一种双金属镀层复合真空镀膜的制作方法
【专利摘要】本发明揭示了一种双金属镀层复合真空镀膜，包括第一金属镀层、基体以及第二金属镀层，所述第一金属镀层、基体以及第二金属镀层自上而下依次设置，所述第一金属镀层中间为中空结构，所述第一金属镀层的中空结构内设置有第一偏光层，所述第二金属镀层中间同样为中空结构，所述第二金属镀层的中空结构内设置有第二偏光层，所述第一金属镀层由高纯铬粉制成，所述第一偏光层由醋酸丁酸纤维素制成，所述基体由五氧化三钛制成，所述第二金属镀层由高纯钨制成，所述第二偏光层由聚碳酸酯制成。本发明具有优异的防护性，耐磨擦、防刮花，不容易损坏，具有优异的防眩光性，使用效果好。
【专利说明】
一种双金属镀层复合真空镀膜
技术领域
[0001]本发明涉及一种双金属镀层复合真空镀膜。
【背景技术】
[0002]真空镀膜是目前得到广泛使用的材料，种类较多。不同的使用条件下需要设计不同成分和理化性能的镀膜材料。现有技术中镀膜大多为单层结构，贴合比较简单，但是其本身具备的功能相对欠缺，使用效果欠佳。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种具有优异的防护性，耐磨擦、防刮花，不容易损坏，具有优异的防眩光性，使用效果好的双金属镀层复合真空镀膜。
[0004]本发明的技术方案是，一种双金属镀层复合真空镀膜，所述双金属镀层复合真空镀膜包括第一金属镀层、基体以及第二金属镀层，所述第一金属镀层、基体以及第二金属镀层自上而下依次设置，所述第一金属镀层中间为中空结构，所述第一金属镀层的中空结构内设置有第一偏光层，所述第二金属镀层中间同样为中空结构，所述第二金属镀层的中空结构内设置有第二偏光层，所述第一金属镀层由高纯铬粉制成，所述第一偏光层由醋酸丁酸纤维素制成，所述基体由五氧化三钛制成，所述第二金属镀层由高纯钨制成，所述第二偏光层由聚碳酸酯制成。
[0005]在本发明一个较佳实施例中，所述第一金属镀层、基体以及第二金属镀层的厚度比为2:3:1。
[0006]在本发明一个较佳实施例中，所述第一偏光层的厚度与所述第二偏光层的厚度比为 1:1。
[0007]本发明所述为一种双金属镀层复合真空镀膜，本发明具有优异的防护性，耐磨擦、防刮花，不容易损坏，具有优异的防眩光性，使用效果好。
【附图说明】
[0008]图1为本发明一种双金属镀层复合真空镀膜一较佳实施例中的剖视图。
【具体实施方式】
[0009]下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0010]本发明所述为一种双金属镀层复合真空镀膜，如图1所示，所述双金属镀层复合真空镀膜包括第一金属镀层1、基体2以及第二金属镀层3，所述第一金属镀层1、基体2以及第二金属镀层3自上而下依次设置。
[0011]所述第一金属镀层I中间为中空结构，所述第一金属镀层I的中空结构内设置有第一偏光层4。
[0012]所述第二金属镀层3中间同样为中空结构，所述第二金属镀层3的中空结构内设置有第二偏光层5。
[0013]所述第一金属镀层I由高纯铬粉制成，所述第一偏光层4由醋酸丁酸纤维素制成，所述基体2由五氧化三钛制成，所述第二金属镀层3由高纯钨制成，所述第二偏光层5由聚碳酸酯制成。
[0014]所述第一金属镀层1、基体2以及第二金属镀层3的厚度比为2:3:1。
[0015]所述第一偏光层4的厚度与所述第二偏光层5的厚度比为I: I。
[0016]本发明所述为一种双金属镀层复合真空镀膜，本发明具有优异的防护性，耐磨擦、防刮花，不容易损坏，具有优异的防眩光性，使用效果好。
[0017]以上所述仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种双金属镀层复合真空镀膜，所述双金属镀层复合真空镀膜包括第一金属镀层、基体以及第二金属镀层，其特征在于:所述第一金属镀层、基体以及第二金属镀层自上而下依次设置，所述第一金属镀层中间为中空结构，所述第一金属镀层的中空结构内设置有第一偏光层，所述第二金属镀层中间同样为中空结构，所述第二金属镀层的中空结构内设置有第二偏光层，所述第一金属镀层由高纯铬粉制成，所述第一偏光层由醋酸丁酸纤维素制成，所述基体由五氧化三钛制成，所述第二金属镀层由高纯钨制成，所述第二偏光层由聚碳酸酯制成。2.根据权利要求1所述的双金属镀层复合真空镀膜，其特征在于:所述第一金属镀层、基体以及第二金属镀层的厚度比为2:3:1。3.根据权利要求1所述的双金属镀层复合真空镀膜，其特征在于:所述第一偏光层的厚度与所述第二偏光层的厚度比为I: I。
【文档编号】C23C14/18GK105904799SQ201610257813
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月25日
【发明人】陈学兵, 王光辉
【申请人】苏州普京真空技术有限公司