一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置制造方法

文档序号:8112635阅读:220来源:国知局
一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及单晶炉氩气系统,旨在提供一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置。该种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置包括氩气净化圈和顶面法兰,氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接,顶面法兰安装在单晶炉的腔体顶部,上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接;顶面法兰的上端开有通气孔,用于作为氩气的进入通道,每个氩气净化圈上都开有通气槽和通气孔,分别作为氩气净化圈上氩气的进口和出口。通过本实用新型的使用,能使进入炉体的氩气气流更加稳定均匀,保证炉体内气压及温度的稳定性,从而提高硅单晶棒的成晶率和成晶品质。
【专利说明】-种用于单晶枯生长妒的氣气分流装置

【技术领域】
[0001] 本实用新型是关于单晶炉氮气系统,特别涉及一种用于单晶娃生长炉的氮气分流 装置。

【背景技术】
[0002] 单晶炉在拉晶过程中需要持续地向炉体内通入氮气等惰性气体,保证单晶生长的 惰性气体环境及稳定的压力,同时氮气气流可W及时地带走娃单晶拉制过程中产生的娃氧 化物和杂质挥发物,保证娃单晶棒的成晶率和成晶品质。如果炉体内氮气气流不均匀、稳 定,不仅影响娃氧化物和杂质挥发物及时排出,也会影响单晶炉上轴系统的稳定性,直接影 响娃单晶棒的成晶率和成晶品质。为解决该方面的问题,有必要提供一种氮气分流装置,使 进入炉体的氮气气流稳定均匀,有利于娃氧化物和杂质挥发物及时排出,保证单晶炉上轴 系统的稳定性,从而提高娃单晶棒的成晶率和成晶品质。 实用新型内容
[0003] 本实用新型的主要目的在于克服现有技术中的不足,提供一种能使进入炉体内的 氮气气流稳定均匀、提高娃单晶棒的成晶率和成晶品质的氮气分流装置。为解决上述技术 问题,本实用新型的解决方案是:
[0004] 提供一种用于单晶娃生长炉的氮气分流装置,包括氮气净化圈和顶面法兰,氮气 净化圈至少设有两个,且氮气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接;顶面法兰安装在单晶 炉的腔体顶部,上端的氮气净化圈的一端与顶面法兰连接;
[0005] 顶面法兰和氮气净化圈的中也都设有一个通孔,用于作为单晶炉上轴系统的升降 及旋转通道;顶面法兰的上端开有通气孔,用于作为氮气的进入通道;每个氮气净化圈上 都开有通气槽和通气孔,通气孔均布在通气槽上,通气槽和通气孔分别作为氮气净化圈上 氮气的进口和出口。
[0006] 作为进一步的改进,所述通气槽为圆环状凹槽,通气孔均匀均分布在通气槽上,且 相邻氮气净化圈的通气孔交错分布。
[0007] 作为进一步的改进,氮气净化圈设有四个,从上至下依次分别为氮气净化圈A、氮 气净化圈B、氮气净化圈C、氮气净化圈D,且顶面法兰、氮气净化圈A、氮气净化圈B、氮气净 化圈C、氮气净化圈D上的通流面积(每一个氮气净化圈上通气孔的总面积)依次变大。
[0008] 作为进一步的改进,所述氮气净化圈D的下端为锥状结构,锥面上开有通气孔。
[0009] 作为进一步的改进,设定顶面法兰的通气孔、氮气净化圈A的通气孔直径、氮气净 化圈B的通气孔直径、氮气净化圈C的通气孔直径、氮气净化圈D的通气孔直径分别为D。、

【权利要求】
1. 一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置,其特征在于,包括氩气净化圈和顶面法兰, 氩气净化圈至少设有两个,且氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接;顶面法兰安装在 单晶炉的腔体顶部,上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接; 顶面法兰和氩气净化圈的中心都设有一个通孔,用于作为单晶炉上轴系统的升降及旋 转通道;顶面法兰的上端开有通气孔,用于作为氩气的进入通道;每个氩气净化圈上都开 有通气槽和通气孔,通气孔均布在通气槽上,通气槽和通气孔分别作为氩气净化圈上氩气 的进口和出口。
2. 根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置,其特征在于,所述 通气槽为圆环状凹槽,通气孔均匀均分布在通气槽上,且相邻氩气净化圈的通气孔交错分 布。
3. 根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置,其特征在于,氩气 净化圈设有四个,从上至下依次分别为氩气净化圈A、氩气净化圈B、氩气净化圈C、氩气净 化圈D,且顶面法兰、氩气净化圈A、氩气净化圈B、氩气净化圈C、氩气净化圈D上的通流面 积依次变大。
4. 根据权利要求3所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置,其特征在于,所述 氩气净化圈D的下端为锥状结构,锥面上开有通气孔。
5. 根据权利要求3所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置,其特征在于,设定 顶面法兰的通气孔、氩气净化圈A的通气孔直径、氩气净化圈B的通气孔直径、氩气净化圈 C的通气孔直径、氩气净化圈D的通气孔直径分别为%、D2、D3、D4,满足万 Dn+1大于Dn, 其中 η 是 0、1、2、3、4。
6. 根据权利要求3所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置,其特征在于,所述 氩气净化圈Α、氩气净化圈Β、氩气净化圈C、氩气净化圈D上的通气孔数量分别为2个、4个、 8个、16个。
【文档编号】C30B15/00GK204174304SQ201420471458
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月20日 优先权日:2014年8月20日
【发明者】曹建伟, 朱亮, 王巍, 俞安州, 孙明 申请人:浙江晶盛机电股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1