专利名称：曝光装置和图像形成装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及曝光装置和图像形成装置。
背景技术：
未审查的日本专利申请公开No. 2005-047012披露了一种结构，在该结构中，透明的挠性基板被设置为使得该挠性基板沿感光体的外周表面弯曲。在曝光处理中，从形成在挠性基板上的多个有机电致发光(EL)发光单元发射的光会聚在感光体的曝光位置上。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种曝光装置和一种图像形成装置，即使当因第一发光单元的劣化而使来自第一发光单元的光量减小，也能够保持曝光光量。根据本发明的第一方面，提供一种曝光装置，其朝向构造为承载潜像的潜像承载部件发射光，形成在所述潜像承载部件上的所述潜像用于由显影装置所执行的显影处理中，所述曝光装置包括第一发光单元，其包括沿所述潜像承载部件的主扫描方向设置的有机电致发光元件，所述第一发光单元朝向所述潜像承载部件发射光；以及第二发光单元，其沿所述主扫描方向设置，所述第二发光单元协同所述第一发光单元来校正使所述潜像承载部件曝光的光量。根据本发明的第二方面，在根据本发明第一方面的曝光装置中，所述第二发光单元包括有机电致发光元件。根据本发明的第三方面，在根据本发明第一或第二方面的曝光装置中，多个所述第一发光单元沿所述主扫描方向排列，并且所述第二发光单元的数量至少为一个，每个第二发光单元协同两个或更多个所述第一发光单元来校正使所述潜像承载部件曝光的光量。根据本发明的第四方面，在根据本发明第三方面的曝光装置中，所述至少一个第二发光单元包括一个或更多个长方形元件，所述长方形元件设置为紧邻所述第一发光单元并且沿所述主扫描方向而排列。根据本发明的第五方面，根据本发明第一至第四方面中任一方面的曝光装置还包括检测器，其检测从所述第一发光单元发出的光量，并且当由所述检测器所检测出的光量减小时，所述第二发光单元发射光以补偿所述光量的不足。根据本发明的第六方面，在根据本发明第一至第四方面中任一方面的曝光装置中，当所述第一发光单元发射光时所述第二单元发射光，从所述第二发光单元发出的光量被调节为使所述潜像承载部件的电位被限定在所述显影装置不会执行所述显影处理的范围内。根据本发明的第七方面，在根据本发明第六方面的曝光装置中，从所述第二发光单元发出的光量基本恒定，并且由所述第一发光单元调节使所述潜像承载部件曝光的光量。 根据本发明的第八方面，提供一种图像形成装置，其包括潜像承载部件，其构造为承载潜像；根据本发明第一至第七方面中任一方面的曝光装置，所述曝光装置用光照射所述潜像承载部件以形成所述潜像；以及显影装置，其使用显影剂对所述潜像承载部件上的所述潜像进行显影。根据本发明的第九方面，提供一种图像形成装置，包括下述部件中的一者构造为承载潜像的潜像承载部件，对所述潜像承载部件充电的充电装置，以及采用显影剂对所述潜像承载部件上的所述潜像进行显影的显影装置；以及根据本发明第一至第七方面中任一方面的曝光装置，所述曝光装置用光照射所述潜像承载部件以形成所述潜像。所述图像形成单元能够可拆卸地安装在图像形成装置上。根据本发明的第一方面，即使当因所述第一发光单元的劣化而使来自所述第一发光单元的光量减小时，通过使所述第二发光单元发射光，也能够使所述曝光光量得以保持。根据本发明的第二方面，所述第一发光单元和所述第二发光单元可以形成在单个基板上。根据本发明的第三方面，单个第二发光单元可以协同多个第一发光单元校正所述曝光光量。根据本发明的第四方面，第二发光单元和多个第一发光单元可以相互形成为一体，并且单个第二发光单元可以协同多个第一发光单元校正所述曝光光量。根据本发明的第五方面，即使当来自所述第一发光单元的光量减小时，所述第二发光单元也可以发射光从而补偿所述光量的不足。根据本发明的第六和第七方面，可以将用于校正所述曝光光量的反馈最小化。根据本发明的第八和第九方面，在以光照射所述潜像承载部件的处理中，即使当因所述第一发光单元的劣化而使来自所述第一发光单元的光量减小时，通过使所述第二发光单元发射光，也能够使所述曝光光量得以保持。
将基于以下附图详细说明本发明的示例性实施例，其中图1是示出根据第一示例性实施例的包括曝光头的图像形成装置的结构的示意图；图2是示出根据第一示例性实施例的每个曝光头的结构的示意图；图3是示出从根据第一示例性实施例的曝光头发射的光会聚在感光鼓上的状态的示意图；图4是示出根据第一示例性实施例的曝光头的结构的平面示意图；图5是示出底部发射型的第一有机EL装置和第二有机EL装置的结构示意图；图6是示出感光鼓的表面电位与由曝光头所提供的曝光能量的关系实例的示图；图7是示出感光鼓的表面电位与由曝光头所提供的曝光能量的关系的另一个实例的示图；图8是示出根据第二示例性实施例的曝光头的结构的平面示意图；以及图9是示出根据第三示例性实施例的曝光头的结构的平面示意图。
具体实施方式
下面将参考附图详细说明本发明的示例性实施例。图像形成装置10的总体结构首先，对根据第一示例性实施例的包括曝光头的图像形成装置10的结构进行说明。图1是示出根据本示例性实施例的图像形成装置10的结构的示意图。参考图1，根据本示例性实施例的图像形成装置10包括装置壳体11，其容纳各个部件；记录介质储存部分12，其中储存诸如纸张等记录介质P ；图像形成部分14，其在记录介质P上形成色调剂图像；传送部分16，其将记录介质P从记录介质储存部分12传送至图像形成部分14 ；定影装置18，其对由图像形成部分14形成在记录介质P上的色调剂图像进行定影；以及记录介质排出部分(未示出)，由定影装置18对色调剂图像进行了定影的记录介质P被排出到该记录介质排出部分。记录介质储存部分12、图像形成部分14、传送部分16和定影装置18容纳在装置壳体11中。图像形成部分14包括图像形成单元22C、22M、22Y和22K，其形成各种颜色的色调剂图像，所述颜色为蓝绿色(C)、品红色(M)、黄色⑴和黑色⑷；中间转印带24，其为中间转印体的实例，并且图像形成单元22C、22M、22Y和2 (所形成的色调剂图像被转印到其上；一次转印辊沈，其为一次转印部件的实例，该一次转印部件将由图像形成单元22C、 22M、22Y和2 (所形成的色调剂图像转印到中间转印带M上；以及二次转印辊观，其作为二次转印部件的实例，该二次转印部件将中间转印带M上的色调剂图像转印到记录介质P 上。每个图像形成单元22C、22M、22Y和2 (包括感光鼓30，感光鼓30是构造为承载潜像的潜像承载部件的实例。感光鼓30沿着一个方向旋转(图1中的顺时针方向)。沿感光鼓30的旋转方向从上游侧起围绕每个感光鼓30依次设置有充电装置32、 曝光头34、显影装置36和清除装置40。充电装置32对感光鼓30的表面充电。曝光头34 是曝光装置的实例，该曝光装置朝向感光鼓30的已充电的表面发射光，从而在感光鼓30的表面形成静电潜像。显影装置36对形成在感光鼓30表面上的静电潜像进行显影以形成色调剂图像。在色调剂图像已经被转印到中间转印带M上之后，由清除装置40清除残留在感光鼓30表面上的色调剂。感光鼓30、充电装置32、曝光头34、显影装置36和清除装置40作为一个单元设置在每个图像形成单元22C、22M、22Y和22K中。图像形成单元22C、22M、22Y和2 形成为以可更换的形式可拆卸地安装在装置壳体11上的处理盒。不必要将所有的感光鼓30、充电装置32、曝光头34、显影装置36和移除装置40 — 体化为一个单元。例如，感光鼓30、充电装置32和显影装置36中的至少一者可以连同曝光头34作为一个单元设置在各个图像形成单元22C、22M、22Y和22K中。中间转印带M由与二次转印辊28相对的相对辊42、驱动辊44以及多个保持辊 46所保持，并且沿一个方向(图1中的逆时针方向)旋转，同时与感光鼓30相接触。一次转印辊沈隔着中间转印带M与各个感光鼓30相对。感光鼓30上的色调剂图像在一次转印位置转印到中间转印带M上，该一次转印位置被界定于一次转印辊沈与各个感光鼓30之间。一次转印位置位于显影装置36和各个移除装置40之间。一次转印辊沈通过在一次转印位置向中间转印带M施加压力和静电力而将感光鼓30表面上的色调剂图像转印到中间转印带M上。二次转印辊28隔着中间转印带M与相对辊42相对。中间转印带M上的色调剂图像在二次转印位置转印到记录介质P上，该二次转印位置被界定于二次转印辊观和相对辊42之间。二次转印辊28通过在二次转印位置向记录介质P施加压力和静电力，将中间转印带M表面的色调剂图像转印到记录介质P上。传送部分16包括供给辊50，其供应储存在记录介质储存部分12中的各记录介质P ；以及多对传送辊52，其将由供给辊50所供给的记录介质P传送至二次转印位置。定影装置18沿传送方向设置在二次转印位置的下游，并且在二次转印位置对已转印到记录介质P上的色调剂图像进行定影。作为将记录介质P传送至定影装置18的传送部件的实例的传送带M沿传送方向设置在二次转印位置的下游并沿传送方向设置在定影装置18的上游。在根据本示例性实施例的具有上述结构的图像形成装置10中，首先，从记录介质储存部分12供给的记录介质P通过各对传送辊52被传送至二次转印位置。由图像形成单元22C、22M、22Y和2 (形成的各种颜色的色调剂图像叠加在中间转印带M上从而形成彩色图像。形成在中间转印带M上的彩色图像被转印到已传送至二次转印位置的记录介质P上。转印有色调剂图像的记录介质P被传送至定影装置18，并且由定影装置18对记录介质P上的色调剂图像进行定影。定影有色调剂图像的记录介质P被排出至记录介质排出部分(未示出)。如此，图像形成操作得以执行。图像形成装置的结构不限于上述结构，并且图像形成装置可以具有各种类型的结构。例如，图像形成装置可以为省略了中间转印体的直接转印型。曝光头34的结构下面将对曝光头34的结构进行说明。图2、图3和图4是示出根据第一示例性实施例的每个曝光头34的结构的示意图。如图2和图3所示，每个曝光头34包括基板60，其具有沿着感光鼓30的轴向在主扫描方向X上延伸的长方形形状；有机电致发光(EL)装置列阵62，其是发光装置列阵的实例；以及klfoc (注册商标)透镜列阵64，其是聚集由有机EL装置列阵62所产生的光并且将光聚焦在照射表面(也就是说，感光鼓30的表面)上的图像元件列阵的实例。基板60由诸如玻璃基板或树脂基板的绝缘基板形成。如图4所示，每个有机EL装置列阵62包括用于主曝光光源的多个第一有机EL装置70和用于辅助曝光光源的一个第二有机EL装置72。第一有机EL装置70是第一发光单元的实例并且沿主扫描方向X设置。第二有机EL装置72是第二发光单元的实例，该第二发光单元沿副扫描方向Y(与主扫描方向X垂直的方向)在第一有机EL装置70的一侧沿单线而延伸。有机EL装置是有机电致发光元件的实例。数量与像素的数量(点的数量)对应的第一有机EL装置70设置在基板60上。第一有机EL装置70从平面图上看具有大致正方形的形状，并且沿主扫描方向X以彼此间基本恒定的间隔布置。第二有机EL装置72具有长方形(带状)形状并且形成在基板60上， 从而在与第一有机EL装置70相邻的位置沿着主扫描方向X延伸。第二有机EL装置72具有矩形形状，该矩形形状包括沿主扫描方向X延伸的长边。在本示例性实施例中，设置单个第二有机EL装置72。从第一有机EL装置70发出的光量被设定为通过对已由充电装置32(见图1)充电的感光鼓30进行曝光来形成静电潜像所必须的光量。当来自第一有机EL装置70的光量因第一有机EL装置70的劣化而减小时，第二有机EL装置72补偿来自第一有机EL装置 70的光量。从第二有机EL装置72发出的光量被设定为小于从第一有机EL装置70发出的光量。第二有机EL装置72大致平行于沿主扫描方向X设置的第一有机EL装置70的行列而延伸。单个第二有机EL装置72用于校正来自于多个第一有机EL装置70的光量。如图2所示，在基板60上设置有作为用于驱动第一有机EL装置70和第二有机EL 装置72的驱动电路实例的多个驱动IC(驱动集成电路)66。每个驱动IC 66单独地驱动第一有机EL装置70和第二有机EL装置72。在klfoc透镜列阵64中设置有作为成像元件实例的多个棒形透镜64A。klfoc 透镜列阵64设置在第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的发光侧。在klfoc透镜列阵64中，棒形透镜64A是二维设置的，从而可以由用于与各个点对应的第一有机EL装置70的多个棒形透镜64A执行正立等比成像。因此，来自各个第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的光通过相应的多个棒形透镜64A聚焦在感光鼓30 的表面。从而，通过利用从第一有机EL装置70和第二有机EL装置72发射的光对感光鼓 30进行曝光来形成静电潜像。曝光头34包括传感器68，传感器68是检测从第一有机EL装置70发出的光量的检测器的实例。从传感器68输出的检测信号被输入驱动IC 66，并且每个驱动IC 66根据从第一有机EL装置70发出的光量的减小来控制从第二有机EL装置72发出的光量。图6是示出来自曝光头34的曝光能量(光量)与感光鼓30的表面电位之间的关系的示图。从图中可以清楚地看出，如果因第一有机EL装置70的劣化而使第一有机EL装置70所提供的曝光能量减小，则存在感光鼓30的表面电位在曝光处理中不能降低到预定的显影电位的可能性。因此，在本示例性实施例中，如果来自第一有机EL装置70的光量减小，则将来自第二有机EL装置72的光量控制为使得感光鼓30的表面电位在曝光处理中可以降低到预定的显影电位。更具体地说，根据由传感器68所检测到的来自第一有机EL装置70的光量而控制第二有机EL装置72，以使第二有机EL装置72发射光，从而补偿(校正)来自第一有机EL装置70的光量的减小。因此，感光鼓30的表面电位可在曝光处理中改变至预定的显影电位。安装到第一有机EL装置70和第二有机EL装置72上的透镜不限于klfoc透镜列阵64，也可以用圆柱形透镜来代替。作为选择，在各个第一有机EL装置70上可结合有微透镜。第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的结构下面对各第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的结构进行说明。各第一有机EL装置70和第二有机EL装置72可以是底部发射型有机EL装置，其中来自发光层84(将在后面进行说明)的光从基板60—侧发射出；也可以是顶部发射型有机EL装置，其中来自发光层84的光从与基板60的相对一侧发射出。在本示例性实施例中，对采用底部发射型有机EL装置的结构进行说明。曝光头34中包括的有机EL装置不局限于底部发射型有机EL装置，并且可以用顶部发射型有机EL装置来代替。有机EL装置的结构首先，对各第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的结构进行说明。图5示出底部发射型的各第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的结构。图5是沿副扫描方向Y(与主扫描方向X垂直的方向)截取的包含有图4所示的第一有机EL装置70和第二有机EL装置72的曝光头34的纵向剖视图。如图5所示，每个第一有机EL装置70包括阳极80Α，其形成在透光基板60的表面上；空穴注射层82Α，其形成在阳极80Α的表面上；发光层84Α，其形成在空穴注射层82Α 的表面上并限定了发光区域；阴极86Α，其形成在发光层84Α的表面上并且注射电子；以及反射层88Α，其形成在阴极86Α的表面上。密封层90形成在反射层88Α的表面上，从而密封层90覆盖阳极80Α、空穴注射层82Α、发光层84Α、阴极86Α和反射层88Α的侧面。从而，每个第一有机EL装置70包括阳极80Α、空穴注射层82Α、发光层84Α、阴极86Α、反射层88Α和密封层90，它们按上述顺序堆叠在基板60上。第一有机EL装置70 (见图4)设置有彼此相分隔的各个阳极80Α，从能够单独地控制供应到发光区域的电流。阳极80Α具有与第一有机EL装置70的发光区域的形状对应的矩形形状。阴极86Α呈带状并且沿主扫描方向X延伸，从而与多个阳极80Α中每个成对。阴极86Α设置为第一有机EL装置70中的所有发光区域共用。第二有机EL装置72包括阳极80Β、空穴注射层82Β、发光层84Β、阴极86Β、反射层 88Β和密封层90，它们按上述顺序堆叠在基板60上。从平面图上看，阳极80Β、空穴注射层 82Β、发光层84Β、阴极86Β和反射层88Β呈沿主扫描方向X延伸的长方形形状。在本示例性实施例中，第一有机EL装置70和第二有机EL装置72所分别包括的阳极80Α和80Β、空穴注射层82Α和82Β、发光层84Α和84Β、阴极86Α和86Β以及反射层88Α 和88Β由相同的材料制成。在下述说明中，将由末尾不附带A或B的附图标记表示第一有机EL装置70和第二有机EL装置72共用的部件。阳极80是透光并且透射光线，从而使来自发光层84的光可以从基板60 —侧发射出。阳极80例如由例如氧化锡(SnO2)、三氧化二铟(In2O3)、导电金属氧化物(ITO)或 ΙΖ0:Α1(ΙΖ0:氧化铟锌，Al 招)的导电金属氧化物制成。然而，阳极80的材料不限于上述材料。阳极80的厚度例如为lOOnm。然而，阳极80的厚度不限于此。当电压施加到阴极86和阳极80之间时，从阳极80将空穴注射到空穴注射层82 中。空穴注射层82是由例如酞菁基材料(例如酞菁铜)或靛蒽醌基化合物的低分子材料， 或诸如4，4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、聚苯胺或聚乙烯二羟噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PED0T/PSQ的高分子材料制成。然而，空穴注射层82的材料不限于上述材料。空穴注射层82的厚度例如为30nm。然而，空穴注射层82的厚度不限于此。可以在空穴注射层82和阳极80之间设有空穴输送层以提高空穴注射效率。当电压施加到阴极86和阳极80之间时，电子从阴极86注射到发光层84中。注射到空穴注射层82中的空穴移动到发光层84，并与电子相结合。从而，发光层84发光。发光层84可以由例如螯合型金属有机化合物、多芳环或稠芳环化合物、二萘嵌苯衍生物、香豆素衍生物、苯乙烯亚芳香衍生物、硅杂环戊二烯衍生物、恶唑衍生物、恶噻唑衍生物、二唑类衍生物、聚对苯撑衍生物、聚对苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物或聚乙炔衍生物形成。然而，发光层84的材料不限于上述材料。发光层84的厚度例如为50nm。然而，发光层84的厚度不限于此。阴极86不必需是透明及导光的。这是因为，来自发光层84的光穿过每个第一有机EL装置70中的基板60。在本示例性实施例中，阴极86由单层形成。然而，阴极86也可以为由多层形成。阴极86由例如钙(Ca)构成。然而，阴极86的材料不限于此。阴极86的材料例如可以是诸如Sn02、In203, ITO或IZ0:A1的导电金属氧化物。阴极86的厚度例如为30nm。 然而，阴极86的厚度不限于此。可以在阴极86和发光层84之间设置电子注射层或电子传输层以提高电子注射效率。反射层88向发光层84反射来自发光层84的光。反射层88可以是例如铝(Al)、 银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、镍(Ni)或铬(Cr)。然而，反射层88的材料不限于上述材料。反射层88的厚度例如为150nm。然而，反射层88的厚度不限于此。每个第一有机EL装置70中的发光区域的宽度Wl (沿主扫描方向X和副扫描方向Y)是根据曝光头34的分辨率而测定的，并且例如，当分辨率为600dpi时该宽度Wl约为 20 μ m，而当分辨率为1200dpi时该宽度约为10 μ m。第二有机EL装置72中的发光区域的宽度W2 (沿副扫描方向Y)为例如约20 μ m。下面对根据本示例性实施例的曝光头34的操作进行说明。在曝光头34中，当用来自第一有机EL装置70的光对感光鼓30进行曝光以形成静电潜像时，由传感器68检测从第一有机EL装置70发出的光量。换句话说，在由曝光头 34所执行的曝光处理期间，监测从第一有机EL装置70发出的光量。如图6所示，当由于第一有机EL装置70的劣化而使曝光能量(光量)减小至低于预定值L1的值时，使第二有机EL装置72发射光，从而校正由第一有机EL装置70所提供的曝光能量。从而，通过将从第一有机EL装置70发射的光和从第二有机EL装置72发射的光结合，将曝光能量校正为预定的曝光能量U。因此，通过从第一有机EL装置70和第二有机EL装置72发射的光对感光鼓30进行曝光，将感光鼓30的电位设定为预定的显影电位V”在上述曝光头34中，通过单个第二有机EL装置72来校正来自多个第一有机EL 装置70的光量。在根据本示例性实施例的变型例的曝光头34中，使第二有机EL装置72从初始阶段开始发射光。调节从第二有机EL装置72发出的光量，从而将感光鼓30的电位限定在显影装置36不会执行显影的范围内。例如，事先预计出因第一有机EL装置70的劣化而引起的第一有机EL装置70的光量的减小，并使第二有机EL装置72发出恒定或基本恒定的光量，从而补偿来自第一有机EL装置70的光量的减小。更具体地说，如图7所示，第二有机EL装置72可以从初始阶段起发出基本恒定的光量，并且通过调节从第一有机EL装置70发出的光量，可以将感光鼓30的电位控制为预定的显影电位V1。在该情况下，不必要控制来自第二有机EL装置72的光量，并且可以使对用于校正光量的驱动IC 66的反馈简单化。本发明不限于上述示例性实施例，并且可以作出各种修改、替换以及变型。
接下来，参考图8对根据第二示例性实施例的曝光头进行说明。将以相同的附图标记来表示与上述第一示例性实施例中的部件类似的部件，并且将省略对这些部件的说明。如图8所示，包含在曝光头34内的有机EL装置列阵100包括作为第二发光单元的实例的多个第二有机EL装置102，该第二发光单元沿主扫描方向X彼此相分隔。第二有机EL装置102沿副扫描方向Y设置在沿主扫描方向X排列的第一有机EL装置70的一侧。 更具体地说，第二有机EL装置102是矩形的元件，其沿主扫描方向X的长度小于于根据第一示例性实施例的第二有机EL装置72 (见图4)的该长度。各第二有机EL装置102基本平行于沿主扫描方向X排列的第一有机EL装置70的行列而延伸。每个第二有机EL装置 102用于校正来自第一有机EL装置70的光量，该第一有机EL装置70比第一示例性实施例中的第一有机EL装置70的数量少。在上述有机EL装置列阵100中，控制多个第二有机EL装置102，从而仅仅使使校正来自第一有机EL装置70的光量所需的第二有机EL装置102发射光。接下来，参考图9对根据第三示例性实施例的曝光头进行说明。以相同的附图标记来表示与上述第一示例性实施例和第二示例性实施例中的部件类似的部件将，并且将省略对这些部件的说明。如图9所示，包含在曝光头34内的有机EL装置列阵110包括作为第二发光单元的实例的多个第二有机EL装置112，该第二发光单元沿主扫描方向X彼此相分隔。第二有机EL装置112沿副扫描方向Y设置在沿主扫描方向X排列的第一有机EL装置70的每一侧。更具体地说，第二有机EL装置112是长方形元件，其沿主扫描方向X的长度短于根据第一示例性实施例的第二有机EL装置72 (见图4)的该长度。各第二有机EL装置112基本平行于沿主扫描方向X排列的第一有机EL装置70的行列而延伸。在上述有机EL装置列阵110中，沿副扫描方向Y位于第一有机EL装置70的两侧的每个第二有机EL装置112补偿比来自第一有机EL装置70的光量，该第一有机EL装置 70比第一示例性实施例中的第一有机EL装置70的数量少。第一有机EL装置和第二有机EL装置的形状和排列不局限于第一示例性实施例至第三示例性实施例中的形状和排列，并且可以改变为其它的形状和排列。此外，尽管采用有机EL装置作为根据上述第一示例性实施例至第三示例性实施例的曝光头中的第二发光单元，但第二发光单元也可以是诸如LED等其它类型的发光单兀。实例接下来，对曝光头的实例进行说明。实例1和实例2在实例1和实例2中，参考图4和图5，利用导电金属氧化物(ITO)在用作基板60 的玻璃基板上形成用于主曝光光源的阳极80A。阳极80A构成为宽20 μ m，并且以20 μ m的节距排列。此外，沿副扫描方向Y在用于主曝光光源的阳极80A的一侧形成用于辅助曝光光源的阳极80B。阳极80B构成为宽20 μ m，并且呈线状。接下来，通过旋转涂布均勻地施涂 IOnm厚的聚乙烯二羟噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PED0T/PSS)以形成空穴注射层82A和82B。 接下来，通过制备由下述化学式(1)所表示的发光材料的溶液并利用旋转涂布施涂SOnm厚的上述溶液来形成发光层84A和84B。然后，使用具有与用于主曝光光源的阳极80A 垂直的20 μ m宽的开口的掩膜，以及具有覆盖用于辅助曝光光源的阳极80B的40 μ m宽的开口的掩膜，通过气相沉积依次形成由钙制成的阴极86A和86B以及由铝制成的反射层88A 和88B。从而，形成了沿主扫描方向X布置在基板60上的多个第一有机EL装置70和设置为紧邻第一有机EL装置70的线状的第二有机EL装置72。
权利要求
1.一种曝光装置，其朝向构造为承载潜像的潜像承载部件发射光，形成在所述潜像承载部件上的所述潜像用于由显影装置所执行的显影处理中，所述曝光装置包括第一发光单元，其包括沿所述潜像承载部件的主扫描方向设置的有机电致发光元件， 所述第一发光单元朝向所述潜像承载部件发射光；以及第二发光单元，其沿所述主扫描方向设置，所述第二发光单元协同所述第一发光单元来校正使所述潜像承载部件曝光的光量。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第二发光单元包括有机电致发光元件。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其中，多个所述第一发光单元沿所述主扫描方向排列，并且所述第二发光单元的数量至少为一个，每个第二发光单元协同两个或更多个所述第一发光单元来校正使所述潜像承载部件曝光的光量。
4.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，所述至少一个第二发光单元包括一个或更多个长方形元件，所述长方形元件设置为紧邻所述第一发光单元并且沿所述主扫描方向而排列。
5.根据权利要求1或2所述的曝光装置，还包括检测器，其检测从所述第一发光单元发出的光量，其中，当由所述检测器所检测出的光量减小时，所述第二发光单元发射光以补偿所述光量的不足。
6.根据权利要求3所述的曝光装置，还包括检测器，其检测从所述第一发光单元发出的光量，其中，当由所述检测器所检测出的光量减小时，所述第二发光单元发射光以补偿所述光量的不足。
7.根据权利要求4所述的曝光装置，还包括检测器，其检测从所述第一发光单元发出的光量，其中，当由所述检测器所检测出的光量减小时，所述第二发光单元发射光以补偿所述光量的不足。
8.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其中，当所述第一发光单元发射光时所述第二单元发射光，从所述第二发光单元发出的光量被调节为使所述潜像承载部件的电位被限定在所述显影装置不会执行所述显影处理的范围内。
9.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，当所述第一发光单元发射光时所述第二单元发射光，从所述第二发光单元发出的光量被调节为使所述潜像承载部件的电位被限定在所述显影装置不会执行所述显影处理的范围内。
10.根据权利要求4所述的曝光装置，其中，当所述第一发光单元发射光时所述第二单元发射光，从所述第二发光单元发出的光量被调节为使所述潜像承载部件的电位被限定在所述显影装置不会执行所述显影处理的范围内。
11.根据权利要求8所述的曝光装置，其中，从所述第二发光单元发出的光量基本恒定，并且由所述第一发光单元调节使所述潜像承载部件曝光的光量。
12.根据权利要求9所述的曝光装置，其中，从所述第二发光单元发出的光量基本恒定，并且由所述第一发光单元调节使所述潜像承载部件曝光的光量。
13.根据权利要求10所述的曝光装置，其中，从所述第二发光单元发出的光量基本恒定，并且由所述第一发光单元调节使所述潜像承载部件曝光的光量。
14.一种图像形成装置，包括 潜像承载部件，其构造为承载潜像；根据权利要求1或2所述的曝光装置，所述曝光装置用光照射所述潜像承载部件以形成所述潜像；以及显影装置，其使用显影剂对所述潜像承载部件上的所述潜像进行显影。
15.一种图像形成单元，包括下述部件中的一者构造为承载潜像的潜像承载部件，对所述潜像承载部件充电的充电装置，以及采用显影剂对所述潜像承载部件上的所述潜像进行显影的显影装置；以及根据权利要求1或2所述的曝光装置，所述曝光装置用光照射所述潜像承载部件以形成所述潜像，其中，所述图像形成单元能够可拆卸地安装在图像形成装置上。
全文摘要
一种曝光装置和图像形成装置。本发明公开一种曝光装置，该曝光装置朝向构造为承载潜像的潜像承载部件发射光，形成在所述潜像承载部件上的所述潜像用于由显影装置所执行的显影处理中。所述曝光装置包括第一发光单元，其包括沿所述潜像承载部件的主扫描方向设置的有机电致发光元件，所述第一发光单元朝向所述潜像承载部件发射光；以及第二发光单元，其沿所述主扫描方向设置，所述第二发光单元协同所述第一发光单元来校正使所述潜像承载部件曝光的光量。
文档编号B41J2/45GK102189817SQ2010105904
公开日2011年9月21日 申请日期2010年12月9日 优先权日2010年3月18日
发明者佐藤克洋, 山口义纪, 松村贵志, 真下清和, 米山博人, 西野洋平 申请人:富士施乐株式会社