透光性薄膜的制作方法

本发明涉及透光性薄膜，详细而言，涉及适合用于光学用途的透光性薄膜。

背景技术：

迄今为止，已知将具备透明导电层的透明导电性薄膜等透光性薄膜用于触摸面板等光学用途。

例如，提出了在玻璃基板上形成有透明氧化物薄膜、银系薄膜及透明氧化物薄膜的透明导电膜(例如参照专利文献1)。专利文献1的透明导电膜中，2层的透明氧化导电膜均由包含氧化铟的混合氧化物形成。

专利文献1中，为了将透明导电膜图案化，首先，在上侧的透明氧化物薄膜上形成电极形状的抗蚀剂膜，接着，利用蚀刻液对从抗蚀剂膜露出的部位进行蚀刻，从而将3层的薄膜形成为电极形状。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-176837号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

但是，2层的透明氧化导电膜对蚀刻液的蚀刻速度差异大时，即，2层的透明氧化导电膜中一者比另一者明显快时，如果以另一个透明氧化导电膜的图案化结束的方式来设定透明导电膜的蚀刻时间，则相对于抗蚀剂膜的边缘，在一个透明氧化导电膜上会形成从其边缘侵蚀到内侧的过度蚀刻部分(或侧面蚀刻部分)。这种情况下，透明导电膜存在会变得难以保持其形状，进而不能可靠地发挥期待作用(例如导电作用)的不良情况。

相反，如果以一个透明氧化导电膜的图案化结束的方式来设定透明导电膜的蚀刻时间，则不能使蚀刻速度比这一个透明氧化导电膜明显慢的另一个透明氧化导电膜的图案化结束，即，存在不能将另一个透明氧化导电膜图案化为目标形状的不良情况。

本发明的目的在于，提供一种透光性薄膜，其能够通过蚀刻更可靠地将第1无机氧化物层及第2无机氧化物层这两者图案化，并且能够抑制过度蚀刻部分的形成。

用于解决问题的方案

本发明的透光性薄膜的特征在于，其依次具备透明基材和透光性无机层，前述透明基材由高分子薄膜形成，前述透光性无机层依次具备第1无机氧化物层、金属层和第2无机氧化物层，前述透光性无机层具有导电性，前述第1无机氧化物层及第2无机氧化物层含有氢原子，前述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与前述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)为0.10以上且10.00以下。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，前述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1及前述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2均为5×10¹⁹原子/cm³以上且8000×10¹⁹原子/cm³以下。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，在前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层中，至少一者含有氧化铟。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层均为非晶质。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，前述第2无机氧化物层的厚度T2与前述第1无机氧化物层的厚度T1之比(T2/T1)为0.5以上且1.5以下。

此外，在本发明的透光性薄膜中，适宜的是，前述第1无机氧化物层及前述第2无机氧化物层还含有碳原子，前述第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1与碳原子的含量C1的总含量(H1+C1)及前述第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2与碳原子的含量C2的总含量(H2+C2)均为6×10¹⁹原子/cm³以上且10000×10¹⁹原子/cm³以下。

发明的效果

利用本发明的透光性薄膜，能够通过蚀刻更可靠地将第1无机氧化物层及第2无机氧化物层这两者图案化，并且能够抑制过度蚀刻部分的形成。

附图说明

图1表示本发明的透光性薄膜的一个实施方式的截面图。

图2表示图1所示的透光性无机层形成为布线图案的透光性薄膜的截面图。

图3表示透光性无机层形成为布线图案、第1无机氧化物层形成有过度蚀刻部分的比较例1的透光性薄膜的截面图的一例。

图4表示透光性无机层形成为布线图案、第2无机氧化物层形成有过度蚀刻部分的相当于比较例的透光性薄膜的截面图的一例。

图5表示为透光性薄膜的变形例的、在透明基材的上表面直接配置第1无机氧化物层的透光性薄膜的截面图。

图6表示为透光性薄膜的变形例的、无机物层夹在保护层及第1无机氧化物层之间的透光性薄膜的截面图。

具体实施方式

在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)、纸面上侧为上侧(厚度方向一侧、第1方向一侧)、纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧、第1方向另一侧)。在图1中，纸面左右方向为左右方向(宽度方向、与第1方向正交的第2方向)、纸面左侧为左侧(第2方向一侧)、纸面右侧为右侧(第2方向另一侧)。在图1中，纸厚方向为前后方向(与第1方向及第2方向正交的第3方向)、纸面前侧为前侧(第3方向一侧)、纸面背侧为后侧(第3方向另一侧)。具体以各图的方向箭头为准。

1.透光性薄膜

透光性薄膜1呈具有规定厚度的薄膜形状(包括片状)，在与厚度方向正交的规定方向(前后方向及左右方向、即面方向)上延伸，具有平坦的上表面及平坦的下表面(2个主面)。透光性薄膜1为例如光学装置(例如图像显示装置、调光装置)所具备的触摸面板用基材、调光面板等的一个部件，即，不是光学装置。即，透光性薄膜1为用于制作光学装置等的部件，是不包含LCD模块等图像显示元件、LED等光源、以部件本身流通、在产业上可利用的装置。此外，透光性薄膜1包含透明导电性薄膜。

具体而言，如图1所示，透光性薄膜1是依次具备透明基材2、保护层3和透光性无机层4的透光性层叠薄膜。即，透光性薄膜1具备：透明基材2、配置在透明基材2的上侧的保护层3和配置在保护层3的上侧的透光性无机层4。此外，优选的是，透光性薄膜1仅包含透明基材2、保护层3和透光性无机层4。以下，对各层进行详细说明。

2.透明基材

透明基材2是透光性薄膜1的最下层，为用于确保透光性薄膜1的机械强度的支撑材料。透明基材2与保护层3一起支撑透光性无机层4。

透明基材2由高分子薄膜形成。

高分子薄膜具有透明性。作为高分子薄膜的材料，可以列举出：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。这些高分子薄膜可以单独使用或组合使用2种以上。从透明性、耐热性、机械特性等观点出发，优选列举出烯烃树脂、聚酯树脂，更优选列举出环烯烃聚合物、PET。

透明基材2的厚度例如为2μm以上、优选为20μm以上，此外，例如为300μm以下、优选为200μm以下、更优选为150μm以下。

此外，从保持第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的非晶的观点出发，透明基材2优选含有水。即，在透明基材2中，高分子薄膜含有水。

3.保护层

保护层3是用于使透光性无机层4的上表面不易产生擦伤(即获得优异的耐擦傷性)的擦伤保护层。此外，保护层3也是用于调节透光性薄膜1的光学物性以使得如图2所示在后续的工序中将透光性无机层4形成为布线图案之后辨识不出非图案部9和图案部10的差别(即抑制布线图案的辨识)的光学调节层。

保护层3具有薄膜形状(包括片状)，以与透明基材2的上表面接触的方式配置在透明基材2的整个上表面。

保护层3由树脂组合物制备。

树脂组合物例如含有树脂和颗粒。树脂组合物优选仅含有树脂，更优选仅由树脂构成。

作为树脂，可以列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如聚烯烃树脂)等，优选列举出固化性树脂。

作为固化性树脂，可以列举出：例如通过活性能量射线(具体为紫外线、电子射线等)的照射而固化的活性能量射线固化性树脂、例如通过加热而固化的热固化性树脂等，优选列举出活性能量射线固化性树脂。

活性能量射线固化性树脂例如可以列举出分子中具有含聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团，例如可以列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。

作为活性能量射线固化性树脂，例如可以列举出：侧链含有官能团的(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)等。

这些树脂可以单独使用或组合使用2种以上。

作为颗粒，例如可以列举出无机颗粒、有机颗粒等。作为无机颗粒，可以列举出：例如二氧化硅颗粒、例如由氧化锆、氧化钛等形成的金属氧化物颗粒、例如碳酸钙等碳酸盐颗粒等。作为有机颗粒，例如可以列举出交联丙烯酸类树脂颗粒等。

保护层3的厚度为例如0.1μm以上、优选为1μm以上，此外，为例如10μm以下、优选为5μm以下。保护层3的厚度例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的截面观察来测定。

4.透光性无机层

透光性无机层4是用于如图2所示在后续的工序中形成为布线图案从而形成图案部10的导电层。此外，透光性无机层4包含透明导电层。

如图1所示，透光性无机层4为透光性薄膜1的最上层，具有薄膜形状(包括片状)，其以与保护层3的上表面接触的方式配置在保护层3的整个上表面。

透光性无机层4依次具备第1无机氧化物层5、金属层6和第2无机氧化物层7。即，透光性无机层4具备：配置在保护层3上的第1无机氧化物层5、配置在第1无机氧化物层5上的金属层6和配置在金属层6上的第2无机氧化物层7。此外，透光性无机层4优选仅包含第1无机氧化物层5、金属层6和第2无机氧化物层7。

5.第1无机氧化物层

第1无机氧化物层5是与后述的金属层6及第2无机氧化物层7一起对透光性无机层4赋予导电性的导电层。此外，第1无机氧化物层5也是用于防止来源于透明基材2中所含的水的氢、来源于保护层3中所含的有机物的碳浸出到金属层6的阻隔层。进而，第1无机氧化物层5还是与后述的第2无机氧化物层7一起用于抑制金属层6的可见光反射率、提高透光性无机层4的可见光透射率的光学调节层。

第1无机氧化物层5为透光性无机层4的最下层，具有薄膜形状(包括片状)，其以与保护层3的上表面接触的方式配置在保护层3的整个上表面。

第1无机氧化物层5含有相对于后述的蚀刻液能够溶解的无机氧化物作为主成分。

作为无机氧化物，例如可以列举出由选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属形成的金属氧化物等。金属氧化物中，根据需要可以进一步掺杂上述组中示出的金属原子。

作为无机氧化物，从降低电阻率的观点及确保优异的透明性的观点出发，优选列举出含氧化铟的氧化物，更优选列举出铟锡复合氧化物(ITO)。

ITO中所含的氧化锡(SnO₂)的含量相对于氧化锡及氧化铟(In₂O₃)的总量，例如为0.5质量％以上、优选为3质量％以上、更优选为6质量％以上、进一步优选为8质量％以上、特别优选为10质量％以上、最优选为超过10质量％，此外，例如为35质量％以下、优选为20质量％以下、更优选为15质量％以下、进一步优选为13质量％以下。氧化铟的含量(In₂O₃)是氧化锡(SnO₂)的含量的剩余部分。通过将ITO中所含的氧化锡(SnO₂)的含量设在适合的范围，从而容易抑制ITO膜的经时膜质变化。

无机氧化物为晶质及非晶质均可。对于无机氧化物，从如图2所示在后续的工序中容易实施图案化的观点出发，优选为非晶质。

本申请中，在25000倍的平面TEM图像中，晶粒所占的面积比率为50％以下(优选为0％以上且30％以下)的情况下，记为非晶质，超过50％(优选为80％以上)的情况下，记为晶质。

无机氧化物在第1无机氧化物层5中的含有比率为例如95质量％以上、优选为98质量％以上、更优选为99质量％以上，此外，例如小于100质量％。

此外，第1无机氧化物层5含有氢原子。氢原子不来源于例如在第1无机氧化物层5中作为主成分而含有的无机氧化物，而来源于透明基材2的高分子薄膜所含的水(H₂O)、吸附在干式的装置(具体为溅射装置等真空装置)内的水(H₂O)(在后述的制造方法中详细叙述)。

第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1为例如5×10¹⁹原子/cm³以上、优选为10×10¹⁹原子/cm³以上、更优选为50×10¹⁹原子/cm³以上、进一步优选为100×10¹⁹原子/cm³以上，此外，为例如8000×10¹⁹原子/cm³以下、优选为4000×10¹⁹原子/cm³以下、更优选为800×10¹⁹原子/cm³以下。

第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1为上述上限以下时，能够防止第1无机氧化物层5在湿热环境下的膜质劣化。

而第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1为上述下限以上时，能够抑制第1无机氧化物层5的随时间推移而结晶化，能够维持良好的蚀刻性。

进而，第1无机氧化物层5含有碳原子。碳原子不来源于例如上述无机氧化物，而来源于上述保护层3中所含的有机物。

第1无机氧化物层5中的碳原子的含量C1以第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1与碳原子的含量C1的总含量(H1+C1)为例如6×10¹⁹原子/cm³以上、优选为10×10¹⁹原子/cm³以上、更优选为20×10¹⁹原子/cm³以上、进一步优选为100×10¹⁹原子/cm³以上、此外为例如10000×10¹⁹原子/cm³以下、优选为5000×10¹⁹原子/cm³以下、更优选为1000×10¹⁹原子/cm³以下的方式进行调节。

总含量H1+C1为上述上限以下时，能够得到湿热耐久性优异的第1无机氧化物层。

而总含量H1+C1为上述下限以上时，能够提高第1无机氧化物层5的蚀刻性。

具体而言，第1无机氧化物层5中的碳原子的含量C1为例如1×10¹⁹原子/cm³以上、优选为3×10¹⁹原子/cm³以上、更优选为10×10¹⁹原子/cm³以上，此外，为例如100×10¹⁹原子/cm³以下、优选为50×10¹⁹原子/cm³以下、更优选为30×10¹⁹原子/cm³以下。第1无机氧化物层5中的碳原子的含量C1利用针对第1无机氧化物层5的厚度方向中央部的二次离子质谱法来测定。

第1无机氧化物层5的厚度T1为例如5nm以上、优选为20nm以上、更优选为30nm以上，此外，为例如60nm以下、优选为50nm以下。第1无机氧化物层5的厚度T1在上述范围时，容易将透光性无机层4的可见光透射率调节到高水平。第1无机氧化物层5的厚度T1例如通过基于透射型电子显微镜(TEM)的截面观察来测定。

6.金属层

金属层6是与第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7一起用于对透光性无机层4赋予导电性的导电层。此外，金属层6还是用于降低透光性无机层4的电阻率的低电阻率化层。

金属层6具有薄膜形状(包括片状)，其以与第1无机氧化物层5的上表面接触的方式配置在第1无机氧化物层5的上表面。

用于形成金属层6的金属例如为电阻率小的金属、并且为相对于与用于蚀刻第1无机氧化物层5的蚀刻液相同的蚀刻液能够溶解的金属。对金属材料没有限定，例如可以列举出：由选自由Ti，Si，Nb，In，Zn，Sn，Au，Ag，Cu，Al，Co，Cr，Ni，Pb，Pd，Pt，Cu、Ge、Ru、Nd、Mg、Ca、Na、W，Zr，Ta及Hf组成的组中的1种金属构成、或者为含有选自上述组中的2种以上金属的合金。

作为金属，优选列举出银(Ag)、银合金，更优选列举出银合金。金属为银或银合金时，能够减小透光性无机层4的电阻值，并且，能够得到近红外线区域(波长850～250nm)的平均反射率特别高的透光性无机层4，还能够适宜地用于在室外使用的图像显示装置用途。

银合金含有银作为主成分，含有其它金属作为副成分，具体而言，例如可以列举出：Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Pd-Cu-Ge合金、Ag-Cu-Au合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Ru-Cu合金、Ag-Ru-Au合金、Ag-Nd合金、Ag-Mg合金、Ag-Ca合金、Ag-Na合金等。从加湿耐久性的观点考虑，作为银合金，优选列举出：含Cu的Ag合金(例如Ag-Cu合金、Ag-Cu-Sn合金等)、含Pd的Ag(例如Ag-Pd合金等)合金、含有Cu、Pd的Ag合金(例如Ag-Pd-Cu合金等)。

银合金(优选Ag-Pd合金)中的银的含有比率为例如80质量％以上、优选为90质量％以上、更优选为95质量％以上，此外，为例如99.9质量％以下。银合金中的其它金属的含有比率为上述银的含有比率的剩余部分。金属为Ag-Pd合金时，Ag-Pd合金中的Pd的含有比率具体而言为例如0.1质量％以上。此外，为例如10质量％以下、优选为5质量％以下、更优选为1质量％以下。

金属层6的厚度从提高透光性无机层4的透射率的观点出发，为例如1nm以上、优选为5nm以上，此外，为例如20nm以下、优选为10nm以下。

7.第2无机氧化物层

第2无机氧化物层7是与第1无机氧化物层5及金属层6一起用于对透光性无机层4赋予导电性的导电层。此外，第2无机氧化物层7也是用于防止环境中的氧、水分等浸出到金属层6的阻隔层，还是用于抑制金属层6的可见光反射率、提高透光性无机层4的可见光透射率的光学调整层。

第2无机氧化物层7为透光性无机层4的最上层，具有薄膜形状(包括片状)，其以与金属层6的上表面接触的方式配置在金属层6的整个上表面。

第2无机氧化物层7含有第1无机氧化物层5中例示的无机氧化物，具体而言，为相对于与用于蚀刻第1无机氧化物层5的蚀刻液相同的蚀刻液能够溶解的无机氧化物，优选含有氧化铟、更优选由ITO形成。

无机氧化物在第2无机氧化物层7中的含有比率为例如95质量％以上、优选为98质量％以上、更优选为99质量％以上，此外，例如小于100质量％。

此外，第2无机氧化物层7含有氢原子。氢原子不来源于例如在第2无机氧化物层7中作为主成分而含有的无机氧化物，而来源于透明基材2的高分子薄膜含有的水(H₂O)、吸附在干式的装置(具体为溅射装置等真空装置)内的水(H₂O)(在后述的制造方法中详细叙述)。

第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2以第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)为0.10以上且10.00以下的方式设定。

而氢原子的比(H2/H1)小于0.10时，第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1与第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2相比过高。因此，在后述的透光性无机层4的蚀刻中，蚀刻液对第1无机氧化物层5的蚀刻速度R1与蚀刻液对第2无机氧化物层7的蚀刻速度R2相比过快。其结果，如图3所示，在透光性无机层4的蚀刻中，在第1无机氧化物层5的端部形成过度蚀刻部11。

需要说明的是，如图3所示，过度蚀刻部分11具有截面大致三角形状。但是，过度蚀刻部11的形状并不限定于图3所示的形状。例如，虽未图示，但过度蚀刻的第1无机氧化物层5的两个端部的截面也可以为相对于金属层6的面方向垂直的形状。

另一方面，比(H2/H1)超过10.00时，第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1相比过高。因此，透光性无机层4的蚀刻中，蚀刻液对第2无机氧化物层7的蚀刻速度R2与蚀刻液对第1无机氧化物层5的蚀刻速度R1相比过快。其结果，如图4所示，在透光性无机层4的蚀刻中，在第2无机氧化物层7的端部形成过度蚀刻部11。

此外，第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2以第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)优选为0.20以上、更优选为0.40以上、进一步优选为0.50以上、更进一步优选为0.75以上、此外优选为5.00以下、更优选为2.50以下、进一步优选为1.50以下、特别优选为1.25以下、最优选为1.20以下的方式设定。

比(H2/H1)为上述下限以上时，在对透光性无机层4进行蚀刻时，能够抑制在第1无机氧化物层5的端部形成过度蚀刻部11。

而比(H2/H1)为上述上限以下时，在对透光性无机层4进行蚀刻时，能够抑制在第2无机氧化物层7的端部形成过度蚀刻部11。

即，比(H2/H1)为上述下限以上且上述上限以下时，能够使蚀刻液对第1无机氧化物层5的蚀刻速度R1与蚀刻液对第2无机氧化物层7的蚀刻速度R2近似。因此，能够抑制在第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的任意层形成过度蚀刻部11。

第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)在后述的第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的制造方法中进行调节。

具体而言，第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2为例如5×10¹⁹原子/cm³以上、优选为10×10¹⁹原子/cm³以上、更优选为100×10¹⁹原子/cm³以上，此外，为例如8000×10¹⁹原子/cm³以下、优选为4000×10¹⁹原子/cm³以下、更优选为800×10¹⁹原子/cm³以下、进一步优选为300×10¹⁹原子/cm³以下。

第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2为上述上限以下时，能够防止第2无机氧化物层7在湿热环境下的膜质劣化。第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2为上述下限以上时，能够抑制第2无机氧化物层7的随时间推移而结晶化，能够保持良好的蚀刻性。

第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2利用针对第2无机氧化物层7的厚度方向中央部的二次离子质谱法来测定。

进而，第2无机氧化物层7含有碳原子。碳原子不来源于例如上述无机氧化物，而来源于上述透明基材2的高分子薄膜所含的有机物(在后述的制造方法中详细叙述)。

第2无机氧化物层7中的碳原子的含量C2以第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与碳原子的含量C2的总含量(H2+C2)为例如6×10¹⁹原子/cm³以上、优选10×10¹⁹原子/cm³以上、更优选20×10¹⁹原子/cm³以上、进一步优选100×10¹⁹原子/cm³以上、此外为例如10000×10¹⁹原子/cm³以下、优选5000×10¹⁹原子/cm³以下、更优选1000×10¹⁹原子/cm³以下的方式进行调节。

总含量(H2+C2)为上述上限以下时，能够得到湿热耐久性优异的第2无机氧化物层7。总含量(H2+C2)为上述下限以上时，能够得到蚀刻性优异的第2无机氧化物层7。

具体而言，第2无机氧化物层7中的碳原子的含量C2为例如1×10¹⁹原子/cm³以上、优选为2×10¹⁹原子/cm³以上、更优选为3×10¹⁹原子/cm³以上，此外，为例如100×10¹⁹原子/cm³以下、优选为50×10¹⁹原子/cm³以下、更优选为30×10¹⁹原子/cm³以下、进一步优选为10×10¹⁹原子/cm³以下。

第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2和碳原子的含量C2的总含量(H2+C2)、与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1和碳原子的含量C1的总含量(H1+C1)之比“(H2+C2)/(H1+C1)”优选大于氢原子之比(H2/H1)，{(H2+C2)/(H1+C1)}/(H2/H1)的值为例如1.01以上、优选为1.03以上，此外，为例如3.00以下、优选为2.00以下、更优选为1.50以下。配置在与空气接触的一侧的第2无机氧化物层7与第1无机氧化物层5相比，虽然更容易因空气中的氧而变成晶体膜，但通过在存在充分的氢原子量的基础上进一步含有较多的碳原子，存在能够维持非晶质性、容易确保蚀刻性的倾向。其理由不受任何理论限定，推测是由于碳原子的原子尺寸比氢原子大，容易阻碍无机氧化物层的结晶化。氢原子与碳原子的总含量之比(H2+C2)/(H1+C1)比氢原子之比(H2/H1)大的情况与不是这种比例的情况相比，即使第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的氢原子量的含量为少的水平(例如10×10¹⁹原子/cm³左右)也容易维持良好的蚀刻性。另一方面，{(H2+C2)/(H1+C1)}/(H2/H1)的值过大时(例如值超过3.00时)，存在第2无机氧化物层7的膜质劣化、湿热耐久性恶化的担心。

第2无机氧化物层7的厚度T2以第2无机氧化物层的厚度T2与第1无机氧化物层的厚度T1之比(T2/T1)为例如0.5以上、优选为0.75以上、此外为例如1.5以下、优选为1.25以下的方式进行调节。

比(T2/T1)为上述下限以上、且为上述上限以下时，即使在湿热环境下也能够抑制金属层6的劣化。

具体而言，第2无机氧化物层7的厚度T2为例如5nm以上、优选为20nm以上、进一步优选为30nm以上，此外，为例如60nm以下、优选为50nm以下。第2无机氧化物层7的厚度T2在上述范围时，容易将透光性无机层4的可见光透射率调节为高水平。

而且，透光性无机层4的厚度、即第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7的总厚度为例如20nm以上、优选为40nm以上、更优选为60nm以上、进一步优选为80nm以上，此外，为例如150nm以下、优选为120nm以下、更优选为100nm以下。

8.透光性薄膜的制造方法

接着，对透光性薄膜1的制造方法进行说明。

制造透光性薄膜1时，例如在透明基材2上依次配置(层叠)保护层3、第1无机氧化物层5、金属层6和第2无机氧化物层7。

在该方法中，如图1所示，首先，准备透明基材2。

所准备的透明基材2(高分子薄膜)中的水分量为例如10μg/cm²以上、优选为15μg/cm²以上，此外，为例如200μg/cm²以下、优选为170μg/cm²以下。水分量为上述下限以上时，容易抑制之后形成的第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的结晶性经时大幅变化。而水分量为上述上限以下时，容易抑制第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1之差变大。透明基材2中的水分量基于JIS K 7251(2002年)B法-水分气化法来测定。

此外，透明基材2(高分子薄膜)中所含的水相对于透明基材2的含量为例如0.05质量％以上、优选为0.1质量％以上，此外，为例如1.5质量％以下、优选为1.0质量％以下、更优选为0.5质量％以下。

需要说明的是，上述水的一部分或全部在后述说明的脱气处理中被释放到外部。

接着，将树脂组合物通过例如湿式配置在透明基材2的上表面。

具体而言，首先，将树脂组合物涂布在透明基材2的上表面。其后，在树脂组合物含有活性能量射线固化性树脂的情况下，照射活性能量射线。

由此，在透明基材2的整个上表面形成薄膜形状的保护层3。即，得到具备透明基材2和保护层3的带保护层的透明基材12。

在保护层3中以适宜的比例含有有机物。

其后，根据需要，对带保护层的透明基材12进行脱气处理。

对带保护层的透明基材12进行脱气处理时，将带保护层的透明基材12放置在例如1×10^-1Pa以下、优选1×10^-2Pa以下、此外例如1×10^-3Pa以下、优选5×10^-4Pa以下的减压气氛下。脱气处理使用后面详细叙述的干式装置具备的排气装置(具体而言，包含涡轮分子泵等)来实施。

通过该脱气处理，透明基材2中所含的水的一部分、保护层3中所含的有机物的一部分被释放到外部。

接着，将透光性无机层4通过例如干式配置在保护层3的上表面。

具体而言，通过干式依次配置第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7各层。

作为干式，可以列举出例如真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。优选列举出溅射法。具体可以列举出磁控溅射法。

作为溅射法中使用的气体，例如可以列举出Ar等非活性气体。此外，根据需要，可以组合使用氧等反应性气体。组合使用反应性气体时，对反应性气体的流量比没有特别限定，以反应性气体的流量与非活性气体的流量之比计，为例如0.1/100以上、优选为1/100以上，此外，为例如5/100以下。

具体而言，在第1无机氧化物层5的形成中，作为气体，优选组合使用非活性气体和反应性气体。在金属层6的形成中，作为气体，优选单独使用非活性气体。在第2无机氧化物层7的形成中，作为气体，优选组合使用非活性气体和反应性气体。

对溅射法中使用的电源没有限定，例如可以为DC电源、MF/AC电源及RF电源的任一种，此外，也可以为它们的组合。

此外，优选的是，在利用溅射法形成第1无机氧化物层5时，将透明基材2(及保护层3)冷却。具体而言，使透明基材2的下表面(即，与透明基材2中形成第1无机氧化物层5的一侧的面(即透明基材2的上表面)处于相反侧的面)与冷却装置(例如冷却辊)等接触，将透明基材2(及保护层3)冷却。由此，能够抑制在形成第1无机氧化物层5时由于因溅射产生的蒸镀热等而使透明基材2中所含的水及保护层3中所含的有机物大量释放出从而使第1无机氧化物层5中包含过量的水。冷却温度为例如-30℃以上、优选为-10℃以上，此外，为例如60℃以下、优选为40℃以下、更优选为20℃以下。

由此，在保护层3上形成依次形成有第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7的透光性无机层4。

此外，透光性无机层4的表面电阻值为例如40Ω/□以下、优选为30Ω/□以下、更优选为20Ω/□以下、进一步优选为15Ω/□以下，此外，为例如0.1Ω/□以上、优选为1Ω/□以上、更优选为5Ω/□以上。

透光性无机层4的电阻率为例如2.5×10^-4Ω·cm以下、优选为2.0×10^-4Ω·cm以下、更优选为1.5×10^-4Ω·cm以下、进一步优选为1.1×10^-4Ω·cm以下，此外，为例如0.01×10^-4Ω·cm以上、优选为0.1×10^-4Ω·cm以上、更优选为0.5×10^-4Ω·cm以上。

透光性无机层4的电阻率使用透光性无机层4的厚度(第1无机氧化物层、金属层6、第2无机氧化物层7的总厚度)和透光性无机层4的表面电阻值算出。

此外，透光性无机层4优选近红外线(波长850～2500nm)的平均反射率高。具备近红外线区域的反射率高的金属层6(例如包含银或银合金的金属层6)的透光性无机层4与由例如导电性氧化物(例如ITO等)形成的透明无机氧化物相比近红外线的平均反射率高，能够高效地阻断太阳光等热射线。因此，也能够适用于在面板温度容易升高的环境(例如室外等)中使用的图像显示装置。透光性无机层4的近红外线(波长850～2500nm)的平均反射率为例如10％以上、优选为20％以上、更优选为40％以上、进一步优选为50％以上，此外，为例如95％以下、优选为90％以下。

此外，对将第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)设定在上述范围的方法没有限定，优选选择以下的(1)～(2)中的至少任一种。

(1)在通过干式形成第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7时，在干式的装置内的气氛中导入水(水蒸气)。对水的导入方法没有限定，例如，向干式的装置内导入通过使非活性气体经由设置在装置外部的蒸留水储藏罐而制备的包含水蒸气和非活性气体的混合气体。由此，能够容易地导入水。进而，设置多个气体导入路径，通过不同的路径分别导入包含水蒸气和非活性气体的混合气体、和非活性气体(不包含水蒸气的气体)，适当变更其导入比率。形成第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7时的水的导入量以水蒸气的流量与非活性气体的流量之比计，为例如0.01/100以上、优选为0.1/100以上、更优选为0.5/100以上、进一步优选为1/100以上，为例如20/100以下、更优选为10/100以下。通过不同的路径导入包含水蒸气和非活性气体的混合气体、和非活性气体时，形成第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7时的水的导入量以包含水蒸气和非活性气体的混合气体的流量与非活性气体的流量之比计，为例如1/100以上、优选为10/100以上、更优选为15/100以上，为例如80/100以下、优选为50/100以下。第2无机氧化物层7优选与第1无机氧化物层5相比形成时的水导入量更多，以形成第2无机氧化物层7时导入的水导入量与形成第1无机氧化物层5时导入的水导入量之比(形成第2无机氧化物层7时导入的水导入量/形成第1无机氧化物层5时导入的水导入量)计，为例如110/100以上、优选为120/100以上、更优选为150/100以上。

利用该(1)的方法，能够容易地控制第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1及第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2。

(2)将从透光性无机层4的形成开始到直至结束为止的时间、具体为从第1无机氧化物层5的形成开始到第2无机氧化物层7的形成结束为止的时间设定为短时间，具体而言，设定为例如15分钟以下、优选为10分钟以下、更优选为5分钟以下、进一步优选为3分钟以下，此外，设定为例如5秒以上、优选为30秒以上。

在通过干式形成第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7时，来源于透明基材2的气体成分(具体为水等)在真空(减压)气氛下经时减少。而且，在通过干式形成第2无机氧化物层7时，第2无机氧化物层7中所含的水的含量在真空(减压)气氛下经时显著减少。因此，利用该(2)的方法，如果在短时间内形成透光性无机层4，则会抑制第2无机氧化物层7中所含的水减少的比例，因此，能够使第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1近似(换言之，减小H2与H1之差)，从而使H2/H1近似于1。

为了将第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1之比(H2/H1)设定在上述范围，优选组合使用(1)及(2)。

由此，得到如图1所示依次具备透明基材2、保护层3、第1无机氧化物层5、金属层6和第2无机氧化物层7的透光性薄膜1。

透光性薄膜1具备在金属层6的上表面及下表面具有光学调节层(第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7)的透光性无机层4，因此，透光性无机层4即使包含通常可见光反射率高的金属层6(具体而言，例如波长550nm的反射率为15％以上、进而为30％以上的金属层6)也能够实现高的可见光透射率。透光性薄膜1的可见光透射率为例如60％以上、优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为85％以上、最优选超过86％，此外，为例如95％以下。

透光性薄膜1的总厚度为例如2μm以上、优选为20μm以上，此外，为例如300μm以下、优选为200μm以下、更优选为150μm以下。

需要说明的是，可以通过辊对辊方式实施上述制造方法。此外，也可以通过分批方式实施一部分或全部。

9.透光性无机层的图案化

其后，如图2所示，通过蚀刻，将透光性无机层4形成为布线图案。由此，在保护层3上形成非图案部9及图案部10。非图案部9中，保护层3的上表面从图案部10露出。

具体而言，首先，将感光性薄膜配置在第2无机氧化物层7的整个上表面，接着，如图2所示，隔着具有与非图案部9及图案部10对应的图案的光掩模进行曝光，其后进行显影，从而将与非图案部9对应的感光性薄膜去除。由此，在成为图案部10的透光性无机层4的上表面形成具有与图案部10相同的图案的抗蚀层8。

其后，使用蚀刻液对从抗蚀层8露出的透光性无机层4进行蚀刻。作为蚀刻液，只要为能够溶解至少第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7、优选能够溶解第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7的蚀刻液，其组成就没有限定，例如可以列举出盐酸、硫酸、硝酸、醋酸、草酸、磷酸及它们的混合酸等酸。由此，将与非图案部9对应的第2无机氧化物层7、金属层6及第1无机氧化物层5去除。

由此，如图2所示，将透光性无机层4形成为具有条纹形状的图案部10的布线图案。图案部10例如沿前后方向延伸，在左右方向相互隔着间隔(非图案部9)排列配置多个。各图案部10的宽度L为例如1μm以上且3000μm以下。邻接的图案部10的间隔S为例如1μm以上且3000μm以下。

其后，通过例如剥离等将抗蚀层8从第2无机氧化物层7的上表面去除。

之后，透光性薄膜1被供于例如光学装置。

作为光学装置，例如可以列举出图像显示装置、调光装置等。

将透光性薄膜1供于图像显示装置(具体为具有LCD模块等图像显示元件的图像显示装置)时，透光性薄膜1作为例如触摸面板用基材使用。作为触摸面板的形式，可以列举出光学方式、超声方式、静电容量方式、电阻膜方式等各种方式，尤其适宜用于静电容量方式的触摸面板。

此外，可以将透光性薄膜1用作例如近红外线反射用基材。例如，通过将波长850～2500nm的近红外线的平均反射率高的(例如10％以上)透光性薄膜1供于图像显示装置，能够适宜地用于面向室外使用的图像显示装置。透光性薄膜1也可以以例如贴合于偏光薄膜的透光性无机层层叠偏光薄膜的形式供于图像显示装置。

此外，将透光性薄膜1供于调光装置(具体为具有LED等光源的调光装置)时，透光性薄膜1以例如调光薄膜的形式提供。

10.作用效果

利用该透光性薄膜1，能够通过蚀刻可靠地将第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7二者图案化，并且能够抑制过度蚀刻部分11的形成。

即，由于比(H2/H1)为0.10以上且10.00以下，因此，能够使第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的物性(例如膜质)近似。具体而言，能够使蚀刻液对第1无机氧化物层5的蚀刻速度R1与蚀刻液对第2无机氧化物层7的蚀刻速度R2近似。因此，能够抑制第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7的任意层中产生过度蚀刻部11。

另一方面，在日本特开2003-36037号公报中公开了如下方面：具备银合金导电层和导电保护层的银合金布线；以及，基于银合金导电层的蚀刻速度与导电保护层的蚀刻速度的差异，在银合金导电层中形成了侧面蚀刻部分(过度蚀刻部分)。但是，日本特开2003-36037号公报中并没有公开如上述“发明要解决的问题”项中所述的第1无机氧化物层或第2无机氧化物层的过度蚀刻部分。

此外，该透光性薄膜1中，第1无机氧化物层中的氢原子的含量H1及第2无机氧化物层中的氢原子的含量H2均为5×10¹⁹原子/cm³以上且8000×10¹⁹原子/cm³以下时，能够保持优异的湿热耐久性。

此外，该透光性薄膜1中，第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7中的至少一者含有氧化铟时，能够兼顾良好的蚀刻性和耐环境性。

此外，该透光性薄膜1中，第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7均为非晶质时，能够容易地实施基于蚀刻的图案化。

此外，该透光性金属层叠薄膜1中，金属层6为包含银或银合金的金属层时，近红外线的平均反射率高，能够有效地阻断太阳光等热射线。

此外，该透光性薄膜1中，金属层6为包含银或银合金的金属层时，近红外线的平均反射率高，能够有效地阻断太阳光等热射线。

此外，该透光性薄膜1中，第2无机氧化物层7的厚度T2与第1无机氧化物层5的厚度T1之比(T2/T1)为0.5以上且1.5以下时，能够抑制金属层6的劣化。

此外，该透光性薄膜1中，第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7还含有碳原子、且第1无机氧化物层5中的氢原子的含量H1与碳原子的含量C1的总含量(H1+C1)及第2无机氧化物层7中的氢原子的含量H2与碳原子的含量C2的总含量(H2+C2)均为6×10¹⁹原子/cm³以上且10000×10¹⁹原子/cm³以下时，透光性无机层4的非晶质性优异，能够更可靠地维持蚀刻性。

11.变形例

在变形例中，对于与上述的一个实施方式同样的构件及工序赋以相同的参考符号，省略其详细说明。

在一个实施方式中，作为第1无机氧化物层5及第2无机氧化物层7中的无机氧化物均例示了ITO，但是，例如也可以一者中的无机氧化物含有ITO、另一者中的无机氧化物含有ITO以外的无机氧化物(例如TiOx、IZO、IGO、IGZO等)。

在一个实施方式中，如图1所示，在透明基材2上设置有透光性无机层4，虽然未图示，但也可以在透明基材2的下方进一步设置透光性无机层4。即，透光性薄膜1可以在透明基材2的上下两侧分别依次具备保护层3和透光性无机层4。

在一个实施方式中，如图1所示，使保护层3夹在透明基材2及第1无机氧化物层5之间。但是，例如也可以如图5所示，将第1无机氧化物层5直接配置在透明基材2的上表面。即，透光性薄膜1依次具备透明基材2、第1无机氧化物层5、金属层6及第2无机氧化物层7。另一方面，该透光性薄膜1不具备保护层3。

在一个实施方式中，如图1所示，将第1无机氧化物层5直接配置在保护层3的上表面。但是，例如也可以如图6所示，使无机物层13夹在保护层3及第1无机氧化物层5之间。

无机物层13是用于与保护层3一起以抑制透光性无机层4中的布线图案的辨识的方式调节透光性薄膜1的光学物性的光学调节层(第2光学调节层)。无机物层13具有薄膜形状(包括片状)，其以与保护层3的上表面接触的方式配置在保护层3的整个上表面。无机物层13具有规定的光学物性，由例如氧化物、氟化物等无机物制备。无机物层13的厚度为1nm以上、优选为5nm以上、更优选为10nm以上，此外，为例如80nm以下、优选为40nm以下、更优选为25nm以下。

实施例

以下示出实施例及比较例对本发明进行更具体的说明。需要说明的是，本发明不限定于任何实施例及比较例。此外，以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体数值可以代替上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等的记载的上限值(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。

实施例1

(薄膜基材的准备及保护层的形成)

首先，准备由长条状聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜形成、且厚度为50μm的透明基材。需要说明的是，所准备的透明基材中的水分量为19μg/cm²，此外，水相对于透明基材的含量为0.27质量％。

接着，在透明基材的上表面涂布由丙烯酸类树脂形成的紫外线固化性树脂，通过紫外线照射使其固化，从而形成由固化树脂层形成、且厚度为2μm的保护层。由此，得到具备透明基材和保护层的带保护层的透明基材卷。

(第1无机氧化物层的形成)

接着，将带保护层的透明基材卷设置在真空溅射装置中并静置，进行真空排气(脱气处理)直至未输送时的气压变为4×10^-3Pa为止。此时，在未导入溅射气体(Ar及O₂)的状态下输送带保护层的透明基材的一部分，确认气压升高至2×10^-2Pa。由此，确认在带保护层的透明基材卷中残留有足量的气体。

接着，边使带保护层的透明基材卷退卷，边通过溅射在固化树脂层的上表面形成由铟锡氧化物层形成、且厚度为42nm的第1无机氧化物层。

具体而言，在导入了Ar及O₂的气压0.3Pa的真空气氛下(流量比为Ar：O₂＝100：1.4)，使用直流(DC)电源，溅射由10质量％的氧化锡和90质量％的氧化铟的烧结体形成的靶。

需要说明的是，通过溅射形成第1无机氧化物层时，使带保护层的透明基材卷的下表面(具体为透明基材的下表面)与-5℃的冷却辊接触，从而使带保护层的透明基材卷冷却。

(金属层的形成)

通过溅射在第1无机氧化物层的上表面形成由Ag-Pd合金构成、且厚度为8nm的金属层。

具体而言，在导入了Ar的气压0.3Pa的真空气氛下，作为电源使用直流(DC)电源，溅射Ag-Pd靶(Pd的含有比率：0.5质量％)。

(第2无机氧化物层的形成)

通过溅射在金属层的上表面形成由ITO构成、且厚度为40nm的第2无机氧化物层。

具体而言，在导入了Ar及O₂的气压0.4Pa的真空气氛下(流量比为Ar：O₂＝100：1.5)，使用直流(DC)电源，溅射由10质量％的氧化锡和90质量％的氧化铟的烧结体形成的靶。

此外，从第1无机氧化物层的形成开始到第2无机氧化物层的形成结束为止所需的时间、即形成透光性无机层所需的时间为3.5分钟。

由此，得到在透明基材上依次形成有保护层、第1无机氧化物层、金属层及第2无机氧化物层的透光性薄膜。

实施例2

将带保护层的透明基材卷设置在真空溅射装置中后的未输送时的气压变更为4×10^-4Pa，使用由12质量％的氧化锡和88质量％的氧化铟的烧结体形成的靶来形成第1无机氧化物层及第2无机氧化物层，透光性无机层的形成所需的时间由3.5分钟变更为0.7分钟，除此以外，与实施例1同样地得到透光性薄膜。

实施例3

将溅射Ag-Pd靶时的放电输出功率减小25％，将金属层的厚度变更为6nm，除此以外，与实施例2同样地得到透光性薄膜。

实施例4

将溅射Ag-Pd靶时的放电输出功率增大25％，将金属层的厚度变更为10nm，除此以外，与实施例2同样地得到透光性薄膜。

比较例1

将带保护层的透明基材卷设置在真空溅射装置中后的未输送时的气压由4×10^-3Pa变更为9×10^-5Pa，此外，将透光性无机层的形成所需的时间由3.5分钟变更为180分钟，除此以外，与实施例1同样地得到透光性薄膜。

(测定)

(1)厚度

通过使用了透射型电子显微镜(日立制作所制造H-7650)的截面观察来测定保护层、第1金属氧化物层、金属层及第2金属氧化物的厚度。

此外，使用膜厚计(Peacock公司制造数字千分表DG-205)来测定基材的厚度。

(2)氢原子及碳原子的含量

使用二次离子质谱装置(装置名“PHI ADEPT-1010”、ULVAC-PHI,Inc.制造)，利用二次离子质谱法测定第1无机氧化物层中的氢原子及碳原子的含量(H1、C1)。具体而言，利用二次离子质谱法来测定第1无机氧化物层的厚度方向中央部的氢原子的含量(H1)及碳原子的含量(C1)。

此外，对于第2无机氧化物层中的氢原子的含量(H2)及碳原子的含量(C2)，也与第1无机氧化物层的测定同样地实施。

(3)透光性无机层的电阻率

由基于JIS K7194(1994年)的4探针法测得的透光性无机层的表面电阻值与通过(1)的厚度的测定求出的透光性无机层的厚度的乘积算出透光性无机层的电阻率。将其结果示于表1。

(4)蚀刻性

在透光性无机层4的整个上表面配置感光性薄膜(DFR、商品名“RY3310”、日立化成株式会社制造)，然后，如图2所示，对具有与非图案部及图案部的形成对应的图案的光掩模进行曝光，其后，进行显影，从而将与非图案部对应的感光性薄膜去除。由此，在成为图案部的透光性无机层4的上表面形成具有与图案部相同的图案的抗蚀层13。其后，将从抗蚀层13露出的透光性无机层4浸渍在加热至40℃的蚀刻液(株式会社ADEKA制造、ADEKA CHELUMICA SET-500)中30秒，从而进行蚀刻。

由此，如图2所示将透光性无机层4形成为具有条纹形状的图案部的布线图案。图案部的宽度L为100μm，此外，非图案部的宽度S(即邻接的图案部的间隔S)为100μm。

其后，通过TEM观察带有抗蚀剂的透光性无机层图案中第1无机氧化物层及第2无机氧化物层有无过度蚀刻部分及其程度，按照下述基准评价蚀刻性。需要说明的是，对于第2无机氧化物层，未观察到过度蚀刻部分。

需要说明的是，下述的“过度蚀刻部分的宽度方向长度”是指，从第2无机氧化物层的边缘到第1无机氧化物层中侵蚀到内侧的部分当中位于最内侧的部分(最深部)为止的距离D。

基准

○：第1无机氧化物层中的过度蚀刻部分的宽度方向长度D小于10μm。

△：第1无机氧化物层中的过度蚀刻部分的宽度方向长度D为10μm以上且小于15μm。

×：第1无机氧化物层中的过度蚀刻部分的宽度方向长度D为15μm以上。

(5)光学特性

使用浊度计(Suga Test Instruments Co.,Ltd.制造、装置名“HGM-2DP”)测定总透光率，作为可见光透射率。

此外，在各实施例、比较例的透光性薄膜的透光性无机层的相反侧，以不进入气泡的方式贴合带有粘着剂的黑色板。接着，使用分光光度计(Hitachi High-Technologies Corporation制造“U-4100”)，以5nm间距测定近红外线区域(850～2500nm)的光反射率，算出透光性无机层的反射率的平均值(平均反射率)。

将其结果示于表1。

表1

需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式提供，其仅仅是例示，不做限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包含在本发明的权利要求书的保护范围内。

产业上的可利用性

透光性薄膜被用于例如光学装置等。

附图标记说明

1 透光性薄膜

2 透明基材

4 透光性无机层

5 第1无机氧化物层

6 金属层

7 第2无机氧化物层