甘薯田覆盖秸秆高产种植方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及秸杆覆盖农作物田表面的种植方法，尤其是涉及夏收茬种植夏甘薯，甘薯田覆盖秸杆高产种植方法。
技术背景
[0002]秸杆是可再生的生物资源，历来是我国农民的生活燃料。随着天燃气使用的普及，使农村有大量的富余秸杆。杜绝抛弃和焚烧秸杆污染环境，走可持续发展的生态循环农业。利用夏收秸杆覆盖甘薯田表面，走甘薯高产种植的新路子。
[0003]目前，夏收茬甘薯种植方法，把秸杆清理出田或就地焚烧后，耕翻作垄栽插甘薯，具体种植方法包括以下步骤:
1、清理秸杆:夏收作物收获后，把秸杆清理出田或就地焚烧；
2、耕翻灭茬:旋耕或人工耕翻灭茬；
3、施用基肥:肥料施在垄中的田面上；
4、作甘薯垄:整碎土块，垄宽70cm，垄沟宽20cm，垄高30cm;
5、栽插甘薯:单行栽插，株距20cm，行距90cm，每亩3700株；
6、田间管理:浇水施肥，中耕除草，清沟培土，防治病虫害等。
[0004]上述夏收茬甘薯种植方法的缺陷:
1、秸杆没有还田:秸杆抛弃田野或就地焚烧污染环境；
2、土壤有机质下降:秸杆不还田，土壤有机质下降，不利于建设高产农田。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了克服现有耕作技术的不足，把农村富余秸杆的资源优势，转化为提高农作物产量的经济优势，开发成建设高产农田的产业优势。全田覆盖秸杆列入甘薯高产种植的程序之中，提供一种甘薯田覆盖秸杆高产种植方法。杜绝抛弃和焚烧秸杆，实现增肥改土、抑制草荒，高产种植甘薯的新方法。
[0006]本发明甘薯田覆盖秸杆高产种植方法，包括以下步骤:
1、耕翻灭茬:旋耕或人工耕翻灭茬，把秸杆移向耕翻地或田埂上；
2、施用基肥:肥料施在垄中的田面上；
3、作甘薯垄:整碎土块，垄宽70cm，垄沟宽20cm，垄高30cm;
4、栽插甘薯:单行栽插，株距20cm，行距90cm，每亩3700株；
5、覆盖秸杆:每亩覆盖3?4亩小麦或油菜秸杆量，均匀铺放踩压在甘薯田表面，做到土壤不见天；
6、田间管理:浇水施肥，防治病虫害，拔除杂草，防止风吹雨淋甘薯田土壤见天、秸杆压苗，保持秸杆覆盖土壤，薯藤生长在秸杆上。
[0007]由于采用了上述技术方案，甘薯田表面覆盖秸杆，能抑制杂草生长，经4?5个月的日晒雨淋，秸杆腐烂为松软的植物残体，成为土壤有机质的来源。经多年实践，在秸杆覆盖遮光湿润的环境下，促使多结薯，结大薯，甚至能使甘薯长出地面向空中生长，比不覆盖秸杆的甘薯田单产能增50%左右，1500?2000公斤生产水平的田块，单产能提高到2500?3000公斤，甚至能达到4000公斤左右，经济效益、社会效益和生态效益都得到提高。
【具体实施方式】
[0008]实施例1:
甘薯田覆盖秸杆高产种植方法，包括以下步骤:
1、耕翻灭茬:旋耕或人工耕翻灭茬；
2、施用基肥:肥料施在垄中的田面上；
3、作甘薯垄:整碎土块，垄宽70cm，垄沟宽20cm，垄高30cm;
4、栽插甘薯:单行栽插，株距20cm，行距90cm，每亩3700株；
5、覆盖秸杆:每亩覆盖3~4亩小麦或油菜秸杆量，均匀铺放踩压在甘薯田表面，做到土壤不见天；
6、田间管理:浇水施肥，防治病虫害，拔除杂草，防止风吹雨淋甘薯田土壤见天、秸杆压苗，保持秸杆覆盖土壤，薯藤生长在秸杆上。
[0009]实施例2:
甘薯田覆盖秸杆高产种植方法，包括以下步骤:
1、耕翻灭茬:旋耕或人工耕翻灭茬；
2、施用基肥:肥料施在垄中的田面上；
3、作甘薯垄:整碎土块，垄宽160cm，垄沟宽20cm，垄高30cm;
4、栽插甘薯:垄面双行栽插，株距20cm，行距90cm，每亩3700株；
5、覆盖秸杆:每亩覆盖3~4亩小麦或油菜秸杆量，均匀铺放踩压在甘薯田表面，做到土壤不见天；
6、田间管理:浇水施肥，防治病虫害，拔除杂草，防止风吹雨淋甘薯田土壤见天、秸杆压苗，保持秸杆覆盖土壤，薯藤生长在秸杆上。
【主权项】
1.甘薯田覆盖秸杆高产种植方法，其特征是包括以下步骤: A)耕翻灭茬:旋耕或人工耕翻灭茬； B)施用基肥:肥料施在垄中的田面上； C)作甘薯垄:整碎土块，垄宽70cm，垄沟宽20cm，垄高30cm; D)栽插甘薯:单行栽插，株距20cm，行距90cm，每亩3700株； E)覆盖秸杆:每亩覆盖3?4亩左右小麦或油菜秸杆量，均匀铺放踩压在甘薯田表面，做到土壤不见天； F)田间管理:浇水施肥，防治病虫害，拔除杂草，防止风吹雨淋甘薯田土壤见天、秸杆压苗，保持秸杆覆盖土壤，薯藤生长在秸杆上。
【专利摘要】本发明公开了甘薯田覆盖秸秆高产种植方法，包括：A）耕翻灭茬；B）施用基肥；C）作甘薯垄；D）栽插甘薯；E）覆盖秸秆；F）田间管理等步骤。上述甘薯田覆盖秸秆高产种植方法，把覆盖秸秆列入甘薯高产种植程序，走甘薯高产的新路子。
【IPC分类】A01G1/00
【公开号】CN105594420
【申请号】CN201510965071
【发明人】狄正兴, 谈夕凤, 狄琦萍
【申请人】狄正兴
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月21日