专利名称：具有粘接到其上的涂覆膜的部分的光刻设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备以及一种用于制造器件的方法。
技术背景光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在 这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯) 上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括所谓步迸机，在所述步进机中，通过将 全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫 描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描所 述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将 所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。所述光刻设备可以是其中衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如 水)浸没的类型，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空隙。浸没 液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统 的第一元件之间)。浸没式光刻在美国专利申请公开出版物 No.US2004/0119954和PCT专利申请公开出版物No.WO2004/093160中被提及。 发明内容在浸没式光刻设备中，被浸湿的表面的接触角可能是很大的。然而，在使用中，例如由于辐射曝光、机械接触等，接触角可能变小。浸没液的 使用也可能或可选地导致在投影系统、衬底支撑件或者在所述液体或可能 从所述液体发出的蒸汽附近的光刻设备的其他部分上的污染。例如，污染 物可能残留在可能存在于衬底支撑件上的传感器上。这可能导致在例如将 衬底与图案形成装置对齐方面的误差和/或所述传感器的寿命的降低。可能在光刻设备中出现的附加的或替代的问题是污染物在所述设备 的至少一个部分(例如传感器)上的沉积和形成。这种污染物可能源自例 如抗蚀剂处理外的沥滤产品。污染物的沉积可能依赖于沉积的位置，导致 涉及例如上述接触角、设备部件的寿命、对准、调平、传感器光栅恶化和 /或辐射阻挡等关键问题。局部薄膜密封可能被用在浸没式光刻设备的衬底支撑件的顶表面上， 以便保护其免受浸没液的影响。然而，所述局部独立的薄膜密封可能需要 局部的亲水间隙和/或形成高度台阶。为此，浸没液可能残留，且可能产 生所不希望的力。进而，光刻设备的衬底支撑件的顶表面的一部分可能局部涂覆有涂层，以便保护其免受紫外(uv)辐射。然而，这些局部涂层例如由于使用中的所不希望的接触和/或劣化而造成磨损，引起表面亲水性能的变化。 涂层的损坏导致被所述涂层所保护的部分的高成本的替换或整修，在该情 况下所述被保护的部分为衬底支撑件。存在用于施加涂层的多种方法，例如化学气相沉积和离子束溅射。主 要采用这些途径的系统被设计以非常精确地涂覆所需的表面。因此，它们 很昂贵，并需要大量的建立时间。相应地，旨在例如提供一种光刻设备，所述光刻设备恰当地被保护，而免受来自例如uv辐射和/或浸没液的负面影响。根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束； 支撑件，所述支撑件配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置 能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束； 衬底支撑件，所述衬底支撑件配置用于保持衬底； 投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及可去除的粘合膜，所述粘合膜在所述设备的至少一部分上携带有涂层。根据本发明的实施例，提供一种器件制造方法，所述方法包括-将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；采用光刻设备，将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，可 去除的粘合膜在所述设备的至少一部分上携带有涂层； 对被投影的衬底进行显影；以及 由所述被显影的衬底制造器件。
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所 附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中-图l示出根据本发明的实施例的光刻设备； 图2是图1的衬底支撑件的俯视图； 图3是图2的放大侧向示意图；图4是根据本发明的实施例的浸没式光刻设备；以及图5是具有图4所示浸没罩的衬底支撑件的局部放大图。
具体实施方式
图l示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包 括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如，紫外辐射或 任何其他合适的辐射)；图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT，配置用 于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确 地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。所述设备也包括衬底支撑 件(例如衬底台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片) W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相 连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影 系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W 的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射 型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以 引导、成形、或控制辐射。图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计 以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图 案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的 或其他夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以是框架 或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置 支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。 在这里任何使用的术语"掩模版"或"掩模"都可以认为与更上位的术语 "图案形成装置"同义。这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用 于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成 图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标 部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特 征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定 的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括 掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型 相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的 示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿 不同方向反射入射的辐射束。所述己倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射 镜矩阵反射的辐射束。应该将这里使用的术语"投影系统"广义地解释为包括任意类型的投 影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光 学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如 使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语 "投影透镜"可以认为是与更上位的术语"投影系统"同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射 镜阵列，或采用反射式掩模)。所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或 更多的图案形成装置支撑件)的类型。在这种"多台"机器中，可以并行 地使用附加的台或支撑件，或可以在将一个或更多个其他台或支撑件用于 曝光的同时，在一个或更多个台或支撑件上执行预备步骤。所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射 率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统和衬底之间的空隙。 浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影 系统之间)。浸没技术可以被用于增加投影系统的数值孔径。这里所使用 的该术语"浸没"并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中，而仅仅 意味着在曝光过程中，液体位于投影系统和衬底之间。参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所 述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种 情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适 的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述 源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的 组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、 以及如果需要时的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调 整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为CT-外部和C7-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。 可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀 性和强度分布。所述辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件(例如，掩模台) MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形 成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B 通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。 通过第二定位装置PW和位置传感器IF (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底支撑件WT，例如以便 将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从 掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和 另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于 所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置 PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来 实现图案形成装置支撑件MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定 位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的 移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述图案形成装置支撑件MT 可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对 齐标记M1、 M2和衬底对齐标记P1、 P2来对齐图案形成装置MA和衬底 W。尽管所示的衬底对齐标记占据了专用目标部分，但是他们可以位于目 标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一 个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对齐标 记可以位于所述管芯之间。可以将所述设备用于以下模式的至少一种1. 在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标 部分C上的同时，将图案形成装置支撑件MT和所述衬底支撑件WT保持 为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y 方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最 大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。2. 在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上 的同时，对图案形成装置支撑件MT和衬底支撑件WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底支撑件WT相对于图案形成装置支撑件MT 的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特 征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的 所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所 述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。3. 在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装 置支撑件MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底支撑件WT进行移动或扫描。在这种 模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底支撑件WT的每一次移动 之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案 形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如， 如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。 图2是衬底支撑件WT的顶表面的平面示意图。所述顶表面包括多个 口。中心口 (圆形的)是衬底所在的凹槽l。多个其它的部件位于所述中 心口周围，并设置用于被投影系统PS的图案化的辐射束所照射。这些部件 可能是传感器，像两个传输图像传感器2、光斑传感器3和集成透镜干涉仪 4。它们也可能是至少一种测量装置、密封装置和/或致动器。例如，为了 恰当地保护顶表面使其免受来自投影系统PS的紫外辐射，采用携带有功能 性涂层6的可去除的膜5 (见图3)。所述膜5的内侧设置有粘合层7。在这种 情况下，所述功能性涂层至少是能够对紫外辐射起防护作用的。携带有涂层6的粘合膜5能够基本覆盖衬底支撑件WT的整个顶表面， 包括位于所述顶表面中的部件。然而，理想地，携带有涂层6的粘合膜5覆 盖衬底支撑件WT的顶表面，除去在其中为位于顶表面中的部件而设置的 开口和/或为衬底W而设置的凹槽l。于是，携带有涂层6的粘合膜5包括用 于部件和/或衬底W的开口 。这具有在不必去除携带有涂层6的整个粘合膜5 的情况下就能够去除和/或更换所述部件和/或衬底的优点。在这种情况下， 所述部件可能被独立的保护覆盖元件所独立覆盖，这能够有利地通过携带 有涂层6的粘合膜5的相同材料的零件制成。采用根据本发明实施例的携带有涂层的粘合膜有利地减缓了其所粘 附的设备的相应部分的由辐射引起的恶化。例如，所述涂层可能对于能够 损坏所述设备的相应部分的紫外波长是不透明的。也能够或替代地采用辐 射吸收涂层。以昂贵的装备将具有精确厚度的涂层精确地直接施加到要保 护的设备的这些部分上不再是必需的。相反地，所述涂层能够在光刻设备 外部以较为容易的步骤被简便地、快捷地和可靠地施加到所述膜上，例如 紧跟在制造所述膜之后和/或在施加具有粘合层的膜之后。所述涂层可以 通过任何合适的方法或工艺设宣在所述膜上。在实施例中，所述涂层通过溅射、旋涂、浸渍涂布或低真空等离子体工艺施加。随后，所述膜与涂层 一起能够被简便地、快捷地和可靠地粘合到设备的所需部分上。这节省了 时间和成本。应该指出的是，所述涂层不仅保护所述设备的所需部分，而 且保护所述膜和粘合层自身免受辐射引起的恶化。因为携带有涂层的粘合 膜是可去除的，所以如果需要，被称为具有粘合剂和涂层的全新膜的崭新 膜可以容易地将其替代。在这种替代之后，所述设备的被其所粘附的部分 在一定的时间内得到足够的保护。这实质上延长了所述部分的寿命并增加 了采用光刻设备制造衬底的工艺的精度。进而，携带有涂层的粘合膜可以 附加地或替代地被有利地应用于所述设备的涂层不能直接被应用的一部 分上，其中例如可能因为所述部分无论如何都不能被加热，所以不能施加 涂层到该部分上。所述膜可以用类似金属箔片的薄箔片材料制成。所述膜可能具有任何合适的厚度。在实施例中，所述膜的厚度至少为9微米，最大为ll微米。 有利地，携带有涂层的所述膜具有与所述设备的膜所粘附到的部分基本相 同的热延展特性，在这种情况下，所述设备的部分是指衬底支撑件WT。 在实施例中，所述膜可能设置有条带或波纹状(bellow-like)结构，以使 得如果需要，其能够容易地与所述衬底支撑件一起膨胀和/或收縮。涂层6可以由对紫外辐射具有防护作用的材料制成。在实施例中，所 述涂层是疏水涂层，更具体地，例如是包括聚合六甲基二硅氧垸的疏水涂 层。附加地或替代地，所述涂层包括由硅树脂族和/或氧化钛组成的化合 物。也可以使用其他的有机氧金属(organoxy-metallic)化合物。所述涂 层可能具有任何合适的厚度。在实施例中，所述涂层的厚度至少为400纳 米，最多为600纳米。粘合层7包括粘合剂，以使得所述膜与其涂层一起可以被简便地根据 需要以手动方式从其所粘附到的部分的顶表面去除，在这种情况下，所述 部分为衬底支撑件WT。所述粘合剂应当粘附到携带有具有足够强度的涂 层的膜上，以使得在正常操作过程中，携带有涂层的膜保持在合适的位置 上，且不易被不希望的接触所损坏。在实施例中，粘合层7包括热熔胶， 尤其是压力敏感热熔胶。例如，可以使用诸如热塑性异戊二烯-苯乙烯等 三嵌段聚合物。应该指出的是，尽管根据本发明的实施例，这种粘合剂对于延长的紫外辐射曝光是敏感的，但是由于所述涂层可以保护所述粘合 剂，而不成为问题。粘合层可以具有任何合适的厚度。在实施例中，所述粘合层的厚度至少为9微米，最大为ll微米。图4和图5示出浸没式光刻设备的实施例，所述浸没式光刻设备的实施 例除去图l的实施例之外，还包括具有液体限制结构的液体供给系统，有 时所述液体限制结构被称为浸没罩IH，其沿着在投影系统PS的最终元件和 衬底支撑件WT之间的空隙的边界的至少一部分延伸。所述限制结构可能在投影系统的最终元件上方略微延伸。液体供给系统被用于将液体供给到 由在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的限制结构所限定的空隙。为 此，液面上升到所述最终元件上方，从而提供液体缓冲。于是，形成储液 槽20，其可以通过与在投影系统PS的像场周围的衬底W进行无接触密封而 被密封在所述空隙中。根据实施例，携带有功能性涂层的可去除的粘合膜被设置在液体限制 结构的至少一部分上。尤其，至少其顶表面21可能设置有携带有所述涂层 的可去除的粘合膜。在这种情况下，所述功能性涂层使得其具有至少一种 所需的属性，尤其是所需的接触角。于是，能够每次提供具有"可更新的" 顶层的表面，所述顶层具有所需的属性。如果需要，所述涂层也可以使得 结构的所述部分被恰当地保护，而免受浸没液和/或来自投影系统PS的辐 射所引起的恶化带来的负面影响。所述结构的其他部分也能够或替代地被 以这种携带有涂层的粘合膜所保护。进而，像在图2和图3的实施例中，衬底支撑件WT也能够具有携带有被粘附到其上的涂层的粘合膜。这帮助将液体保持在所述限制结构内，尤 其是如果邻近衬底W的衬底支撑件WT的顶表面的边缘部分24形成为处于与所述限制结构的内周缘部分25相对的位置。而且，它帮助防止在衬底支 撑件WT的顶表面上形成污点。在这种情况下，根据需要，所述涂层是具 有大于85度的水接触角(后退接触角)或大于95度的水接触角(静接触角) 的疏水材料。这种疏水涂层已知能够避免其所覆盖的部分由水溶液(例如 浸没液)引起生锈。在实施例中，所述疏水涂层包含氧化钛。这具有优势， 因为氧化钛是用于在紫外辐射的影响下分解碳氢化合物的催化剂，碳氢化 合物在用于光刻的抗蚀剂中。于是，具有携带有涂层的粘合膜的系统可能13在使用中有一定程度的自清洗作用。除了所示的实施例之外，多种替代方案也是可行的。例如，携带有涂 层的膜可能被设置在所述设备的至少一个其它部分上，所述设备的至少一 个其他部分在设备的操作过程中被辐射曝光或被浸没液浸湿，例如，照射 系统的一部分、图案形成装置支撑件的一部分、衬底支撑件的一部分和/ 或投影系统的一部分。尤其，所述膜可以被沿着其边缘部分粘附到图案形 成装置支撑件等的顶部上的投影系统的上侧和下侧。其也能够被粘附到所 谓封闭盘的顶部或底部，所述封闭盘可能被设置在浸没式光刻设备中的衬 底附近的衬底支撑件中。这种封闭盘能够临时地替代在液体限制结构下面 的衬底，且因此例如在衬底更换的过程中密封所述限制结构。在实施例中，携带有涂层的多个粘合膜可以一个摞一个地堆叠设置。 携带有涂层的粘合膜在需要时，即例如在它们已经被损坏或恶化以致不再 能正确地实现其功能之后，可以被逐个地撕掉。因为在此仅仅需要去除所 使用的膜，所以可以将设备的停机时间最小化。替代地，能够在一旦需要 时每次将携带有涂层的新粘合膜置于旧粘合膜的顶部上。尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造ic， 但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、 磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制 造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代应用的情况中， 可以将其中使用的任意术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术 语"衬底"或"目标部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后 进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝 光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的 情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外， 所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术 语"衬底"也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的 实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻， 并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中 的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或 其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置 从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括-紫外辐射(例如具有约365、 248、 193、 157或126 nm的波长)和极紫外 (EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子 束或电子束。在上下文允许的情况下，所述术语"透镜"可以表示各种类型的光学 部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式 和静电式的光学部件。尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发 明可以以与上述不同的形式实现。以上的描述是说明性的，而不是限制性 的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护 范围的条件下，可以对本发明进行修改。
权利要求
1.一种光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束；支撑件，所述支撑件配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底支撑件，所述衬底支撑件配置用于保持衬底；投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及可去除的粘合膜，所述粘合膜设置在所述设备的至少一部分上并携带有涂层。
2. 根据权利要求l所述的光刻设备，还包括液体供给系统，所述液体 供给系统具有液体限制结构，所述液体限制结构沿着在投影系统和衬底支 撑件之间的空隙的边界的至少一部分延伸，携带有所述涂层的所述膜位于 所述液体限制结构的至少一部分上。
3. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜位于设备的、在设备的操作过程中被辐射曝光的至少一部分上。
4. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜位于(i)照射系统、或(ii)图案形成装置支撑件、或(iii)衬底支撑 件、或(iv)投影系统、或(v)选自从(0至U (iv)的任意组合中的至 少一部分上。
5. 根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜位于所述衬底支撑件的顶表面的至少一部分上。
6. 根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜大致覆盖所述衬底支撑件的整个顶表面。
7. 根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜覆盖所述衬底支撑件的顶表面，在所述衬底支撑件中为位于所述顶表面中的至少一个器件而设置的至少一个开口除外。
8. 根据权利要求7所述的光刻设备，其中位于所述顶表面中的所述至少一个器件包括(0测量装置、或(ii)密封装置、或(iii)致动器、或 (iv)选自从(i)到(iii)的任意组合。
9. 根据权利要求7所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜包括至少一个开口，所述至少一个开口对应于衬底支撑件中的至少一个 开口。
10. 根据权利要求l所述的光刻设备，包括堆叠设置的多个粘合膜， 每个粘合膜携带有所述涂层。
11. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述膜包括金属箔片。
12. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述膜的最大厚度为ll微米。
13. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所 述膜与其所粘附到的设备的相应部分具有大致相同的热膨胀特性。
14. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述涂层能够防紫外辐射。
15. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述涂层是疏水涂层。
16. 根据权利要求15所述的光刻设备，其中所述疏水涂层包括聚合六 甲基二硅氧垸。
17. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述涂层具有600纳米的最大厚度。
18. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述涂层包括硅树脂。
19. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述涂层包括氧化钛。
20. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述涂层具有至少85度的 水接触角。
21. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述粘合膜包括热熔胶。
22. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述粘合膜包括最大厚度 为ll微米的粘合层。
23. —种器件制造方法，所述方法包括步骤-将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；采用光刻设备，将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，在 所述设备的至少一部分上的可去除的粘合膜携带有涂层； 对被投影的衬底进行显影；以及由所述被显影的衬底制造器件。
全文摘要
本发明公开了一种具有粘接到其上的涂覆膜的部分的光刻设备，所述光刻设备在所述设备的至少一部分上具有携带有涂层的可去除的粘合膜。在实施例中，公开了一种液体供给系统，所述液体供给系统具有液体限制结构，所述液体限制结构沿着在投影系统和衬底支撑件之间的空隙的边界的至少一部分延伸，其中携带有涂层的膜位于所述液体限制结构的至少一部分上。
文档编号G03F7/20GK101329517SQ20081012548
公开日2008年12月24日 申请日期2008年6月18日 优先权日2007年6月19日
发明者丹尼尔·约瑟夫·玛丽亚·迪瑞克斯, 保尔阿斯·马丁内斯·列布瑞格蒂斯, 哥特-简·杰拉尔达斯·约翰内斯·托马斯·布兰德斯, 埃瑞克·罗艾尔洛夫·鲁普斯卓, 威廉姆斯·弗朗西斯克·约翰内斯·西蒙斯, 弗朗西斯克斯·约翰内斯·约瑟芬·詹森, 罗纳德·范德汉姆, 考恩·斯蒂芬斯, 门诺·费恩 申请人:Asml荷兰有限公司