半导体桥电子起爆装置的制作方法

文档序号:12245991阅读:666来源:国知局
半导体桥电子起爆装置的制作方法

本实用新型涉及一种半导体桥电子起爆装置,属于爆破领域。



背景技术:

随着工程爆破应用领域的快速发展,对各种引爆装置的研究越来越多,采用半导体桥芯片作为发火元件是一种新的火工品技术,具有作用迅速,安全性好等特点。当输入发火电流或电压时,电流通过半导体桥换能元时产生等离子体并放热,引燃含能材料。随着起爆装置应用的环境越来越恶劣,由点火电路或周围的电磁环境产生的静电、电磁波、杂散电流等的辐射和干扰越来越强,这些杂散电流产生的热量蓄积到一定程度很容易使半导体桥蒸发并释放热量,继而引燃含能材料,给使用带来很大的安全隐患。为了解决这样的问题,通常采用的方法是将半导体桥和含能材料隔开,从而保证安全,但是当需要正常引爆时,由于半导体桥和含能材料有间隔,半导体桥产生的热量不足以引燃含能材料,或者需要更长时间的能量蓄积才能引爆,造成反应迟钝的现象,尤其当含能材料对等离子体依赖性较强时,间隔开甚至无法引爆,降低了使用性能,不能满足实际应用的要求。



技术实现要素:

针对上述现有技术存在的问题,本实用新型的目的是提供一种能够保证使用安全、性能可靠,适用于各种含能材料的半导体桥电子起爆装置。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种半导体桥电子起爆装置,包括圆柱筒,所述圆柱筒底部设有封底盖,上部设有顶盖,圆柱筒内部填充含能材料,所述含能材料表面覆盖活性箔层,所述活性箔层上表面设有垫片,所述垫片的外环与圆柱筒的内表面接触,垫片的上表面与顶盖位于圆柱筒内侧的表面接触,所述顶盖位于圆柱筒内侧的表面中部嵌有半导体桥,两根点火导线从外部穿过顶盖进入圆柱筒,且分别通过引线连接至半导体桥。

优选的,所述垫片厚度为0.5-1.0mm。

优选的,所述活性箔层为气相沉积形成的Al-Ni层。

优选的,所述活性箔层为由Al-Ti层、Ti-非晶硅中的一层或多层组合形成。

优选的,所述活性箔层厚度为60-150μm。

优选的,所述其中一根点火导线穿过顶盖的部位套设绝缘套管。

进一步的,还包括一根导火索,所述导火索置于含能材料中,且穿过封底盖延伸至外部。

本实用新型的设计保证了正常引爆、使用性能可靠;由于垫片内环、活性箔层及顶盖围成的腔体的隔离,杂散电流产生的热量无法在短时间内加热半导体桥使其产生等离子体,并且即使产生电阻热,由于其加热温度和加热速度很低,无法引燃设置的活性箔层,含能材料不会受到高温影响,也不会被点燃,保证了使用安全。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是本实用新型的剖面图;

图中,10.圆柱筒,11.封底盖,12.顶盖,20.含能材料,30.活性箔层,40.垫片,50.半导体桥,60.点火导线,61.引线,62.绝缘套管,70.导火索。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

如图所示,一种半导体桥电子起爆装置,包括圆柱筒10,所述圆柱筒10底部设有封底盖11,上部设有顶盖12,圆柱筒10内部填充含能材料20,所述含能材料20表面覆盖活性箔层30,所述活性箔层30上表面设有垫片40,所述垫片40的外环与圆柱筒10的内表面接触,垫片40的上表面与顶盖12位于圆柱筒10内侧的表面接触,所述顶盖12位于圆柱筒10内侧的表面中部嵌有半导体桥50,两根点火导线60从外部穿过顶盖12进入圆柱筒10,且分别通过引线61连接至半导体桥50。

优选的,为了保证足够的间隔,同时避免引爆延迟的现象,所述垫片40厚度为0.8-1.0mm,经试验,采用这样的厚度最佳。

优选的,所述活性箔层30为气相沉积形成的Al-Ni层,气相沉积形成的Al-Ni层能够在温度升至250℃、并且升温速度在200℃/min时被瞬间点燃,继而引爆含能材料20,提高使用的可靠性。

优选的,所述活性箔层30为由Al-Ti层、Ti-非晶硅中的一层或多层组合形成。

优选的,所述活性箔层30厚度为60-130μm。

优选的,为了避免两根点火导线60发生电磁干扰或出现短路,所述其中一根点火导线60穿过顶盖12的部位套设绝缘套管62。

进一步的,还包括一根导火索70,所述导火索70置于含能材料20中,且穿过封底盖11延伸至外部。含能材料20被激发引爆后,点燃导火索70,导火索70外部可与射孔器或其他爆炸装置连接,直接快速引爆爆炸装置。

使用时,点火导线60外部接到点火电路上,需要引爆时,启动点火电路,电流流经点火导线60,并经引线61引至半导体桥50中,半导体桥50蒸发,产生等离子体并瞬间快速释放热量,密集的能量释放使活性箔层30受热并被激发点燃,活性箔层30直接激活并引燃含能材料20,完成引爆过程。正常安装时,即使周围有电磁环境产生的静电、电磁波、杂散电流等的辐射和干扰,由于垫片40内环、活性箔层30及顶盖12围成的腔体的隔离,杂散电流产生的热量无法在短时间内加热半导体桥50使其产生等离子体,并且即使产生电阻热,由于其加热温度和加热速度很低,无法引燃设置的活性箔层30,含能材料20不会受到高温影响,也不会被点燃,保证了使用安全。

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