一种钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方法

文档序号:2012347阅读:367来源:国知局
专利名称:一种钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方法
技术领域
本发明属陶瓷材料制造领域,具体涉及一种钵铝碳三元层状可加工陶 瓷材料的制备方法。
背景技术
'钛铝碳纳米层状三元化合物中,TiaAlC2和Ti2AlC是其中研究最多也是 最有希望实用化的两种新型可加工陶瓷材料。这类材料兼具金属材料和陶 瓷材料的优点于一身,如具有金属材料良好的导电、导热性能,有相对较 低的硬度,在高温下具有塑性,能用高速刀具或线切割进行加工的可加工 性,也具有陶瓷的高弹性模量、低密度、高热稳定性和良好的抗氧化性等 综合性能,在高温结构部件、化学防腐材料、电极材料及可加工材料等领 域有广阔的应用前景。
'目前,该类材料的主要制备方法为原位热压烧结和热等静压烧结。这 两种方法都是利用Ti-A1-C或者TiC- Ti- Al为原料,通过热压烧结制备 钛铝碳块体材料。其反应合成温度高(140(TC以上),热压压力大(35MPa 左右),纯度很难控制,杂质相较多,包括反应物残留物及中间生成物(TiC、 Ti-Al金属间化合物等),也有Ti3AlC和Ti3AlC2物相共存,影响了该材料 的性能。因此,如何采取有效的途径,合成高纯单一物相材料,是未来该 材料的发展方向。
'

发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提i^一种制备工艺简单,热
压温度低,压力小、制造成本低,且能够制备单一物相结构的Ti3AlC或 Ti3AlC2材料,也可以制备双相结构材料TiaAlC和TiaAlG的钛铝碳三元层 状可加工陶瓷材料的制备方法,该方法制备的材料具有晶粒细小、致密, 综合力学性能好。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是1)首先按质量百分比 将65. 78-71. 11%的钛粉、20. 00-32. 00%的铝粉和2. 22-8. 89%的活性碳混 合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0. 2—0. 5%的硬脂酸钠分散剂, 采用于法球磨,球磨机的转速为800-1000转每分钟,料、球质量比为l: 10,球磨10-12小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在70-8(TC下 真空干燥4-5小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件 下以1200°C-1300°C, 5-15MPa的压力热压烧结0. 5 — 1小时即可。
本发明利用Ti粉、Al.粉、C粉以及少量添加剂经高能球磨后,原位 反应生成TiC及Ti-Al等中间物相。这种复合粉体经热压烧结后合成晶相 为单一 TiaAlC2、 Ti2AlC的可加工陶瓷材料,也可,成两相TisAlCrTi2AlC 复合材料,由于制备工艺简单,所合成的材料结构均匀致密,成分可在较 大范围内调整,烧成温度低、压力小,成本较低。 '


图1为Ti粉、Al粉、C粉的高能球磨过程的XRD分析结果,横坐标 为衍射角,纵坐标为衍射峰强度;由图1可看出主晶相为TiC 、 TiAL及 少量的未反应钛、铝。
图2为130(TC烧结试样的XRD分析结果,横坐标为衍射角,纵坐标为 衍射峰强度,由图2可以看出,该材料为单一晶相TiaAlG;
图3为130(TC烧结试样的XRD分析结果,横坐标为衍射角,纵坐标为 衍射峰强度;由图3可以看出,该材料为单一晶相Ti^lC;
图4为130(TC烧结试样的XRD分析结果,横坐标为衍射角,纵坐标为 衍射峰强度;由图4可以看出,该材料为两相Ti2AlC-Ti2AlC;
图5为130(rC合成TiaAlC2的SEM分析结果,由图5可以看出,该材
料结构致密、均匀,具有微晶层片结构;
■图6为130(TC合成Ti2AlC的SEM分析结果,由图6可以看出,该材 料结构致密、均匀。
具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1,首先按质量百分比将68%的钛粉、28%的铝粉和4%的活性碳 混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0.4%的硬脂酸钠分散剂,采 用干法球磨,球磨机的转速为850转每分钟,料、球质量比为l: 10,球 磨10小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在7(TC下真空干燥4小 时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以130(TC, 12MPa的压力热压烧结0. 5.小时即可。
实施例2,首先按质量百分比将71.11%的钛粉、20%的铝粉和8.89% 的活性碳混合制成混合物;在混合物中加入混合物,质量0. 2%的硬脂酸钠分 散剂t采用干法球磨,球磨机的转速为IOOO转每分钟,料、球质量比为1: 10,球磨11小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在77"C下真空干 燥'4.2小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以 1200°C , 8MPa的压力热压烧结0. 8小时即可。
实施例3,首先按质量百分比将65.78%的钛粉、32%的铝粉和2.22%
的活性碳混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0. 5%的硬脂酸钠分 散剂,采用干法球磨,球磨机的转速为800转每分钟,料、球质量比为l: 10',球磨12小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在73"C下真空干 燥4、 4.2、 4.6、 5小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真 空条件下以1250°C, 5MPa的压力热压烧结0. 6小时即可。
实施例4,首先按质量百分比将70%的钛粉、25%的铝粉和5%的活性碳 混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0.3%的硬脂酸钠分散剂,采 用干法球磨,球磨机的转速为900转每分钟,料、球质量比为l: 10,球 磨10小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在8(TC下真空干燥5小 吋;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以127(TC, 15MPa的压力热压烧结1小时即可。
权利要求
1、一种钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方法,其特征在于1)首先按质量百分比将65.78-71.11%的钛粉、20.00-32.00%的铝粉和2.22-8.89%的活性碳混合制成混合物;2)在混合物中加入混合物质量0.2-0.5%的硬脂酸钠分散剂,采用干法球磨,球磨机的转速为800-1000转每分钟,料、球质量比为1∶10,球磨10-12小时得到复合粉体;3)将球磨得到的复合粉体在70-80℃下真空干燥4-5小时;4)将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以1200℃-1300℃,5-15MPa的压力热压烧结0.5-1小时即可。
2、 根据权利要求1所述的钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方 法,其特征在于首先按质量百分比将68%的钛粉、28%的铝粉和4%的活 性碳混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0. 4%的硬脂酸钠分散 齐廿,采用干法球磨,球磨机的转速为850转每分钟,料、球质量比为l: 10,球磨10小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在7(TC下真空干 燥4小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以1300 °C, 12MPa的压力热压烧结0.5小时即可。
3、 根据权利要求1所述的钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方 法,其特征在于首先按质量百分比将71.11%的钛粉、20%的铝粉和8.89% 的活性碳混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0. 2%的硬脂酸钠分 散剂,采用干法球磨,球磨机的转速为IOOO转每分钟,料、球质量比为1: 10)球磨11小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在77'C下真空干燥4.2小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以1200°C, 8MPa的压力热压烧结0.8小时即可。'
4、 根据权利要求1所述的钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方 法,其特征在于首先按质量百分比将65.78%的钛粉、32%的铝粉和2.22% 的活性碳混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0. 5%的硬脂酸钠分 散剂,采用干法球磨,球磨机的转速为800转每分钟,料、球质量比为l: 10,球磨12小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在73。C下真空干 燥4、 4.2、 4.6、 5小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真 空条件下以1250°C, 5MPa的压力热压烧结0. 6小'时即可。
5、 根据权利要求1所述的钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方 法,其特征在于首先按质量百分比将70%的钛粉、25%的铝粉和5%的活 性碳混合制成混合物;在混合物中加入混合物质量0. 3°/。的硬脂酸钠分散 剂,采用干法球磨,球磨机的转速为900转每分钟,料、球质量比为l: 10,球磨10小时得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体在8(TC下真空干 燥5小时;将干燥后的粉体装入石墨磨具中,在氩气或真空条件下以1270 。C, 15MPa的压力热压烧结1小时即可。 '
全文摘要
一种钛铝碳三元层状可加工陶瓷材料的制备方法,首先将钛粉、铝粉和活性碳制成混合物;在混合物中加入硬脂酸钠分散剂,采用干法球磨,得到复合粉体;将球磨得到的复合粉体真空干燥后装入石墨磨具中,在氩气或真空条件热压烧结即可。本发明利用Ti粉、Al粉、C粉以及少量添加剂经高能球磨后,原位反应生成TiC及Ti-Al等中间物相。这种复合粉体经热压烧结后合成晶相为单一Ti<sub>3</sub>AlC<sub>2</sub>、Ti<sub>2</sub>AlC的可加工陶瓷材料,也可合成两相Ti<sub>3</sub>AlC<sub>2</sub>-Ti<sub>2</sub>AlC复合材料,由于制备工艺简单,所合成的材料结构均匀致密,成分可在较大范围内调整,烧成温度低、压力小,成本较低。
文档编号C04B35/65GK101100383SQ20071001838
公开日2008年1月9日 申请日期2007年7月31日 优先权日2007年7月31日
发明者刘波波, 芳 张, 朱建锋, 杨海波, 营 林, 芬 王 申请人:陕西科技大学
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