专利名称：适用于emi屏蔽应用的具有可控压缩形变的高导电聚合物泡沫的制造处理的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及ー种电磁干扰(EMI)屏蔽及其相关方法。具体来说，本公开涉及EMI屏蔽和制造EMI屏蔽装置的方法，所述EMI屏蔽装置可以包括至少部分覆盖有金属涂层和聚合物涂层的泡沫/芯构件，其中所述聚合物涂层在应用所述EMI屏蔽装置的过程中，有助于抑制所述金属涂层与所述泡沫/芯构件相分离并且提供优良的压缩形变值。
背景技术：
本部分提供与本公开相关的背景信息，所述背景信息不一定是现有技木。电子器件的操作在装置的电子电路中产生电磁辐射。这种辐射产生能够干扰一定相邻范围内的其它电子设备的操作的电磁干扰(EMI)或者射频干扰(RFI)。在没有充分屏蔽的情况下，EMI/RFI可引起重要信号的劣化或者完全损失，由此引起电子装置失效或者不可操作。改善EMI/RFI的影响的通常方案是使用能够吸收和/或反射EMI能量的屏蔽装置。这些屏蔽装置典型地用于将EMI/RFI集中在其源内，并且隔离与所述EMI/RFI源接近的其它设备。当在此使用时，术语“EMI”应该被认为通常包括并且指的是EMI发射和RFI发射，并且术语“电磁”应该被认为通常包括并且指的是来自外部源和内部源的电磁和射频。因此，术语屏蔽(在此使用吋)通常包括并且指的是例如EMI屏蔽和RFI屏蔽，所述EMI屏蔽和RFI屏蔽用于防止(或至少減少)相对于其中设置电子装置的壳体的EMI和RFI的进出。
发明内容
本部分提供本公开的总体概括，并且并非其全部范围或者所有特征的综合公开。在此公开了电磁干扰(EMI)屏蔽装置和制造EMI屏蔽装置的方法的示例实施方式。在示例性实施方式中，方法通常包括利用金属材料涂覆至少部分芯构件，并且利用聚合物涂覆至少部分所述金属材料，由此抑制所述金属材料与所述芯构件分离。示例EMI屏蔽装置通常包括芯构件、覆盖至少部分所述芯构件的金属涂层、以及覆盖至少部分所述金属涂层以抑制所述金属涂层与所述芯构件相分离的聚合物涂层。另ー示例性实施方式提供ー种制造导电泡沫的方法。在此示例中，所述方法通常包括利用表面活性剂来清洁泡沫，并且利用稀释酸来蚀刻经过清洁的泡沫。所述方法还可包括利用ニ氯化锡、氯化钯/醋酸钯以及硝酸银或者上述的组合进行处理来活化经过蚀刻的泡沫。所述方法还可包括利用金属材料涂覆至少部分经过活化的泡沫，并且利用聚合物涂覆至少部分所述金属材料，由此抑制所述金属材料与所述泡沫相分离。最終形成的导电泡沫可用于EMI屏蔽应用或者其它应用。适用性的其它方面从在此提供的说明中可显而易见。在此概括的描述和具体的示例仅为了例示的目的，而非旨在限制本公开的范围。
在此描述的附图仅用于例示选定实施方式的目的而非例示出全部可能的实施，并且并非g在限制本公开的范围。图1是例示出根据本公开的ー个或者更多个方面的，用于制造包括泡沫/芯构件、金属涂层以及聚合物涂层的电磁干扰(EMI)屏蔽装置的示例性方法的各种步骤的流程图；图2是根据本公开的ー个或者更多个方面的涂覆有金属和三元こ丙橡胶(ethylene propylene diene monomer (EPDM))的示例性聚氨酯泡沫的照片；
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图3是根据本公开的ー个或者更多个方面的，放大50倍的一部分图2的被涂覆的泡沫的扫描电子显微镜(SEM)显微照片，并且例示出均匀涂覆有金属和EPDM的所述泡沫的壁；以及图4是根据本公开的ー个或者更多个方面的，放大100倍的一部分图2的被涂覆的泡沫的SEM显微照片，并且例示出其中金属粒子由所述EPDM涂层保持完好的示例方式和单孔。在全部附图中，相应的附图标记表示相应的部件。
具体实施例方式提供示例实施方式是为了向本技术领域的普通技术人员进行公开充分，并且充分表达范围。阐述大量具体细节，诸如具体部件、器件以及方法是为了能够充分理解本公开的实施方式。本领域的普通技术人员显然理解所述具体细节不必全部采用，所述示例实施方式也可以多种不同形式实施，并且不应该构成对本公开的范围的限制。在一些示例实施方式中，不再详细描述已知处理、已知器件结构以及已知技木。根据各个方面，本发明的发明人已经公开了电磁干扰(EMI)屏蔽装置的示例实施方式，所述电磁干扰(EMI)屏蔽装置包括例如EMI屏蔽衬垫，输入/输出衬垫，外形衬垫，导电泡沫，织物泡衬垫，其它屏蔽器件等。EMI屏蔽装置可广泛用于应用设备、装置以及电子设备，诸如计算机服务器、台式计算机、数字摄像机、内部和外部硬盘驱动、液晶显示器、医疗设备、笔记本计算机、等离子体显示面板、打印机、机顶盒、通讯壳体机箱、其它电子设备、其它相关设备等。EMI屏蔽装置可用于电子装备，例如帮助抑制通过所述电子装备的结构部件(例如门，壁等)中的接点、裂ロ、开ロ等的EMI发射的泄露。在ー些示例实施方式中，EMI屏蔽装置通常包括单片设计，包括至少部分覆盖金属涂层和聚合物涂层的芯构件(例如泡沫芯构件等)。所述金属涂层包括覆盖所述芯构件的至少部分表面的一个或者更多个金属粒子层，并且向所述芯构件(以及EMI屏蔽装置)提供导电性(或者减少电阻率)。并且所述聚合物涂层定义了覆盖所述金属涂层的至少一部分的层，并且帮助抑制在使用所述EMI屏蔽装置的过程中(例如在挠曲周期过程中，在压缩周期过程中等)与所述芯构件的分离(例如金属粒子的脱离等)。在一些实施方式中，所述聚合物涂层还可覆盖或者涂覆所述芯构件的至少一部分。在使用中，所述聚合物涂层帮助維持所述金属涂层的整体性(例如帮助抑制劣化等)，并因此有助于维持所述EMI屏蔽装置的导电性。在另选实施方式中，所述EMI屏蔽装置包括外部导电织物层(例如涂覆镍和/或铜的尼龙防裂布(NRS)织物，镀镍聚酯或者塔夫绸织物，镀镍/铜编织网等)，使得所述EMI屏蔽装置包括织物泡衬垫。在这种另选实施方式中，所述织物可在涂覆步骤之后包裹所述芯构件，并且随后例如利用压敏粘合剂等与所述经涂覆的芯构件接合。在一些示例实施方式中，所芯构件可由诸如例如多孔聚合泡沫(例如开孔泡沫，部分开孔泡沫，闭孔泡沫等)的泡沫形成。并且所述泡沫可包括聚氨酯泡沫(例如聚酯泡沫，聚醚泡沫等)、聚氯こ烯泡沫、こ烯醋酸こ烯酯泡沫、聚丙烯泡沫、聚氯こ烯泡沫、聚苯こ烯泡沫、聚甲基丙烯酰亚胺泡沫、聚こ烯泡沫、EPDM泡沫、氯丁橡胶泡沫、橡胶泡沫等。这些示例实施方式的泡沫芯构件例如基于包括所述芯构件的所述EMI屏蔽装置的应用，可具有任何期望的形状和/或尺寸(例如泡沫厚度为0. 3毫米或者更厚等)。此外，所述泡沫芯构件可包括根据期望合并于其中，施加于上的阻燃材料。举例说明，开孔泡沫可具有典型地与每线性英寸30个孔至每线性英寸80个孔相对应的孔。 在ー些示例实施方式中，所述金属涂层可包括通过适当处理(例如经由无电镀制，利用高分子粘着剂的浸涂，电弧喷涂，现场金属化等)而施加至所述芯构件的ー个或者更多个金属粒子的层(例如ー层、多层等)。例如，所述金属涂层可包括基本覆盖所述芯构件的全部表面的第一层金属粒子，和基本覆盖所述第一层金属粒子的全部表面的第二层金属粒子(例如使用与所述第一层相同的金属粒子，使用与所述第一层不同的金属粒子等)。用于形成所述金属涂层的层的所述金属粒子可包括但不限于钯、钼、金、铝、银、铜、镍、锡、合金等。在其它示例实施方式中，所述金属涂层可覆盖少于所述芯构件的大致全部表面，或者所述金属涂层可完全覆盖所述芯构件的所述表面。在ー些示例实施方式中，所述金属粒子可以ー层或者更多层的方式被施加至所述芯构件(定义了所述金属涂层)，使得所述ー层或者更多层各具有期望(例如预定等)的厚度(例如镀制重量等)。所述金属涂层因此具有期望的厚度(例如小于约I微米，约0. 3微米，约0.1微米或者更厚等)。此外，这些金属层的厚度可与所述EMI屏蔽装置的期望(例如预定等)的导电性(电阻率)相关联(例如每平方约I欧姆的表面电阻率(例如沿着X-Y轴等)和/或约I欧姆-厘米(或者更小)的z轴电阻率)。这样，能够控制/调整所述金属涂层(以及组成所述金属涂层的所述金属层)的厚度，由此控制/调整所述EMI屏蔽装置的导电性。例如，EMI屏蔽装置可被制备有具有期望数量的金属层、由期望金属形成的并且具有期望的厚度的金属涂层，使得最終的EMI屏蔽装置展现出期望(并且基本预定)的导电性。在ー些示例实施方式中，所述聚合物涂层可由こ丙共聚物形成，诸如例如ニ元こ丙橡胶(EPM)、三元こ丙橡胶(EPDM)、上述结合等。在这些示例实施方式中的ー些中，所述聚合物涂层可覆盖大致全部所述金属涂层。在这些示例实施方式中的另ー些中，所述聚合物涂层可覆盖少于大致全部所述金属涂层，或者所述聚合物涂层可完全覆盖所述金属涂层。在一些实施方式中，所述聚合物涂层还可直接覆盖、涂覆或者接触至少一部分所述芯构件。在各种示例性实施方式中，所述聚合物涂层可包括EPM、EPDM、氨基甲酸こ酷、こ烯基、丁腈橡胶、丙烯酸和/或硅氧烷中的ー种或者更多种。本公开的所述EMI屏蔽装置的示例实施方式可展现良好的导电性(和电阻率)。例如，所述EMI屏蔽装置的ー些示例实施方式可展现出约每平方0.1欧姆的表面电阻率(例如沿着X-Y轴等)或者更低，和/或约0. 03欧姆-厘米或者更低的z轴电阻率。所述EMI屏蔽装置的示例实施方式还可提供高度的屏蔽效果，例如大于约50分贝(从约100千赫兹到约5千兆赫)。所述EMI屏蔽装置的示例实施方式可进ー步展现出低压缩形变，例如约百分之二十或者更低(例如约百分之十或者更低等)。此外，所述EMI屏蔽装置的示例实施方式可具有至少至约85摄氏度的操作温度。因此，所述EMI屏蔽装置的示例实施方式可在单个部件产品中提供EMI屏蔽所必须的有效导电性，以及非常低的闭合力。此外，示例性实施方式还提供了制造导电泡沫的方法。在一个这种示例性实施方式中，方法通常包括利用表面活性剂清洁泡沫，并且利用稀释酸对经清洁泡沫进行蚀刻。所述方法还包括通过利用ニ氯化锡、氧化钯/こ酸钯以及硝酸银或上述的组合的处理来活化经蚀刻的泡沫。所述方法可进ー步包括利用金属材料涂覆至少部分经过活化的泡沫，并且利用聚合物涂覆至少部分所述金属材料，由此抑制所述金属材料与所述泡沫分离。形成的导电泡沫可用于EMI屏蔽应用。但是根据此方法制造的所述导电泡沫还可用于除了 EMI屏蔽以外的其它应用(在此公开的其它导电泡沫也是如此)。现在參照附图更详细地描述示例实施方式。图1例示出用于制造包括本公开的ー个或者更多个方面的EMI屏蔽装置的示例方法100。在此示例实施方式中，根据方法100形成的所述EMI屏蔽装置通常包括泡沫芯构件。因此，例示出的方法100通常包括用于制备所述泡沫的表面的各种预处理操作(例如操作102、104、106等)，以便接受铜和镍粒子的金属涂层(同时抑制所述金属涂层后续从所述泡沫剥离)。所述方法随后包括用于将所述金属涂层施加在所述泡沫芯构件的表面上的操作(例如操作108等)(以使得所述泡沫能够导电)，以及用于将こ丙共聚物(诸如ニ元こ丙橡胶(EPM)、三元こ丙橡胶(EPDM)等)涂层施加在所述金属涂层上的操作(例如操作110等)(以抑制在使用所述EMI屏蔽装置的过程中，所述铜和镍粒子与所述泡沫芯构件分离XEPM/EPDM的所述涂层还便于改善所述经涂覆的泡沫的压缩形变。如图1所示，所例示的方法100包括在利用所述金属涂层和所述こ丙共聚物涂层覆盖所述泡沫芯构件的所述表面的制备中，对所述泡沫芯构件进行调节(例如清洁等)的操作102。所述调节操作102通常包括利用清洁液清洁所述泡沫芯构件，并且随后利用水冲洗经清洁的泡沫芯构件。所述清洁液被设置为从所述泡沫芯构件去除污染物(例如污垢、碎片、油脂等)，但是也可用于将电荷传递至所述泡沫芯构件(例如负电荷等)，这便于在所述泡沫芯构件的表面上的所述金属涂层的金属粒子的接受。所述冲洗水被配置为在应用所述清洁液之后，从所述泡沫芯构件去除残留的清洁液。作为调节操作102的一部分,清洁并冲洗所述泡沫芯构件可包括经由任何适当处理对所述泡沫芯构件施加清洁液和/或冲洗水，所述适当处理包括例如连续流、喷射、沐浴(将所述芯构件浸泡在大量清洁液中)、上述的组合等，使得所述泡沫芯构件的大致全部表面(例如暴露的外表面等)接触所述清洁液和/或冲洗水。作为示例，适用于在调节操作102中使用的清洁液可包括水性表面活性剂溶液。所述表面活性剂可包括任何合适的表面活性剤，例如阴离子表面活性剤、阳离子表面活性齐U、非离子型表面活性剤、上述的组合等。并且所述表面活性剂可存在于所述清洁液中，浓 度在例如约0.1体积百分比与约8体积百分比之间等。所述清洁液可在例如约15摄氏度与85摄氏度之间的温度等下应用于所述芯构件预期长的时间(例如在约3分钟与约30分钟之间等)。在本公开的范围内，用于从所述泡沫芯构件去除残留的清洁液的冲洗水可包括例如去离子水、蒸馏水、自来水等。所述冲洗水可在例如约10摄氏度与约50摄氏度之间等的温度下应用于经过清洁的泡沫芯构件预期长的时间(例如约I分钟与约30分钟之间等)。所例示的方法100还包括利用酸溶液来蚀刻所述泡沫芯构件的操作104，以使得所述泡沫芯构件的表面粗糙(例如划痕等)，并且便于在所述泡沫芯构件的所述表面上总体上平坦地淀积和粘附金属层。所述酸溶液可包括在本公开的范围内的任何适当的酸溶液，包括例如盐酸(HCI)溶液，硫酸(H2SO4)溶液，及其组合物等。可使用任何适当浓度的所述酸溶液，包括例如具有约2体积百分比至约35体积百分比之间等的浓度的酸溶液。所述酸溶液可在例如约10摄氏度至约60摄氏度之间等的温度下应用于所述泡沫芯构件预期长的时间(例如在约2分钟至约60分钟之间等)。此外，所述酸溶液可经由任何适当处理施加至所述泡沫芯构件，例如连续流、喷射、沐浴、及上述的组合等，使得所述泡沫芯构件的大致全 部表面与所述酸溶液接触。随后根据需要利用水冲洗所述泡沫芯构件，以辅助从经过蚀刻操作104之后的所述泡沫芯构件去除残留的酸溶液。在另ー些示例实施方式中，方法可包括利用碱性溶液来蚀刻芯构件的操作，所述碱性溶液诸如氢氧化钠(NaOH)溶液、氢氧化钾(KOH)溶液、及上述的组合等，具有在约0. 25体积百分比与约40体积百分比之间等的浓度。在这些示例实施方式中，碱性溶液可在约10摄氏度与约100摄氏度之间的温度下施加至所述芯构件预期长的时间(例如在约I分钟至约60分钟等之间)。所例示的方法100还可包括中和操作，所述中和操作包括将中和溶液施加至经过蚀刻操作104的所述泡沫芯构件。所述中和溶液帮助中和残留在经过蚀刻操作104的所述泡沫芯构件上的任何酸溶液(或者碱性溶液)。可使用在本公开的范围内的任何适当的中和溶液，当使用酸蚀刻操作时，所述中和溶液包括例如氢氧化钠(NaOH)溶液、氢氧化钾(KOH)溶液、以及上述的组合等(或者另选的是当使用碱性蚀刻操作时，所述中和溶液包括盐酸(HCl)溶液、硫酸溶液(H2SO4)等)。并且可使用任何适当浓度的中和溶液，例如具有约2体积百分比至约28体积百分比之间的酸(碱)浓度的中和溶液。此外，所述中和溶液可在例如约10摄氏度与约60摄氏度之间等的温度下，经由使得所述泡沫芯构件的大致全部表面与所述中和溶液相接触的方式的任何适当处理(例如连续流、喷射、沐浴、及上述的组合等)，应用于所述泡沫芯构件预期长的时间(例如在约I分钟与约30分钟之间等)。随后可根据需要，利用水冲洗所述泡沫芯构件，以帮助从经过所述中和操作的所述泡沫芯构件去除任何残留的中和溶液。继续參照图1，所例示的方法100还包括活化所述泡沫芯构件以接收所述金属涂层的操作106。此操作106包括向所述泡沫芯构件施加敏化溶液和活化溶液(单独或者联合)。所述敏化溶液制备用于与活化溶液接触的所述泡沫芯构件。例如所述敏化溶液可包括与所述泡沫芯构件接合并且随后有助于所述活化溶液后续粘着的材料。所述活化溶液随后在所述泡沫芯构件上建立催化部位(例如经由所述敏化溶液的操作等)，这有助于将所述金属涂层的金属粒子保持在所述泡沫芯构件上。用于活化操作106的示例敏化溶液可包括盐、溶剂和水的溶液。所述盐(与所述芯构件接合)可包括例如ニ氯化锡(SnCl2)、四氯化锡(SnCl4)、及上述的组合等。并且所述溶剂可包括例如诸如こ醇的酒精、诸如盐酸(HCl)的酸、及上述的组合等。所述敏化溶液中的所述盐为例如约8克/公升至250克/公升之间的体积浓度；并且所述敏化溶液中的所述溶剂为例如约2体积百分比值约30体积百分比的浓度。所述敏化溶液可在例如约10摄氏度至约45摄氏度之间等的温度下应用于所述泡沫芯构件预期长的时间(例如约3分钟至约45分钟之间等)。此外，所述敏化溶液可经由使得所述泡沫芯构件的大致全部表面与所述敏化溶液相接触的任何适当处理而应用于所述泡沫芯构件，所述处理包括例如连续流、喷射、沐浴、及上述的组合等。适用于所述活化操作106的示例活化溶液可包括金属、溶剂以及水的溶液(其中金属溶解于所述溶剂中)。所述金属可以包括任何适当的金属(例如金、银、钯、钼、及上述的组合等)或者金属化合物(例如氯化金(AuCl2),硝酸银(AgNO3), ニ氯化钯(PdCl2)，ニ氯化钼(PtCl2),及上述的组合等)。并且所述溶剂可包括例如诸如こ酸(CH3COOH)的酸溶液、盐酸(HCL)溶液、硫酸(H2SO4)溶液、及上述的组合等。在所述活化溶液中的所述溶剂(和溶解的金属)可为例如约5体积百分比与约70体积百分比之间的浓度。像氢氧化铵的添加剂还有助于减少硝酸银。所述活化溶液可经由任何使得所述泡沫芯构件的大致全部表面与所述活 化溶液相接触的任何适当处理(例如连续流、喷射、沐浴、以及上述的组合等)，在例如约10摄氏度与约75摄氏度之间等的温度下应用于所述泡沫芯构件预期长的时间(例如在约I分钟至约60分钟之间等)。所述示例方法100还包括利用具有至少约0.1微米或者更厚厚度的金属涂层来覆盖(例如经由无电镀制、利用高分子粘着剂的浸涂、电弧喷涂、现场金属化涂覆等)经过活化的泡沫芯构件的操作108。在所例示的方法100中，此金属化操作108包括利用铜和镍粒子来镀制(例如无电镀制等)所述泡沫芯构件，以形成金属涂层。例如，金属化操作108包括利用第一层的铜来镀制所述泡沫芯构件，并且随后利用第二层的镍来镀制所述第一层的铜。作为此金属化操作108的一部分，可在利用第一层的铜对所述泡沫芯构件进行镀制之后，并且在利用第二层的镍对所述泡沫芯构件进行镀制之前，对所述泡沫芯构件进行附加活化操作(例如活化操作106等)。因此，所述泡沫芯构件经过两次活化操作和两次镀制操作(作为例示出的方法100和金属化操作108的一部分)。在金属化操作108之后，可利用耐蚀剂进ー步处理经过镀制的泡沫芯构件的表面，以帮助提高所述金属涂层的耐蚀性。在其它示例实施方式中，泡沫芯构件可经过多次活化操作和多次镀制操作，以制备并利用多层相同(或者不同)金属粒子覆盖所述泡沫芯构件。继续參考图1，所述示例方法还包括利用こ丙共聚物(例如，ニ元こ丙橡胶(EPM)、三元こ丙橡胶(EPDM)涂层覆盖(例如涂覆等)在所述泡沫芯构件上的所述金属涂层的操作110。在此操作中，こ丙共聚物涂层定义了所述金属涂层上面(并且通常在所述泡沫芯构件之上)的层，所述层在使用所述EMI屏蔽装置的过程中(例如在挠曲周期过程中、在压缩周期过程中等)用于抑制所述金属涂层(例如其金属粒子等)与所述芯构件分离(例如剥离等)。对于EPM/EPDM的涂覆过程，I至10重量百分比的EPM/EPDM溶解在90至99体积百分比的诸如甲苯、四氢呋喃、ニ氯甲烷等的溶剂中。こ丙共聚物溶液可经由使得经过金属涂覆的泡沫芯构件的大致全部表面与聚合物溶液相接触的任何适当处理(例如连续流、喷射、沐浴、以及上述的组合等)，在例如约10摄氏度至约75摄氏度之间等的温度下应用于所述泡沫芯构件预定长的时间(例如在约I分钟至约60分钟之间等)。
注意任何上述操作(例如操作102、104、106、108、110等)可按照批处理方式、连续处理方式以及上述的组合的方式执行。此外，所述操作的每ー个根据需要可按照任何适当顺序和/或同时执行。此外，方法100可包括比所描述的步骤更少或者更多的操作。例如，可在特定情况下，去除用于制备所述泡沫芯构件的表面以接收所述金属涂层的ー个或者更多个操作(或者部分操作)，例如，当使用特定类型的泡沫来形成所述芯构件时(例如当使用淬火聚合物泡沫来形成所述EMI屏蔽装置的所述芯构件时，等)。图2至图4例示出根据示例方法100制造的EMI屏蔽装置的示例性实施方式。所述EMI屏蔽装置通常包括涂覆有铜和镍的金属层的芯构件，所述铜和镍的金属层进ー步涂覆有三元こ丙橡胶(EPDM)层，以抑制所述铜和镍层与所述芯构件相分离。更具体来说，图2是涂覆有铜和镍的金属层和EPDM的示例性聚氨酯泡沫的照片。图3是放大50倍示出的一部分图2的经涂覆的泡沫的扫描电子显微镜(SEM)显微照片，并且例示出均匀涂覆有金属和EPDM的所述泡沫的壁。图4是放大100倍示出的一部分图2的经涂覆的泡沫的SEM显 微照片并且例示出其中金属粒子由所述EPDM涂层完好保存的示例方式和单孔。 下列表I提供了，针对来自在图2至图4中示出的EMI屏蔽材料的不同厚度(5. 08毫米和5. 33毫米)的两个样本获得的，典型X-Y导电性(欧姆/平方的表面电阻率)、Z导电性(欧姆-厘米的z轴电阻率)、压缩形变(70°C下22小时的百分比)、以及屏蔽效果(负分贝)。表I
权利要求
1.一种用于制造电磁干扰(EMI)屏蔽装置的方法，所述方法包括以下步骤利用金属材料涂覆芯构件的至少一部分；并且利用聚合物涂覆所述金属材料的至少一部分，由此抑制所述金属材料与所述芯构件分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用金属材料涂覆所述芯构件的至少一部分的步骤包括利用所述金属材料无电镀制所述芯构件的至少一部分。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，利用金属材料涂覆所述芯构件的至少一部分的步骤包括利用所述金属材料涂覆所述芯构件的全部。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中利用金属材料涂覆所述芯构件的至少一部分的步骤包括利用所述金属材料对所述芯构件的至少一部分涂覆约O.1微米或者更厚的厚度；并且/或者利用金属材料涂覆所述芯构件的至少一部分的步骤包括利用所述金属材料以预定厚度涂覆所述芯构件的至少一部分，使得所述EMI屏蔽装置展现出期望的导电性和EMI效果； 并且/或者利用所述聚合物涂覆所述金属材料的至少一部分的步骤包括利用聚合物涂覆所述金属材料的全部。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述芯构件包括泡沫。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述泡沫包括聚氨酯泡沫、聚酯泡沫、聚醚泡沫、 聚氯乙烯泡沫、乙烯醋酸乙烯酯泡沫、聚丙烯泡沫、聚氯乙烯泡沫、聚苯乙烯泡沫、聚甲基丙烯酰亚胺泡沫、聚乙烯泡沫、EPDM泡沫、氯丁橡胶泡沫和/或橡胶泡沫中的至少一种。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述芯构件包括聚氨酯、聚酯、聚醚、聚氯乙烯、乙烯醋酸乙烯酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酰亚胺、聚乙烯、EPDM、氯丁橡胶和/或橡胶中的至少一种；并且/或者所述芯构件具有约O. 3毫米或者更厚的厚度；并且/或者所述金属材料包括铜、金、铝、银、锡和镍中的至少一种；并且/或者所述聚合物包括二元乙丙橡胶(EPM)、三元乙丙橡胶(EPDM)、氨基甲酸乙酯、乙烯基、 丁腈橡胶、丙烯酸和硅氧烷中的至少一种。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述EMI屏蔽装置具有约I欧姆/平方或者更低的表面电阻率；并且/或者具有约I欧姆-厘米或者更低的Z轴电阻率；并且/或者具有约50分贝或者更高的屏蔽效果；并且/或者被配置为在高至约85摄氏度的操作温度下运转；并且/或者具有约20%或者更低的压缩形变。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述金属材料包括铜和镍，并且其中，在利用铜和镍涂覆所述芯构件的至少一部分之前，所述方法进一步包括以下步骤利用表面活性剂清洁所述芯构件；利用稀释酸蚀刻经过清洁的芯构件；以及通过利用二氯化锡、氯化钯/醋酸钯和硝酸银或者上述的组合进行处理来活化经过蚀刻的芯构件。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，利用聚合物涂覆所述芯构件的至少一部分。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括在多个所述涂覆步骤之后用导电织物材料包裹所述芯构件的至少一部分，由此提供织物泡沫衬垫。
12.一种根据前述权利要求中的任一项所述的方法制造的EMI屏蔽装置。
13.一种电磁干扰(EMI)屏蔽装置，所述电磁干扰屏蔽装置包括芯构件；覆盖所述芯构件的至少一部分的金属涂层；以及覆盖所述金属涂层的至少一部分以抑制所述金属涂层与所述芯构件分离的聚合物涂层。
14.根据权利要求13所述的EMI屏蔽装置，其中所述金属涂层覆盖所述芯构件的全部；并且/或者所述金属涂层具有约O.1微米或者更厚的厚度；并且/或者所述金属涂层具有与所述EMI屏蔽装置的期望的导电性相对应的预定厚度；并且/或者所述聚合物涂层覆盖所述金属涂层的全部；并且/或者所述芯构件的至少一部分涂覆有聚合物。
15.根据权利要求13或14所述的EMI屏蔽装置，其中，所述芯构件包括泡沫。
16.根据权利要求15所述的EMI屏蔽装置，其中，所述芯构件包括聚氨酯泡沫、聚酯泡沫、聚醚泡沫、聚氯乙烯泡沫、乙烯醋酸乙烯酯泡沫、聚丙烯泡沫、聚氯乙烯泡沫、聚苯乙烯泡沫、聚甲基丙烯酰亚胺泡沫、聚乙烯泡沫、EPDM泡沫、氯丁橡胶泡沫和/或橡胶泡沫中的至少一种。
17.根据权利要求13、14、15或16所述的EMI屏蔽装置，其中，所述芯构件包括聚氨酯、 聚酯、聚醚、聚氯乙烯、乙烯醋酸乙烯酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酰亚胺、 聚乙烯、EPDM、氯丁橡胶和/或橡胶中的至少一种。
18.根据权利要求13、14、15、16或17所述的EMI屏蔽装置，其中所述金属涂层由铜、金、铝、银、锡和镍中的至少一种形成；并且/或者所述聚合物涂层由二元乙丙橡胶(EPM)、三元乙丙橡胶(EPDM)、氨基甲酸乙酯、乙烯基、丁腈橡胶、丙烯酸和/或硅氧烷中的至少一种形成；并且/或者所述金属涂层包括至少一层铜粒子和/或至少一层镍粒子。
19.根据权利要求13、14、15、16、17或18所述的EMI屏蔽装置，其中，所述EMI屏蔽装置具有约I欧姆/平方或者更低的表面电阻率；并且/或者具有约I欧姆-厘米或者更低的Z轴电阻率；并且/或者具有约50分贝或者更高的屏蔽效果；并且/或者被配置为在高至约85摄氏度的操作温度下运转；并且/或者具有约20%或者更低的压缩形变。
20.根据权利要求13、14、15、16、17、18或19所述的EMI屏蔽装置，所述EMI屏蔽装置进一步包括外部导电织物层。
21.—种电磁干扰(EMI)屏蔽装置，所述电磁干扰屏蔽装置包括涂覆有诸如银或者钮这样的活化剂的泡沫芯构件；包括铜和镍并且覆盖所述泡沫芯构件的至少一部分的金属涂层；以及聚合物涂层，所述聚合物涂层包括乙丙共聚物，并且覆盖所述金属涂层的至少一部分， 以抑制所述金属涂层与所述泡沫芯构件分离；其中，所述金属涂层具有约O.1微米或者更厚的厚度；其中，所述EMI屏蔽装置具有约I欧姆/平方或者更低的表面电阻率和/或约I欧姆-厘米或者更低的Z轴电阻率；并且其中，所述EMI屏蔽装置具有约20%或者更低的压缩形变。
22.一种用于制造导电泡沫的方法，所述方法包括以下步骤利用表面活性剂清洁泡沫；利用稀释酸蚀刻经过清洁的泡沫；以及通过利用二氯化锡、氯化钯/醋酸钯和硝酸银或者其组合进行处理来活化经过蚀刻的泡沫；利用金属材料涂覆经过活化的泡沫的至少一部分；以及利用聚合物涂覆所述金属材料的至少一部分，以由此抑制所述金属材料与所述泡沫分离。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述泡沫包括聚氨酯泡沫、聚酯泡沫、聚醚泡沫、聚氯乙烯泡沫、乙烯醋酸乙烯酯泡沫、 聚丙烯泡沫、聚氯乙烯泡沫、聚苯乙烯泡沫、聚甲基丙烯酰亚胺泡沫、聚乙烯泡沫、EPDM泡沫、氯丁橡胶泡沫和/或橡胶泡沫中的至少一种；并且所述聚合物包括二元乙丙橡胶(EPM)、三元乙丙橡胶(EPDM)、氨基甲酸乙酯、乙烯基、 丁腈橡胶、丙烯酸和硅氧烷中的至少一种；并且所述金属材料包括铜、金、铝、银、锡和镍中的至少一种。
全文摘要
本发明提供了电磁干扰(EMI)屏蔽装置和制造EMI屏蔽装置的方法的示例实施方式。在示例实施方式中，所述方法通常包括利用金属材料涂覆芯构件的至少一部分，并且利用聚合物涂覆所述金属材料的至少一部分，由此抑制所述金属材料与所述芯构件分离。示例EMI屏蔽装置通常包括芯构件，覆盖所述芯构件的至少一部分的金属涂层，以及覆盖所述金属涂层的至少一部分以抑制所述金属涂层与所述芯构件分离的聚合物涂层。
文档编号B32B15/08GK103026807SQ201180036649
公开日2013年4月3日 申请日期2011年7月25日 优先权日2010年7月26日
发明者沙里尼·坎多尔, 巴姆博·洛克什瓦拉帕·桑托什·库马尔, S·瓦利阿瓦拉皮, 布金纳克雷·卡帕尼帕萨亚·钱德拉塞卡 申请人:莱尔德技术股份有限公司