专利名称：魔芋试管芋的繁育技术的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种魔芋试管芋的繁肓技术，属农业生物技术领域。
背景技术：
魔芋是唯一能大量合成葡甘聚糖的植物，葡甘聚糖无论在工业、农业和医药、保健食品上都有着广泛作用，愈来愈引起人们的兴趣和重视，种植面积不断扩大。但种芋带病率高、优良种性严重退化制约了这一产业的发展。通过生物技术繁殖无病毒优质种苗、种芋在马铃薯、百合等多种植物上已取得了成功，并广泛运用于生产，取得了良好的社会效益的经济效益。魔芋目前已能通过生物技术繁育出优良种苗并移栽到苗床进行良种繁育，为魔芋种性退化、优良种芋奇缺提供了行之有效的解决方法。但魔芋组培苗的栽培管理是一项十分精细的工作，技术操作和栽培条件稍不注意将会大大降低组培苗的成活率和结芋率。
迄今为止，未见在试管内繁育魔芋小球茎的公开报道。
发明内容
本发明的目的在克服于魔芋组培苗移栽时管理难、技术要求高，不易被撑握之不足，而提供一种管理简单、成活率高的魔芋试管芋的繁肓技术。
本发明的魔芋试管芋的繁肓技术，由魔芋外植体冲洗、灭菌、接种、继代培养、生根培养、诱导小球茎及成熟小球茎出瓶植入苗床、繁殖块茎程序组成，其中魔芋组培苗生根培养时在生根培养基MS+NAA5～1mg/L中加入1-6ppm的多效唑，在温度20℃以上、光照1000LX的环境中培养20-25天，组培苗生根的同时块茎膨大，形成小球茎。当小球茎长至2-4克时，进行暗培养，培养温度在15℃以下，组培苗在瓶内10-15天倒苗，形成成熟的小球茎。成熟的小球茎出瓶后经催芽处理植入苗床，在温度20℃以上适当遮阴的条件下以30天为一个周期施加营养，施加营养的比例为N∶P∶K∶Ca∶Mg＝5∶1∶5∶0.5∶1。本繁肓技术当年就可收获100-200克的种芋和4-5个小子芋。
上述魔芋外植体冲洗、灭菌、接种、继代培养及相应的培养条件与现有技术相同。
本发明通过生物技术在试管内繁殖小球茎，减少了试管苗移栽管理这一高要求的程序，具有种芋的成活率和繁殖率高、管理简单等优点。
具体实施例方式先将块茎状的魔芋外植体冲洗，并按0.5cm×0.5cm为规格取顶芽部分，再分别用75％酒精浸泡2～3秒钟和0.1％升汞浸泡15分钟，随即用无菌水冲洗，冲洗后的魔芋块茎外植体放入MS+6BA6～0.1mg/L+NAA6～0mg/L、PH5.8培养基中，在温度为20℃以上、光照1000LX的环境中培养45天即可一次成苗。此时再将组培苗放入同样的培养基中进行继代培养，每隔20天继代一次，增殖倍数为1∶4～1∶6。继代培养过程中的温度为20℃以上、光照1000LX。当幼苗长至3～4cm高时，进行分株切割，放入加有1-6ppm的多效唑的生根培养基MS+NAA5～1mg/L中生根培养20-25天，组培苗生根的同时块茎膨大，形成小球茎。当小球茎长至2-4克时，进行暗培养，培养温度在15℃以下，组培苗在瓶内10-15天倒苗，形成成熟的小球茎。成熟的小球茎出瓶后经常规催芽处理植入苗床，在温度20℃以上适当遮阴的条件下以30天为一个周期施加营养，施加营养的比例为N∶P∶K∶Ca∶Mg＝5∶1∶5∶0.5∶1。本繁肓技术当年就可收获100-200克的种芋和4-5个小子芋。
权利要求
1.一种魔芋试管芋的繁肓技术，由魔芋外植体冲洗、灭菌、接种、继代培养、生根培养、诱导小球茎及成熟小球茎出瓶植入苗床、繁殖块茎程序组成，其特征在于1.1魔芋组培苗生根培养时在生根培养基MS+NAA5～1mg/L中加入1-6ppm的多效唑，在温度20℃以上、光照1000LX的环境中培养20-25天，组培苗生根的同时块茎膨大，形成小球茎；1.2当小球茎长至2-4克时，进行暗培养，培养温度在15℃以下，组培苗在瓶内10-15天倒苗，形成成熟的小球茎；1.3成熟的小球茎出瓶后经催芽处理植入苗床，在温度20℃以上适当遮阴的条件下以30天为一个周期施加营养，施加营养的比例为N∶P∶K∶Ca∶Mg＝5∶1∶5∶0.5∶1；本繁肓技术当年就可收获100-200克的种芋和4-5个小子芋。
全文摘要
本发明涉及一种魔芋试管芋的繁育技术，属农业生物技术领域。本发明由常规的繁育程序组成，并在魔芋组培苗生根培养时在生根培养基MS+NAA
文档编号A01H4/00GK1493186SQ0313557
公开日2004年5月5日 申请日期2003年8月9日 优先权日2003年8月9日
发明者王玲, 马继琼, 房亚南, 李勇军, 王 玲 申请人:云南省农业科学院生物技术研究所