玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法

文档序号:8309918阅读:481来源:国知局
玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来,太阳能电池(PV)、液晶面板(IXD)、有机EL面板(OLED)等电子器件(电 子设备)的薄型化、轻量化正在推进,从而使这些电子器件所使用的玻璃基板的薄板化也 正在推进。另一方面,当因薄板化而导致玻璃基板的强度不足时,在电子器件的制造工序中 会使玻璃基板的处理性降低。
[0003] 因此,最近,从提高玻璃基板的处理性的观点考虑而提出如下一种方法:准备将玻 璃基板层叠在带无机薄膜的支承玻璃的无机薄膜上而成的层叠体,在层叠体的玻璃基板上 实施元件的制造处理,之后,使玻璃基板与层叠体分离(专利文献1)。
[0004] 专利文献1 :日本国特开2011 - 184284号公报

【发明内容】

[0005] 发明要解决的问题
[0006] 本发明者们在专利文献1的基础上对配置在支承基板(支承玻璃)上的无机层 (无机薄膜)进行了研宄。结果发现,在作为无机层的组成而采用没有在专利文献1中具体 记载的特定的组成的情况下,在将无机层上的玻璃基板剥离时的剥离性优异。
[0007] 另外,在专利文献1所记载的方法中,在层叠后进行加热处理。因此,本发明者们 在将玻璃基板层叠在使用所述特定的组成的无机层上之后,在专利文献1所具体记载的条 件下进行了加热处理。结果发现,在对进行了该加热处理后的层叠体实施切割折断(日文: 切*9折*9 )、研磨时,有时无法维持层叠状态。在该情况下,在进行了该加热处理的层叠体的 玻璃基板上形成电子器件用构件时,玻璃基板会发生剥落,这可能使获得的电子器件产生 不良情况。
[0008] 本发明是考虑到以上问题点而做出的,其目的在于,提供使配置在支承基板上的 无机层与玻璃基板之间的层叠维持性优异的玻璃层叠体的制造方法和使用该玻璃层叠体 的电子器件的制造方法。
[0009] 用于解决问题的方案
[0010] 本发明者们为了实现所述目而进行了深入研宄,结果发现,在作为无机层的组成 而采用特定的组成的情况下,通过在将玻璃基板层叠在无机层上之后在特定的条件下进行 加热处理,能够维持无机层与玻璃基板之间的层叠状态,由此完成了本发明。
[0011] 即,本发明提供以下的技术方案(1)~技术方案(4)。
[0012] 技术方案(1)提供一种玻璃层叠体的制造方法,通过该制造方法获得玻璃层叠 体,该玻璃层叠体包括:带无机层的支承基板,其具有支承基板和配置在所述支承基板上的 无机层;以及玻璃基板,其以能够剥离的方式层叠在所述无机层上,其中,该玻璃层叠体的 制造方法包括以下工序:层叠工序,将所述玻璃基板层叠在所述无机层上;以及加热处理 工序,在所述层叠工序之后进行加热处理,所述无机层含有从由碳化硅、碳氧化硅、氮化硅 以及氮氧化硅构成的组中选取的至少1种材料,所述加热处理满足下述(a)~下述(d)的 条件:
[0013] (a)升温速度:300°C /分钟以下;(b)加热温度:150°C~600°C; (c)保持时间:0. 5 分钟以上;以及(d)气氛:大气压状态下的大气气氛或非活性气体气氛、或者减压状态下的 大气气氛或非活性气体气氛、或者真空气氛。
[0014] 技术方案(2)是根据所述技术方案(1)所述的玻璃层叠体的制造方法,其中,所述 (a)升温速度为200°C /分钟以下。
[0015] 技术方案(3)是根据所述技术方案(1)或技术方案(2)所述的玻璃层叠体的制造 方法,其中,所述支承基板为玻璃基板。
[0016] 技术方案(4)提供一种电子器件的制造方法,其中,该电子器件的制造方法包括 以下工序:构件形成工序,在通过所述技术方案(1)~技术方案(3)中任一项所述的玻璃层 叠体的制造方法获得的玻璃层叠体中的所述玻璃基板的表面上形成电子器件用构件而获 得带电子器件用构件的层叠体;以及分离工序,将所述带无机层的支承基板自所述带电子 器件用构件的层叠体剥离而获得具有所述玻璃基板和所述电子器件用构件的电子器件。
[0017] 发明的效果
[0018] 采用本发明,能够提供使配置在支承基板上的无机层与玻璃基板之间的层叠维持 性优异的玻璃层叠体的制造方法和使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法。
【附图说明】
[0019] 图1是表示本发明的玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
[0020] 图2的(A)和图2的(B)是本发明的电子器件的制造方法的工序图。
[0021] 图3是表示剥离性的评价方法的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0022] 以下,参照附图来说明本发明的玻璃层叠体和电子器件的制造方法的优选形态, 但本发明并不限定于以下的实施方式,而能够在不脱离本发明的范围内对以下的实施方式 施加各种变形和替换。
[0023] 通过本发明的玻璃层叠体的制造方法获得的玻璃层叠体大体上是使采用了特定 的组成无机层介于支承基板与玻璃基板之间而构成的,由此,即使在进行高温条件下的处 理后,无机层与玻璃基板之间的剥离性也优异。
[0024] 以下,首先,详细叙述玻璃层叠体的优选实施方式,之后,详细叙述该玻璃层叠体 的制造方法和使用该玻璃层叠体的电子器件的制造方法的优选实施方式。
[0025] 玻璃层叠体
[0026] 图1是本发明的玻璃层叠体的一实施方式的示意性剖视图。
[0027] 如图1所示,玻璃层叠体10具有带无机层的支承基板16和玻璃基板18,该带无机 层的支承基板16由支承基板12和无机层14构成。在玻璃层叠体10中,将带无机层的支 承基板16的无机层14的无机层表面14a (与支承基板12侧相反的一侧的表面)和玻璃基 板18的第1主表面18a作为层叠面而将带无机层的支承基板16和玻璃基板18以能够剥 离的方式层叠起来。也就是说,无机层14的一侧的面固定在支承基板12上,并且其另一侧 的面与玻璃基板18的第1主表面18a相接触,无机层14与玻璃基板18之间的界面是以能 够剥离的方式密合的。换言之,无机层14相对于玻璃基板18的第1主表面18a具备易剥 离性。
[0028] 另外,使用该玻璃层叠体10直至后述的构件形成工序为止。即,使用该玻璃层叠 体10直至在该玻璃基板18的第2主表面18b表面上形成液晶显示装置等电子器件用构件 为止。之后,带无机层的支承基板16在与玻璃基板18之间的界面处被剥离,带无机层的支 承基板16不成为构成电子器件的构件。被分离的带无机层的支承基板16能够与新的玻璃 基板18层叠,并能够作为新的玻璃层叠体10而被再利用。
[0029] 在本发明中,所述固定与(能够剥离的)密合在剥离强度(即剥离所需的应力) 上不同,是指固定的剥离强度比密合的剥离强度大。具体而言,无机层14与支承基板12之 间的界面的剥离强度大于玻璃层叠体10中的无机层14与玻璃基板18之间的界面的剥离 强度。
[0030] 另外,能够剥离的密合是指能够剥离,并且还指能够在不使固定着的面发生剥离 的前提下进行剥离。也就是说,指的是,在本发明的玻璃层叠体10中,在进行了使玻璃基板 18与支承基板12分离的操作的情况下,在密合着的面(无机层14与玻璃基板18之间的 界面)发生剥离,在固定着的面不发生剥离。因而,在进行将玻璃层叠体10分离成玻璃基 板18和支承基板12的操作时,玻璃层叠体10被分离成玻璃基板18和带无机层的支承基 板16这两部分。
[0031] 以下,首先,详细叙述构成玻璃层叠体10的带无机层的支承基板16和玻璃基板1, 之后,详细叙述玻璃层叠体10的制造步骤(本发明的玻璃层叠体的制造方法)。
[0032] 带无机层的I承基板
[0033] 带无机层的支承基板16包括支承基板12和配置(固定)在支承基板12的表面 上的无机层14。无机层14以能够剥离的方式与后述的玻璃基板18相密合地配置于带无机 层的支承基板16中的最外侧。
[0034] 以下,详细叙述支承基板12和无机层14的实施方式。
[0035] I承基板
[0036] 支承基板12是如下那样的基板:其具有第1主表面和第2主表面并与配置在第1 主表面上的无机层14配合来支承并增强玻璃基板18,并在后述的构件形成工序(制造电子 器件用构件的工序)中防止电子器件用构件的制造时玻璃基板18的变形、刮伤、破损等。
[0037] 作为支承基板12,能够使用例如玻璃板、塑料板、以及SUS板等金属板等。支承基 板12在构件形成工序伴有热处理的情况下,优选由与玻璃基板18之间的线膨胀系数之差 较小的材料形成,更优选由与玻璃基板18相同的材料形成。即,支承基板12优选为玻璃板。 支承基板12特别优选为由与玻璃基板18相同的玻璃材料构成的玻璃板。
[0038] 支承基板12的厚度既可以比后述的玻璃基板18厚,也可以比后述的玻璃基板18 薄。优选的是,基于玻璃基板18的厚度、无机层14的厚度以及后述的玻璃层叠体10的厚 度来选择支承基板12的厚度。例如在当前的构件形成工序中设计为对厚度为0. 5mm的基 板进行处理、且玻璃基板18的厚度与无机层14的厚度之和为0.1 mm的情况下,则将支承基 板12的厚度设为0. 4mm。在通常的情况下,支承基板12的厚度优选为0. 2mm~5. 0mm。
[0039] 在支承基板12是玻璃板的情况下,从容易处理、不易产生裂纹等方面考虑,玻璃 板的厚度优选为〇. 〇8mm以上。另外,从期望玻璃板具有在形成电子器件用构件之后进行 剥离时玻璃板能够适度地挠曲而不产生裂纹那样的刚性的方面考虑,玻璃板的厚度优选为 1.0 mm以下。
[0040] 无机层
[0041] 无机层14是配置(固定)在支承基板12的第1主表面上而与玻璃基板18的第 1主表面18a相接触的层。在本发明中,含有从由碳化硅(以下
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