一种Mura补偿数据写入装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种Mura补偿数据写入装置及方法。
【背景技术】
[0002]由于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)制程上的瑕疯，可能会导致生产出来的LCD面板亮度不均匀，形成各种各样的Mura(斑纹)缺陷。为了提升LCD面板亮度均匀性，目前已有Mura补偿方法，即通过相机拍摄出灰阶画面(不同亮度的纯白画面)的Mura形态，通过对比LCD面板中心位置的亮度，计算出LCD面板四周区域与中心位置亮度的差异，然后通过反向补偿Mura位置的灰阶值，使LCD面板整体达到比较一致的亮度。例如，在比中心位置亮的区域，降低灰阶值，从而使该区域的亮度变暗；在比中心位置暗的区域，提高灰阶值，从而使该区域的亮度变亮。
[0003]目前市面上支持全高清(Full High Definit1n，FHD)分辨率(1920X1080)的时序控制(Timing Controller,TC0N)芯片，并未整合Mura补偿功能。因此，在FHD分辨率IXD面板中，大都是通过一颗独立的Mura补偿芯片与TC0N芯片相配合来完成Mura补偿功能。如图1和图2所示，通过对Mura补偿芯片输入LCD面板的原始灰阶数据，Mura补偿芯片计算出LCD面板四周区域与中心位置亮度的差异，并从FLASH存储器中读取相应的Mura补偿数据，进而控制所述TC0N芯片输出Mura补偿后的灰阶数据，实现对LCD面板的Mura补偿。在上述方案中，Mura补偿芯片需要搭配两颗数据存储器:一颗为I2C(Inter-1ntegratedCircuit)接口的电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory, EEPR0M)，用于存储Mura补偿芯片的设定参数；另一颗为串行外设接口(Serial Peripheral Interface，SPI)的 FLASH 存储器，用于存储 Mura 补偿数据。如图 3所示，在对所述两颗数据存储器进行数据写入时，需要采用两个不同的连接器及两个不同的数据文档来对所述两颗数据存储器分别进行数据写入，使得数据写入过程复杂，且耗时较长。
【发明内容】
[0004]鉴于现有技术中存在的上述问题，本发明提供一种Mura补偿数据写入装置，通过复用一个连接器，实现Mura补偿芯片的设定参数及Mura补偿数据的写入，以简化Mura补偿数据写入过程，提升数据写入效率，并降低生产成本。
[0005]另，本发明还提供一种Mura补偿数据写入方法。
[0006]—种Mura补偿数据写入装置，包括Mura补偿芯片、第一存储器、第二存储器、连接器及控制电路，所述Mura补偿芯片与所述第一存储器、第二存储器及连接器电性连接，所述连接器与所述第一存储器电性连接，并通过所述控制电路与所述第二存储器电性连接，所述第一存储器与第二存储器均包括允许写入状态和写入保护状态两种工作状态，所述控制电路用于控制所述第二存储器与所述第一存储器处于不同的工作状态，所述连接器用于在所述第一存储器进入允许写入状态时向所述第一存储器写入第一数据，并在所述第二存储器进入允许写入状态时，通过所述Mura补偿芯片向所述第二存储器写入第二数据。
[0007]其中，所述Mura补偿芯片包括第一通信接口，所述第一存储器包括第一读写接口及第一保护接口，所述连接器包括数据输入接口及读写控制接口 ；所述第一通信接口与所述第一读写接口连接；所述数据输入接口与所述第一通信接口及第一读写接口连接；所述读写控制接口与所述第一保护接口连接。
[0008]其中，所述Mura补偿芯片还包括第二通信接口，所述第二存储器包括第二读写接口及第二保护接口，所述第二通信接口与所述第二读写接口连接，所述读写控制接口通过所述控制电路与所述第二保护接口连接，所述控制电路用于控制所述第二存储器与所述第一存储器处于不同的工作状态。
[0009]其中，所述控制电路包括晶体管、第一电阻及第二电阻，所述晶体管包括栅极、源极及漏极，所述栅极与所述读写控制接口连接；所述源极用于接入第一电平的控制信号；所述第一电阻一端与所述源极连接，另一端与所述读写控制接口连接；所述漏极与所述第二保护接口连接；所述第二电阻一端与所述漏极及所述第二保护接口连接，另一端接地。
[0010]其中，所述晶体管为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管。
[0011]其中，所述第一读写接口用于向所述第一存储器写入所述第一数据；所述第一保护接口用于接入第一电平或第二电平的控制信号，当所述第一保护接口接入第一电平的控制信号时，所述第一存储器进入允许写入状态，当所述第一保护接口接入第二电平的控制信号时，所述第一存储器进入写入保护状态。
[0012]其中，当所述读写控制接口输出第一电平的控制信号时，所述第一存储器进入允许写入状态，所述第二存储器进入写入保护状态；所述数据输入接口输入第一数据，所述第一数据通过所述第一读写接口写入所述第一存储器。
[0013]其中，所述第二读写接口用于向所述第二存储器写入所述第二数据；所述第二保护接口用于接入第一电平或第二电平的控制信号，当所述第二保护接口接入第一电平的控制信号时，所述第二存储器进入允许写入状态，当所述第二保护接口接入第二电平的控制信号时，所述第二存储器进入写入保护状态。
[0014]其中，当所述读写控制接口输出第二电平的控制信号时，所述第一存储器进入写入保护状态，所述第二存储器进入允许写入状态；所述数据输入接口输入第二数据，所述第二数据通过所述第一通信接口传输到所述Mura补偿芯片，并由所述第二通信接口输出给所述第二读写接口，进而通过所述第二读写接口写入所述第二存储器。
[0015]一种Mura补偿数据写入方法，包括:
[0016]连接器的读写控制端口输出第一电平的控制信号，控制第一存储器进入允许写入状态；
[0017]控制电路将所述第一电平的控制信号转换为第二电平的控制信号，控制所述第二存储器进入写入保护状态；
[0018]连接器的数据输入接口输入第一数据，所述第一数据通过第一读写接口写入所述第一存储器；
[0019]连接器的读写控制端口输出第二电平的控制信号，控制第一存储器进入写入保护状态；
[0020]控制电路将所述第二电平的控制信号转换为第一电平的控制信号，控制所述第二存储器进入允许写入状态；
[0021]连接器的数据输入接口输入第二数据，所述第二数据通过第一通信接口传输到Mura补偿芯片；
[0022]所述Mura补偿芯片将所述第二数据通过第二通信接口输出给第二读写接口，并由所述第二读写接口写入所述第二存储器。
[0023]所述Mura补偿数据写入装置通过将所述连接器设置为与所述第一存储器电性连接，并通过所述控制电路与所述第二存储器电性连接，由所述控制电路控制所述第一存储器与所述第二存储器处于不同的工作状态，进而通过所述连接器在所述第一存储器进入允许写入状态时向所述第一存储器写入第一数据，并在所述第二存储器进入允许写入状态时，通过所述Mura补偿芯片向所述第二存储器写入第二数据，从而实现所述连接器的复用，简化了所述Mura补偿数据写入装置的结构及Mura补偿数据写入过程，有利于提升数据写入效率，并降低生产成本。
【附图说明】
[0024]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术中Mura补偿功能的实现原理框图；
[0026]图2为图1所示原始灰阶数据与Mura补偿数据的对比示意图；
[0027]图3为现有技术中Mura补偿数据写入装置的结构示意图；
[0028]图4为本发明实施例提供的Mura补偿数据写入装置的结构示意图；
[0029]图5为本发明实施例提供的Mura补偿数据写入方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0030]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031]为便于描述，这里可以使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”
等空间相对性术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。可以理解，当一个元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”