高压发生装置的曝光控制装置及曝光控制系统的制作方法

本发明涉及高压发生装置的曝光控制技术领域，特别是涉及一种高压发生装置的曝光控制装置及曝光控制系统。

背景技术：

目前，大部分的高压发生装置曝光过程通常采用io(输入输出)控制方式，该控制方式的缺点是曝光距离短，抗干扰能力差；还有一部分高压发生装置采用通信控制方式，该控制方式在通信过程中，数据量大，实时性高，如果处理不当，容易造成设备死机或高压发生装置无法曝光。

技术实现要素：

本发明针对现有技术存在的问题和不足，提供一种高压发生装置的曝光控制装置及曝光控制系统，采用通信与io相结合的控制方式，有效地解决了曝光距离短、抗干扰能力差和因数据通信带来的相关问题。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

本发明提供一种高压发生装置的曝光控制装置，其特点在于，其包括一第一抗干扰电路、一单片机、一第一触发电路、一第二抗干扰电路、一第二触发电路、一缓存器和一显示器；

该第一抗干扰电路用于接收一手闸传来的第一挡曝光手闸信号；

该单片机用于接收该第一挡曝光手闸信号并发送一第一控制信号至该第一触发电路；

该第一触发电路用于接收该第一控制信号后发出一预备曝光触发信号至该高压发生装置；

该单片机用于接收该高压发生装置传输来的第一信息并暂存至该缓存器中，并判断是否接收到经该第一抗干扰电路传输来的一手闸松开信息，在为否时解析该缓存器中的该第一信息，并判断该第一信息是否是预备曝光完成信息，在为是时调用该显示器显示预备曝光完成信息；

该单片机还用于检测是否接收到经该第二抗干扰电路传输来的第二挡曝光手闸信号，在为是时发送一第二控制信号至该第二触发电路；

该第二触发电路用于接收该第二控制信号后发出一开始曝光触发信号至该高压发生装置；

该单片机用于接收该高压发生装置传输来的第二信息并暂存至该缓存器中，并判断是否接收到经该第二抗干扰电路传输来的该手闸松开信息，在为否时解析该缓存器中的该第二信息，并判断该第二信息是否是曝光完成信息，在为是时调用该显示器显示曝光完成信息。

较佳地，该曝光控制装置还包括一计时器，该单片机中存储有一设定时间值和一设定长度值；

该单片机用于接收该高压发生装置传输来的数据，并判断该计时器记录的接收的前一段数据的时间和该计时器记录的接收的后一段数据的时间之间的时间间隔是否大于该设定时间值，在为是时将作为该第一信息的前一段数据暂存至该缓存器中并设置数据接收完成标志位，在为否时判断接收的数据的长度是否大于该设定长度值，在为是时将作为该第一信息的数据暂存至该缓存器中并设置数据接收完成标志位；

该单片机还用于在未接收到该手闸松开信息时判断数据标志位是否置位，在为是时解析该缓存器中的该第一信息并清除该数据标志位。

较佳地，该单片机用于接收该高压发生装置传输来的数据，并判断该计时器记录的接收的前一段数据的时间和该计时器记录的接收的后一段数据的时间之间的时间间隔是否大于该设定时间值，在为是时将作为该第二信息的前一段数据暂存至该缓存器中并设置数据接收完成标志位，在为否时判断接收的数据的长度是否大于该设定长度值，在为是时将作为该第二信息的数据暂存至该缓存器中并设置数据接收完成标志位；

该单片机还用于在未接收到该手闸松开信息时判断数据标志位是否置位，在为是时解析该缓存器中的该第二信息并清除该数据标志位。

较佳地，该第一抗干扰电路包括一第一光电耦合器、一第一tvs二极管(瞬态抑制二极管)、一第一电阻、一第一电容、一第二电阻和一第二电容；

该第一光电耦合器的第一输入端通过该第一电容接地、通过该第一电阻电连接第一电源、通过该第一tvs二极管接地，该第一光电耦合器的第二输入端与该手闸电连接，该第一光电耦合器的第一输出端通过该第二电容接地、通过该第二电阻电连接第二电源、还与该单片机的第一引脚电连接，该第一光电耦合器的第二输出端接地。

较佳地，该第一触发电路包括一第一三极管、一第一继电器、一第一二极管、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻、一第六电阻、一第三电容和一第四电容；

该第一三极管的基极通过该第三电阻与该单片机的第二引脚电连接、通过该第四电阻接地、通过该第三电容接地，该第一三极管的发射极接地，该第一三极管的集电极通过该第五电阻和该第一二极管电连接第三电源，该第一继电器的第一端电连接该第三电源，该第一继电器的第二端电连接该第五电阻和该第一二极管之间、通过该第四电容接地，该第一继电器的第三端接地，该第一继电器的第四端通过该第六电阻与该高压发生装置电连接。

较佳地，该第二抗干扰电路包括一第二光电耦合器、一第二tvs二极管、一第七电阻、一第五电容、一第八电阻和一第六电容；

该第二光电耦合器的第一输入端通过该第五电容接地、通过该第七电阻电连接该第一电源、通过该第二tvs二极管接地，该第二光电耦合器的第二输入端与该手闸电连接，该第二光电耦合器的第一输出端通过该第六电容接地、通过该第八电阻电连接该第二电源、还与该单片机的第三引脚电连接，该第二光电耦合器的第二输出端接地。

较佳地，该第二触发电路包括一第二三极管、一第二继电器、一第二二极管、一第九电阻、一第十电阻、一第十一电阻、一第十二电阻、一第七电容和一第八电容；

该第二三极管的基极通过该第九电阻与该单片机的第四引脚电连接、通过该第十电阻接地、通过该第七电容接地，该第二三极管的发射极接地，该第二三极管的集电极通过该第十一电阻和该第二二极管电连接第四电源，该第二继电器的第一端电连接该第四电源，该第二继电器的第二端电连接该第十一电阻和该第二二极管之间、通过该第八电容接地，该第二继电器的第三端接地，该第二继电器的第四端通过该第十二电阻与该高压发生装置电连接。

本发明还提供一种曝光控制系统，其特点在于，其包括上述的曝光控制装置和高压发生装置。

在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。

本发明的积极进步效果在于：

本发明的第一挡曝光手闸信号和第二挡曝光手闸信号均通过光耦隔离和tvs二极管等措施有效地提高了抗干扰能力，有效地解决了曝光距离短和曝光过程中的电气信号干扰问题；而且，可以解决通信过程中数据量大、实时性高、通信数据干扰问题，以及因控制不当造成的高压发生装置无法曝光等问题。本发明提高了曝光过程控制的抗干扰能力、提高系统的数据处理以及实时控制能力。

此外，第一和第二曝光手闸信号由通用的5v增大至9v，可有效延长曝光手闸信号线的长度。

附图说明

图1为本发明较佳实施例的曝光控制装置的结构框图。

图2为本发明较佳实施例的第一抗干扰电路的电路图。

图3为本发明较佳实施例的第一触发电路的电路图。

图4为本发明较佳实施例的第二抗干扰电路的电路图。

图5为本发明较佳实施例的第二触发电路的电路图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本实施例提供一种高压发生装置的曝光控制系统，其包括一曝光控制装置和一高压发生装置。

如图1所示，该曝光控制装置包括一第一抗干扰电路1、一单片机2、一第一触发电路3、一第二抗干扰电路4、一第二触发电路5、一计时器6、一缓存器7和一显示器8，该单片机2中存储有一设定时间值和一设定长度值。

下面具体介绍上述各部件所具备的功能：

该第一抗干扰电路1用于接收一手闸传来的第一挡曝光手闸信号；该单片机2用于接收该第一挡曝光手闸信号并发送一第一控制信号至该第一触发电路3；该第一触发电路3用于接收该第一控制信号后发出一预备曝光触发信号至该高压发生装置；该单片机2用于接收该高压发生装置传输来的第一信息并暂存至该缓存器7中，并判断是否接收到经该第一抗干扰电路1传输来的一手闸松开信息，在为否时解析该缓存器7中的该第一信息，并判断该第一信息是否是预备曝光完成信息，在为是时调用该显示器8显示预备曝光完成信息。

具体地，该单片机2用于接收该高压发生装置传输来的数据，并判断该计时器6记录的接收的前一段数据的时间和该计时器6记录的接收的后一段数据的时间之间的时间间隔是否大于该设定时间值，在为是时将作为该第一信息的前一段数据暂存至该缓存器7中并设置数据接收完成标志位，在为否时判断接收的数据的长度是否大于该设定长度值，在为是时将作为该第一信息的数据暂存至该缓存器7中并设置数据接收完成标志位。该单片机2还用于在未接收到该手闸松开信息时判断数据标志位是否置位，在为是时解析该缓存器7中的该第一信息并清除该数据标志位。

该单片机2还用于检测是否接收到经该第二抗干扰电路4传输来的第二挡曝光手闸信号，在为是时发送一第二控制信号至该第二触发电路5；该第二触发电路5用于接收该第二控制信号后发出一开始曝光触发信号至该高压发生装置；该单片机2用于接收该高压发生装置传输来的第二信息并暂存至该缓存器7中，并判断是否接收到经该第二抗干扰电路4传输来的该手闸松开信息，在为否时解析该缓存器7中的该第二信息，并判断该第二信息是否是曝光完成信息，在为是时调用该显示器8显示曝光完成信息。

具体地，该单片机2用于接收该高压发生装置传输来的数据，并判断该计时器6记录的接收的前一段数据的时间和该计时器6记录的接收的后一段数据的时间之间的时间间隔是否大于该设定时间值，在为是时将作为该第二信息的前一段数据暂存至该缓存器7中并设置数据接收完成标志位，在为否时判断接收的数据的长度是否大于该设定长度值，在为是时将作为该第二信息的数据暂存至该缓存器7中并设置数据接收完成标志位。

该单片机2还用于在未接收到该手闸松开信息时判断数据标志位是否置位，在为是时解析该缓存器7中的该第二信息并清除该数据标志位。

具体地，如图2所示，该第一抗干扰电路包括一第一光电耦合器tlp1、一第一tvs二极管d20、一第一电阻r38、一第一电容c84、一第二电阻r39和一第二电容c87。

该第一光电耦合器tlp1的第一输入端通过该第一电容接地c84、通过该第一电阻r38电连接9v电源、通过该第一tvs二极管d20接地，该第一光电耦合器tlp1的第二输入端与该手闸电连接，该第一光电耦合器tlp1的第一输出端通过该第二电容c87接地、通过该第二电阻r39电连接3.3v电源、还与该单片机的第一引脚电连接，该第一光电耦合器tlp1的第二输出端接地。

如图3所示，该第一触发电路包括一第一三极管q3、一第一继电器jdq2、一第一二极管d18、一第三电阻r30、一第四电阻r34、一第五电阻r48、一第六电阻r32、一第三电容c83和一第四电容c81。

该第一三极管q3的基极通过该第三电阻r30与该单片机的第二引脚电连接、通过该第四电阻r34接地、通过该第三电容c83接地，该第一三极管q3的发射极接地，该第一三极管q3的集电极通过该第五电阻r48和该第一二极管d18电连接第三电源，该第一继电器jdq2的第一端电连接该第三电源，该第一继电器jdq2的第二端电连接该第五电阻r48和该第一二极管d18之间、通过该第四电容c81接地，该第一继电器jdq2的第三端接地，该第一继电器jdq2的第四端通过该第六电阻r32与该高压发生装置电连接。

如图4所示，该第二抗干扰电路包括一第二光电耦合器tlp3、一第二tvs二极管d22、一第七电阻r42、一第五电容c89、一第八电阻r43和一第六电容c91。

该第二光电耦合器tlp3的第一输入端通过该第五电容c89接地、通过该第七电阻r42电连接该第一电源、通过该第二tvs二极管d22接地，该第二光电耦合器tlp3的第二输入端与该手闸电连接，该第二光电耦合器tlp3的第一输出端通过该第六电容c91接地、通过该第八电阻r43电连接该第二电源、还与该单片机的第三引脚电连接，该第二光电耦合器tlp3的第二输出端接地。

如图5所示，该第二触发电路包括一第二三极管q2、一第二继电器jdq1、一第二二极管d17、一第九电阻r29、一第十电阻r33、一第十一电阻r47、一第十二电阻r31、一第七电容c82和一第八电容c80。

该第二三极管q2的基极通过该第九电阻r29与该单片机的第四引脚电连接、通过该第十电阻r33接地、通过该第七电容c82接地，该第二三极管q2的发射极接地，该第二三极管q2的集电极通过该第十一电阻r47和该第二二极管d17电连接第四电源，该第二继电器jdq1的第一端电连接该第四电源，该第二继电器jdq1的第二端电连接该第十一电阻r47和该第二二极管d17之间、通过该第八电容c80接地，该第二继电器jdq1的第三端接地，该第二继电器jdq1的第四端通过该第十二电阻r31与该高压发生装置电连接。

在本实施例中，用户第一次按下电闸之后，电闸传输第一档曝光手闸信号至第一抗干扰电路，经第一抗干扰电路中的光耦隔离和tvs二极管等，可有效地提高抗干扰能力，第一档曝光手闸信号经第一抗干扰电路传输至单片机，单片机发出第一控制信号给第一触发电路，第一触发电路接收到第一控制信号之后，第一三极管导通，第一继电器导通，发送预备曝光触发信号至高压发生装置。

高压发生装置接收到预备曝光触发信号之后，发送第一信息给单片机，单片机接收第一信息并暂存至缓存器中；单片机通过第一抗干扰电路检测手闸是否松开，即用户是否继续按着手闸，在用户继续按着手闸并未松开时，单片机解析缓存器中的第一信息，并判断第一信息是否是预备曝光完成信息，若是则表明高压发生装置已经做好曝光预备，进而显示器提示用户高压发生装置已经做好曝光预备。

紧接着，用户第二次按下电闸之后，电闸传输第二档曝光手闸信号至第二抗干扰电路，经第二抗干扰电路中的光耦隔离和tvs二极管等，可有效地提高抗干扰能力，第二档曝光手闸信号经第二抗干扰电路传输至单片机，单片机发出第二控制信号给第二触发电路，第二触发电路接收到第二控制信号之后，第二三极管导通，第二继电器导通，发送开始曝光触发信号至高压发生装置。

高压发生装置开始曝光，然后发送第二信息给单片机，单片机接收第二信息并暂存至缓存器中；单片机通过第二抗干扰电路检测手闸是否松开，即用户是否继续按着手闸，在用户继续按着手闸并未松开时，单片机解析缓存器中的第二信息，并判断第二信息是否是曝光完成信息，若是则表明高压发生装置已经完成曝光操作，进而显示器提示用户高压发生装置已完成曝光操作。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。