一种多晶硅翻转装置的制作方法

文档序号:14609689发布日期:2018-06-05 20:33阅读:280来源:国知局
一种多晶硅翻转装置的制作方法

本实用新型涉及多晶硅领域,特别涉及一种多晶硅翻转装置。



背景技术:

随着集成电路和光伏产业的飞速发展,硅材料加工技术也越来越受到重视。硅材料可以制成单晶硅或多晶硅,在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅发挥着巨大的作用。

目前对多晶硅锭的表面处理主要采取整体喷砂打磨的方式进行,在喷砂打磨处理时需要将多晶硅锭进行翻转,以保证多晶硅锭包括底面和侧面在内的所有表面都被打磨到。由于多晶硅锭的重量在420~450千克之间,对于多晶硅锭的翻转没有专门的工具,目前只能利用绑带将硅锭固定后把硅锭从平卧状态吊起至竖立状态,在保证硅锭底部朝上的情况下将硅锭缓慢吊放至平卧状态,翻转一个硅锭的操作时间超过15分钟,而且翻转过程中由于硅锭本身重量较重,存在较大的安全隐患。



技术实现要素:

本实用新型提供一种多晶硅翻转装置,可以解决背景技术中所指出的问题。

一种多晶硅翻转装置,包括翻转装置和处理器,所述翻转装置包括第一气缸、铰接在所述第一气缸输出端的第一支撑板、第二气缸和铰接在所述第二气缸的输出端的第二支撑板,所述第一气缸和所述第二气缸均铰接在固定装置上,所述第一支撑板包括第一板面和第二板面,所述第一板面与所述第二板面相垂直,所述第一板面和所述第二板面相交处铰接在固定装置上,所述第二支撑板的一端铰接在固定装置上,所述第一气缸、所述第二气缸均与所述处理器信号连接,所述处理器用于控制所述第一气缸和所述第二气缸动作。

更优地,当所述第一板面和所述第二支撑板均呈竖直状态时,所述第二支撑板的下端面低于所述第二板面的下端面。

本实用新型提供一种多晶硅翻转装置,利用第一支撑板可以将多晶硅块进行多面喷砂打磨,而后利用第一气缸和第二气缸在处理器的控制下,实现多晶硅块由第一支撑板到第二支撑板的转移,从而变换支撑面,将未喷砂的面暴露出来,便于喷砂,整体结构较为简单,无需人力操作,降低了危险性,第一支撑板和第二支撑板同步动作,且第一板面和第二板面垂直,可以防止多晶硅块边角的磕碰造成浪费。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种多晶硅翻转装置结构示意图一;

图2为本实用新型提供的一种多晶硅翻转装置结构示意图二;

图3为本实用新型提供的一种多晶硅翻转装置结构示意图三;

图4为本实用新型提供的一种多晶硅翻转装置结构示意图四。

附图标记说明:

00-多晶硅块,10-第一气缸,11-第一支撑板,20-第二气缸,21-第二支撑板。

具体实施方式

下面结合附图,对本实用新型的一个具体实施方式进行详细描述,但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。

如图1至图4所示,本实用新型实施例提供的一种多晶硅翻转装置,包括翻转装置和处理器,翻转装置包括第一气缸10、铰接在第一气缸10输出端的第一支撑板11、第二气缸20和铰接在第二气缸20的输出端的第二支撑板21,第一气缸10和第二气缸20均铰接在固定装置上,第一气缸10与第一支撑板11的铰接点和第二气缸20与第二支撑板21之间的铰接点间的距离较近,第一气缸10与固定装置的铰接点和第二气缸20与固定装置的铰接点间的距离较远,第一支撑板11包括第一板面和第二板面,第一板面与第二板面相垂直,第一板面和第二板面相交处铰接在固定装置上,第二支撑板21的一端铰接在固定装置上,第一气缸10、第二气缸20均与处理器信号连接,处理器用于控制第一气缸10和第二气缸20动作。

进一步地,当第一板面和第二支撑板21均呈竖直状态时,第二支撑板21的下端面低于第二板面的下端面。

工作时,多晶硅块00位于第一支撑板11上,对多晶硅块00的暴露面进行喷砂处理,此时多晶硅块00与第一板面和第二板面的接触面,无法喷砂。翻转时,处理器控制第一气缸10和第二气缸20同时动作,如图2所示,由于第一板面和第二板面的作用,多晶硅块00在第一支撑板11动作的过程中,会保持相对固定,当第一板面呈竖直状态时,第二支撑板21也呈竖直状态,且第一板面和第二支撑板21将多晶硅块00挤压在中间,如图3所示,第一气缸10和第二气缸20继续动作,多晶硅块00转移至第二支撑板21上,当翻转到预设位置时,第一气缸10回缩,第一支撑板11复位,多晶硅块00在第二支撑板21的支撑下继续动作,第二支撑板21运动到水平位置时,初始时多晶硅块00与第一板面和第二板面的接触面暴露出来,方便进行喷砂操作。

本实用新型提供一种多晶硅翻转装置,利用第一支撑板11可以将多晶硅块00进行多面喷砂打磨,而后利用第一气缸10和第二气缸20在处理器的控制下,实现多晶硅块00由第一支撑板11到第二支撑板21的转移,从而变换支撑面,将未喷砂的面暴露出来,便于喷砂,整体结构较为简单,无需人力操作,降低了危险性,第一支撑板11和第二支撑板21同步动作,且第一板面和第二板面垂直,可以防止多晶硅块00边角的磕碰造成浪费。

以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施例,但是,本实用新型实施例并非局限于此,任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。

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