一种非洲菊脱毒种苗的高效扩繁方法_2

文档序号:9383965阅读:来源:国知局
/LH3B03,0. 4mg/LKI,0. 12mg/L Na2M〇04 ? 2H20,0. 012mg/LCoCl2 ? 6H20,0. 012mg/LCuS04 ? 5H20,0. 4mg/LKI,30mg/L肌醇, 0. 5mg/L甘氨酸,0.OSmg/LVBpO. 05mg/LVB6,混合制成壮苗营养液。
[0015] 步骤7)中的消过毒的基质成分为等体积比例的草炭、珍珠岩、蛭石。
[0016] 本发明的有益效果: (1) 本发明消毒方法简单、有效,外植体消毒效果好,外植体的污染率降低为5%以下; (2) 本发明解决了现有技术诱导率较低、增殖效率低的缺点,不定芽诱导率比平均水平 提高30%左右;不定芽增殖效率比平均水平提高30%左右;最终扩繁效率提高了 70%左右; (3) 本发明解决了现有技术种苗质量差、弱苗多的缺点,获得的种苗质量高,弱苗或死 苗率降低到仅有1%左右; (4) 本发明苗移栽成活率比现有技术大大提高,移栽成活率达到99%左右。
【附图说明】
[0017] 图1是阳光海岸不定芽诱导的结果图; 图2是阳光海岸不定芽增殖的结果图; 图3是阳光海岸温室内生根培养的结果图; 图4是本技术路线离体快繁获得大量优质种苗的结果图。
【具体实施方式】
[0018] 以下实施例结合附图进一步描述本发明的具体技术方案,以便于本领域的技术人 员进一步地理解本发明,而不构成对其权利的限制。
[0019] 实施例1 本实施例的非洲菊脱毒种苗的高效扩繁方法,实施时间为2014年-2015年,非洲菊脱 毒苗前处理、植株再生及炼苗在连云港市振兴花卉园进行,组培苗移栽在连云港市东辛农 场花卉试验基地内进行,详细步骤如下: 1) 非洲菊脱毒苗前处理: 取材非洲菊品种阳光海岸的脱毒苗,先用自来水反复冲洗,用毛刷蘸取洗洁精洗一遍 后接着用超纯水冲洗干净,用70%酒精浸泡15s,再用无菌水冲洗两次,0. 1%升汞内加数 滴吐温20溶液浸泡5min,用无菌水冲洗5次,滤纸吸干,将阳光海岸脱毒苗的叶柄和花 托移入装有不定芽诱导培养基(不定芽诱导培养基的配方为:MS+0.lmg/L2, 4-D+O. 2mg/ LNAA+0. 3mg/LIBA+0. 3g/LCH+3% 蔗糖 +6.Og/L琼脂,pH为 5. 8)的广 口瓶中,为对比本 发明不定芽诱导培养基的效果,同时选择了另3种不定芽诱导培养基,培养基配方分别为: MS+2.Omg/L6-BA+O.lmg/LNAA+30g/L蔗糖 +7.Og/L琼脂,pH为 5. 8 (对比文件来自于席梦 利等《非洲菊的离体培养及其快速繁殖》)、MS+10mg/L6-BA+O.lmg/LIAA+30%蔗糖+5.5g/ L琼脂(对比文件来自于石文山等《非洲菊的离体培养和快速繁殖技术研究》)、MS+2.Omg/L 6-BA+O. 2mg/LIAA+30%蔗糖+5. 5g/L琼脂(对比文件来自于石文山等《非洲菊的离体培养 和快速繁殖技术研究》); 2) 不定芽的诱导: 为防脱毒苗在生产过程中被病毒再浸染,培养室先经过消毒,消毒剂选用40%甲醛 10ml/m3、高锰酸钾5g/m3,对整个培养室进行熏蒸2小时,熏蒸后,再采用75%乙醇擦拭培养 架进行表面消毒,然后将接种有阳光海岸脱毒苗外植体的不定芽诱导培养基广口瓶置于消 毒处理过的培养室中光培养,培养室温度采用空调控制为26°C,以荧光灯为光源,光照强度 采用1800Lx,光周期控制为光14h/暗10h,光培养27天左右后,观察到各培养基中诱导出 大量的不定芽,如附图1,统计不定芽诱导率,本发明阳光海岸不定芽诱导率达到77. 5%,显 著高于其他3个平均60%左右的不定芽诱导率,不定芽诱导率统计结果如表1 ;
3) 切割不定芽继代增殖: 在无菌条件下将诱导2-3cm的阳光海岸不定芽从外植体上完整的切下,转接到装有增 殖培养基(增殖培养基配方为:MS+3. 0mg/L6-BA+0. 5mg/LNAA+0. 5mg/LGA+2. 5mg/L氯化胆 碱+4%蔗糖+6.Og/L琼脂,pH为5. 8)的广口瓶中,为对比本发明增殖培养基的效果,同时 选择了另4种增殖培养基,培养基配方分别为:MS+0. 3mg/L6-BA+0.lmg/LNAA+30g/L蔗糖 +7.Og/L琼脂,pH为5. 8 (对比文件来自于席梦利等《非洲菊的离体培养及其快速繁殖》)、 MS+1. 0mg/L6-BA+0.lmg/LNAA+30g/L蔗糖+7.Og/L琼脂,pH为5. 8 (对比文件来自于席梦利 等《非洲菊的离体培养及其快速繁殖》)、MS+0. 3mg/L6-BA+0.lmg/LPP333+0.lmg/LNAA+30g/ L蔗糖+7.Og/L琼脂,pH为5. 8 (对比文件来自于席梦利等《非洲菊的离体培养及其快速繁 殖》)、MS+0. 5mg/L6-BA+0. 25mg/LIAA+30% 蔗糖 +5. 5g/L琼脂,pH为 5. 8 (对比文件来自于 石文山等《非洲菊的离体培养和快速繁殖技术研究》)。培养室温度用空调调节为24°C、光 照强度调节为1800Lx、光周期控制为光12h/暗12h下培养,培养20天左右后得到大量阳光 海岸幼苗,如附图2,反复将形成的丛生芽切成单芽,接种到增殖培养基上进行增殖培养,非 洲菊快速大量地增殖,本发明培养基对阳光海岸增值倍数达到5. 28,显著高于其他4. 2左 右的增殖倍数,各培养基对阳光海岸增值倍数如表2所示;
4) 炼苗: 筛选5-8cm的非洲菊脱毒试管苗,转移到光照强度为30001x的另一培养室中,4天后, 将培养温度降低为21°C,再过4天,打开广口瓶封口,继续炼苗4天; 5) 水培生根处理: 为减少转接对脱毒试管苗根系带来的伤害,转接前向广口瓶内加入少量水,并用镊子 轻轻搅动培养基,以免把苗子倒出时损伤根,试管苗倒出后洗净根上的培养基,移栽到装有 生根培养液(生根培养液配方为:500mg/LKN03,500mg/LNH4N03,92.5mg/LMgS04*7H20, 173mg/LCa(N03) 2 ? 4H20,150mg/LKH2P04, 32mg/LKC1,17mg/LMnS04 ? 7H20,19mg/L Na2-EDTA,14mg/LFeS04 ? 7H20, 2. 2mg/LMnS04 ? 4H20,0? 8mg/LZnS04 ? 7H20,0? 8mg/LH3B03, 0? 4mg/LKI,50mg/L肌醇,lmg/L甘氨酸,0?OSmg/LVBi,0? 05mg/LVB6,混合制成生根营养液) 的水培盘中的栽培板上,栽培密度1100苗/m2,株距2. 5cm,行距2. 5cm,水培器皿用盆底 长X宽=44X32cm,盆高=15cm的塑料盆作为栽培盆,每盆放2L营养液,并有定植孔间距 为2. 5cm的栽培板漂浮在营养液上,将脱毒苗上方搭上一层透明的塑料薄膜,使其处于温 度23. 5°C、湿度约90%、光照强度为25001x的清洁的温室内环境生长,如图3。为对比本发 明生根培养液和培养方式的效果,从非洲菊再生植株的文献中找到另3种培养方法,分别 来源于专利申请号为201410611434. 5、201510110528. 9、201510149499. 7的3种非洲菊生 根培养方法,本发明与其他生根培养对阳光海岸种苗质量的影响如表3 ;
6) 水培壮苗: 生根培养15天后,脱毒苗根系基本发育完全,获得根长为1. 2-2. 2cm的非洲菊幼苗, 生根率达到100%。此时,撤掉塑料薄膜,倒掉生根营养液,给幼苗浇施壮苗营养液(壮苗营 养液配方为:850mg/LKN03,750mg/LNH4N03,165mg/LMgS04.7H20,75mg/LKH2P04,200mg/ LCaCl2,2H20,20mg/LNa2-EDTA,15mg/LFeS04,7H20,10.5mg/LMnS04,4H20,4.25mg/L ZnS04 ? 7H20,3.Omg/LH3B03,0. 4mg/LKI,0. 12mg/LNa2M〇04 ? 2H20,0. 012mg/LCoCl2 ? 6H20, 0? 012mg/LCuS04 ? 5H20,0? 4mg/LKI,30mg/L肌醇,0? 5mg/L甘氨酸,0?OSmg/LVBp0? 05mg/ LVB6,混合制成壮苗营养液); 7) 移栽: 当非洲菊脱毒苗长到12_15cm时,移栽到消过毒的基质(成分为等体积比例的草炭、珍 珠岩、蛭石)上,移栽密度为行距15cm、株距10cm,塑料薄膜覆盖保湿,该幼苗移栽成活率达 到99. 1%,12天后逐步除去薄膜,置于室外自然光下生长,生长55天后,苗高达到10cm以 上,符合非洲菊种苗出圃销售的要求,如图4。
[0020] 实施例2 本实施例的非洲菊脱毒种苗的高效扩繁方法,实施时间、非洲菊脱毒苗前处理、植株再 生及炼苗、组培苗移栽均与实施例1相同,培养基(液)配方、对比培养基(液)配方和操作步 骤均与实施例1相同,本实施例与实施例1最大不同之处为非洲菊脱毒种苗品种更换为玲 珑: 1) 非洲菊脱毒苗前处理: 取材非洲菊品种玲珑的脱毒苗,先用自来水反复冲洗,用毛刷蘸取洗洁精洗一遍后接 着用超纯水冲洗干净,用70%酒精浸泡15s,再用无菌水冲洗两次,0. 1%升萊内加数滴吐温 20溶液浸泡5min,用无菌水冲洗5次,滤纸吸干,将玲珑脱毒苗的叶柄和花托移入装有不定 芽诱导培养基,同时选择了另3种不定芽诱导培养基(同实施例1)进行对比; 2) 不定芽的诱导: 为防脱毒苗在生产过程中被病毒再浸染,培养室消毒后进行转入不定芽诱导培养瓶 (培养室消毒、培养条件同实施例1),培养25天左右后,观察到各培养基中诱导出大量的不 定芽,统计不定芽诱导率,统计结果如表4 ;
3) 切割不定芽继
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