的数据输入接口输入第二数据，所述第二数据通过第一通信接口传输到Mura补偿芯片；
[0047]步骤S207:所述Mura补偿芯片将所述第二数据通过第二通信接口输出给第二读写接口，并由所述第二读写接口写入所述第二存储器。
[0048]其中，所述Mura补偿芯片包括第一通信接口，所述第一存储器包括第一读写接口及第一保护接口，所述连接器包括数据输入接口及读写控制接口 ；所述第一通信接口与所述第一读写接口连接；所述数据输入接口与所述第一通信接口及第一读写接口连接；所述读写控制接口与所述第一保护接口连接。
[0049]其中，所述Mura补偿芯片还包括第二通信接口，所述第二存储器包括第二读写接口及第二保护接口，所述第二通信接口与所述第二读写接口连接，所述读写控制接口通过所述控制电路与所述第二保护接口连接，所述控制电路用于控制所述第二存储器与所述第一存储器处于不同的工作状态。
[0050]其中，所述控制电路包括晶体管、第一电阻及第二电阻，所述晶体管包括栅极、源极及漏极，所述栅极与所述读写控制接口连接；所述源极用于接入第一电平的控制信号；所述第一电阻一端与所述源极连接，另一端与所述读写控制接口连接；所述漏极与所述第二保护接口连接；所述第二电阻一端与所述漏极及所述第二保护接口连接，另一端接地。
[0051]其中，所述晶体管为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管。
[0052]其中，所述第一读写接口用于向所述第一存储器写入所述第一数据；所述第一保护接口用于接入第一电平或第二电平的控制信号，当所述第一保护接口接入第一电平的控制信号时，所述第一存储器进入允许写入状态，当所述第一保护接口接入第二电平的控制信号时，所述第一存储器进入写入保护状态。
[0053]其中，当所述读写控制接口输出第一电平的控制信号时，所述第一存储器进入允许写入状态，所述第二存储器进入写入保护状态；所述数据输入接口输入第一数据，所述第一数据通过所述第一读写接口写入所述第一存储器。
[0054]其中，所述第二读写接口用于向所述第二存储器写入所述第二数据；所述第二保护接口用于接入第一电平或第二电平的控制信号，当所述第二保护接口接入第一电平的控制信号时，所述第二存储器进入允许写入状态，当所述第二保护接口接入第二电平的控制信号时，所述第二存储器进入写入保护状态。
[0055]其中，当所述读写控制接口输出第二电平的控制信号时，所述第一存储器进入写入保护状态，所述第二存储器进入允许写入状态；所述数据输入接口输入第二数据，所述第二数据通过所述第一通信接口传输到所述Mura补偿芯片，并由所述第二通信接口输出给所述第二读写接口，进而通过所述第二读写接口写入所述第二存储器。
[0056]可以理解，本实施例中所述的Mura补偿数据写入方法的各个步骤的具体执行还可以参照图4所示装置实施例中的描述，此处不再赘述。
[0057]所述Mura补偿数据写入装置通过将所述连接器设置为与所述第一存储器电性连接，并通过所述控制电路与所述第二存储器电性连接，由所述控制电路控制所述第一存储器与所述第二存储器处于不同的工作状态，进而通过所述连接器在所述第一存储器进入允许写入状态时向所述第一存储器写入第一数据，并在所述第二存储器进入允许写入状态时，通过所述Mura补偿芯片向所述第二存储器写入第二数据，从而实现所述连接器的复用，简化了所述Mura补偿数据写入装置的结构及Mura补偿数据写入过程，有利于提升数据写入效率，并降低生产成本。
[0058]以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种Mura补偿数据写入装置，包括Mura补偿芯片、第一存储器和第二存储器，其特征在于，所述装置还包括连接器及控制电路，所述Mura补偿芯片与所述第一存储器、第二存储器及连接器电性连接，所述连接器与所述第一存储器电性连接，并通过所述控制电路与所述第二存储器电性连接，所述第一存储器与第二存储器均包括允许写入状态和写入保护状态两种工作状态，所述控制电路用于控制所述第二存储器与所述第一存储器处于不同的工作状态，所述连接器用于在所述第一存储器进入允许写入状态时向所述第一存储器写入第一数据，并在所述第二存储器进入允许写入状态时，通过所述Mura补偿芯片向所述第二存储器写入第二数据。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述Mura补偿芯片包括第一通信接口，所述第一存储器包括第一读写接口及第一保护接口，所述连接器包括数据输入接口及读写控制接口 ；所述第一通信接口与所述第一读写接口连接；所述数据输入接口与所述第一通信接口及第一读写接口连接；所述读写控制接口与所述第一保护接口连接。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述Mura补偿芯片还包括第二通信接口，所述第二存储器包括第二读写接口及第二保护接口，所述第二通信接口与所述第二读写接口连接，所述读写控制接口通过所述控制电路与所述第二保护接口连接。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述控制电路包括晶体管、第一电阻及第二电阻，所述晶体管包括栅极、源极及漏极，所述栅极与所述读写控制接口连接；所述源极用于接入第一电平的控制信号；所述第一电阻一端与所述源极连接，另一端与所述读写控制接口连接；所述漏极与所述第二保护接口连接；所述第二电阻一端与所述漏极及所述第二保护接口连接，另一端接地。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述晶体管为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管。6.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一读写接口用于向所述第一存储器写入所述第一数据；所述第一保护接口用于接入第一电平或第二电平的控制信号，当所述第一保护接口接入第一电平的控制信号时，所述第一存储器进入允许写入状态，当所述第一保护接口接入第二电平的控制信号时，所述第一存储器进入写入保护状态。7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，当所述读写控制接口输出第一电平的控制信号时，所述第一存储器进入允许写入状态，所述第二存储器进入写入保护状态；所述数据输入接口输入第一数据，所述第一数据通过所述第一读写接口写入所述第一存储器。8.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第二读写接口用于向所述第二存储器写入所述第二数据；所述第二保护接口用于接入第一电平或第二电平的控制信号，当所述第二保护接口接入第一电平的控制信号时，所述第二存储器进入允许写入状态，当所述第二保护接口接入第二电平的控制信号时，所述第二存储器进入写入保护状态。9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，当所述读写控制接口输出第二电平的控制信号时，所述第一存储器进入写入保护状态，所述第二存储器进入允许写入状态；所述数据输入接口输入第二数据，所述第二数据通过所述第一通信接口传输到所述Mura补偿芯片，并由所述第二通信接口输出给所述第二读写接口，进而通过所述第二读写接口写入所述第二存储器。10.一种Mura补偿数据写入方法，其特征在于，所述方法包括: 连接器的读写控制端口输出第一电平的控制信号，控制第一存储器进入允许写入状态； 控制电路将所述第一电平的控制信号转换为第二电平的控制信号，控制所述第二存储器进入写入保护状态； 连接器的数据输入接口输入第一数据，所述第一数据通过第一读写接口写入所述第一存储器； 连接器的读写控制端口输出第二电平的控制信号，控制第一存储器进入写入保护状态； 控制电路将所述第二电平的控制信号转换为第一电平的控制信号，控制所述第二存储器进入允许写入状态； 连接器的数据输入接口输入第二数据，所述第二数据通过第一通信接口传输到Mura补偿芯片； 所述Mura补偿芯片将所述第二数据通过第二通信接口输出给第二读写接口，并由所述第二读写接口写入所述第二存储器。
【专利摘要】本发明提供一种Mura补偿数据写入装置，包括Mura补偿芯片、第一存储器、第二存储器、连接器及控制电路，所述Mura补偿芯片与第一存储器、第二存储器及连接器连接，所述连接器与第一存储器电性连接，并通过所述控制电路与第二存储器电性连接，所述第一存储器与第二存储器均包括允许写入和写入保护两种状态，所述控制电路用于控制所述第二存储器与第一存储器处于不同的工作状态，所述连接器用于在所述第一存储器进入允许写入状态时向第一存储器写入第一数据，并在第二存储器进入允许写入状态时，通过所述Mura补偿芯片向第二存储器写入第二数据。另，本发明还提供一种Mura补偿数据写入方法。所述Mura补偿数据写入装置可以简化Mura补偿数据写入过程并提升写入效率。
【IPC分类】G09G3/36
【公开号】CN105280149
【申请号】CN201510764877
【发明人】张华
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月11日