一种甘薯育种选种方法与流程

文档序号:12083348阅读:516来源:国知局

本发明涉及甘薯种植技术领域,尤其涉及一种甘薯育种选种方法。



背景技术:

随着我国农业科学技术的不断发展,人们对于甘薯的营养价值越来越了解,由于甘薯具有丰富的营养以及较好的保健功能,收到了现代消费者的青睐,利用甘薯可以加工成薯片、薯条或者薯酱等产品。因此,做好甘薯的育种开发工作,非常有利于提升现代人的健康水平,具有非常重要的现实意义。



技术实现要素:

为解决现有技术和实际情况中存在的上述问题,本发明提供一种甘薯育种选种方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

(1)选择优良的甘薯母本,将准备好的材料浸入50%多菌灵加水500倍的溶液中,密封放置在黑暗处控制温度为25-28℃,浸泡15-24h;

(2)将浸泡过的甘薯材料,用淘米水冲洗干净后,用钴60γ辐射源以辐射剂量为6000-5000伦琴的范围内进行射线辐射,然后再用He-Ne激光照射20-30min;

(3)苗床施复合基肥,畦宽0.5-0.6m,沟深8-10cm,控制扦插温度25-27℃,株行距规格5×8cm进行扦插;

(4)扦插育苗成活后移栽,及时补水施肥,淘汰不良植株。

有益效果:

本发明提供的一种甘薯育种选种方法,经过本方法之后的品种抗根腐病,茎线虫病,耐旱耐涝耐瘠薄,抗逆性强,适种范围广。

具体实施方式

下面详细介绍本发明技术方案。

实施例1

本发明提供一种甘薯育种选种方法,所述方法包括如下步骤:

(1)选择优良的甘薯母本,将准备好的材料浸入50%多菌灵加水500倍的溶液中,密封放置在黑暗处控制温度为25-28℃,浸泡15-24h;如此,可防止种薯带病。并且浸种过程中要不断翻动薯种,使受热均匀。

(2)将浸泡过的甘薯材料,用淘米水冲洗干净后,用钴60γ辐射源以辐射剂量为6000-5000伦琴的范围内进行射线辐射,然后再用He-Ne激光照射20-30min。 经过实践证明,使用淘米水的原因是因为这种水呈酸性,PH值在5.5-6,淘米水的水分子可以很好的分离污垢的作用,可作为甘薯浸种后的二次清洁剂,且无毒副作用,不会伤及育种。清洗干净后的薯种用钴60γ辐射源以辐射剂量为6000-5000伦琴的范围内进行射线辐射,然后再用He-Ne激光照射20-30min;如此方法培育的薯种,其重量增加0.5-1.5倍,个头可达1.2-1.5倍。

(3)苗床施复合基肥,畦宽0.5-0.6m,沟深8-10cm,控制扦插温度25-27℃,株行距规格5×8cm进行扦插;

(4)扦插育苗成活后移栽,及时补水施肥,把不良植株淘汰,把有益的株系保留下来。

有益效果:

本发明提供的一种甘薯育种选种方法,经过本方法之后的品种抗根腐病,茎线虫病,耐旱耐涝耐瘠薄,抗逆性强,适种范围广。

最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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