的情况下,信号导体被加宽为与长条导体不重叠的程度。由此,信号导体的高频阻抗能得到减小,扁平电缆的导体损失能得到减小。
[0147]另外,所述的实施方式中虽未做具体说明,但第2区域可以不是数个,而是一个。并且,第2区域设置为数个的情况下,各第2区域上的特性阻抗的变化幅度大致相同即可。由此,第2区域对于扁平电缆的特性阻抗的影响能进一步增大,作为扁平电缆,能实现更加稳定的特性阻抗。
[0148]另外,所述的各实施方式中,示出了以分布常数电路形成第2区域的相位调整电路的示例。然而,也可以通过集中常数电路元件即安装型线圈或安装型电容器来实现第2区域的相位调整电路。例如在采用安装型线圈的情况下,将信号导体40延伸至第2区域为止。信号导体40在第2区域内切断。第I电介质层IllH的表面上,形成两个安装用焊盘(land),利用过孔导体等连接在信号导体40上被切断后形成的两端上。在这两个安装用焊盘上安装安装型线圈。
[0149]另外,所述的各实施方式中,示出的例子是在第I接地导体和第2接地导体之间设置有信号导体的三片型传输线路,但上述结构同样使用于省略第2接地导体的微带线(micro strip)型的传输线路中。
[0150]另外,所述的各实施方式中,示出了扁平电缆的形态作为高频传输线路,但本发明不限于扁平电缆。即,也可以用于构成天线前端模块等RF电路基板的一部分的高频传输线路。
标号说明
[0151]1:便携电子设备、
2:设备壳体、
3A、3B:安装电路基板、
4:电池组、
5:IC芯片、
6:安装部件、
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、10’:传输线路部、
20、20H、20Hbl、20Hb2:第 I 接地导体、
21,22:长条导体、
30、30H、30Hd:第2接地导体、
23:桥接导体、
24,24a:开口部、
40:信号导体、40H:蛇形导体、
40HC、40HCd、40HCfl、40HCf2、42:平板导体、40HCel、40HCe2:梳齿导体、
41:第3接地导体、
50:连接导体、
60、60a、60b、60c、60d、60e、60f、60’:扁平电缆、
61:同轴连接器、
62:转换座、
100S --第I区域、
100H、100HC、100H’:第 2 区域、
110:电介质坯体、
111U11H:第I电介质层、
112、112H:第2电介质层、
1121U122:电介质层、
421:布线导体
【权利要求】
1.一种高频传输线路,包括:电介质坯体,该电介质坯体呈具有挠性的平板状,其一个方向较长,在相对于该长度方向正交的方向上具有特定宽度,并且具有特定厚度, 信号导体,该信号导体设置在该电介质坯体上,呈沿所述长度方向延伸的形状, 第I接地导体,该第I接地导体沿所述信号导体设置在所述电介质坯体上,其特征在于: 所述信号导体和所述第I接地导体至少其中一方其特性阻抗沿着长度方向呈周期性变化,并且其形状包括由该特性阻抗的变化幅度不同的第I区域和第2区域, 所述第2区域的特性阻抗的变化幅度与所述第I区域的特性阻抗的变化幅度相比要大。
2.如权利要求1所述的高频传输线路,其特征在于: 所述第I区域中, 所述第I接地导体呈沿所述长度方向延伸的形状,包括:两个长条导体,所述两个长条导体以被相互间隔开的方式设置在宽度方向的两端,呈沿长度方向延伸的形状;以及数个桥接导体,所述数个桥接导体以沿着所述长度方向空开间隔的方式连接所述两个长条导体。
3.如权利要求2所述的高频传输线路,其特征在于:所述第2区域的形状为:通过在输入端和输出端之间进行传送,高频信号的相位被旋转规定量。
4.如权利要求3所述的高频传输线路,其特征在于: 所述第2区域中, 所述信号导体为导体线路,所述导体线路的长度使得对于所述高频信号而言,相位被旋转所述规定量, 所述第I接地导体在所述一边端面的几乎整个面上形成。
5.如权利要求3所述的高频传输线路,其特征在于: 所述第2区域中,包括: 第3接地导体,该第3接地导体形成在所述厚度方向上与所述信号导体大致相同的位置上,该第3接地导体的形状为与所述信号导体保持大致特定的间隔而平行延伸的形状,该第3接地导体与所述第I接地导体高频连接。
6.如权利要求1-5中任一项所述的高频传输线路,其特征在于:所述第2区域的宽度与所述第I区域的宽度相比更宽。
7.如权利要求1-6中任一项所述的高频传输线路,其特征在于:所述第2区域在所述长度方向上有数个,数个所述第2区域的特性阻抗的变化幅度大致相同。
8.如权利要求1-7中任一项所述的高频传输线路,其特征在于,包括:第2接地导体,该第2接地导体在与所述第I接地导体相反的一侧形成并将所述信号导体包夹其间。
9.如权利要求1-8中任一项所述的高频传输线路,其特征在于,包括:连接器部件,该连接器部件在所述长度方向的至少一端,与所述信号导体连接。
10.电子设备,包括: 如权利要求1-9中任一项所述的高频传输线路; 数个安装电路基板,所述数个安装电路基板利用该高频传输线路进行连接;以及 壳体,该壳体将所述安装电路基板内藏其中。
11.如权利要求10所述的电子设备,其特征在于:所述高频传输线路中,所述第I区域中的至少一处部位呈弯曲的形状。
【文档编号】H05K1/02GK104412448SQ201380034262
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2013年6月27日 优先权日:2012年6月28日
【发明者】加藤登, 石野聪, 佐佐木纯, 用水邦明, 马场贵博, 池本伸郎 申请人:株式会社村田制作所
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