专利名称：一种掩膜版的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体光刻显影技术领域，尤其涉及一种掩膜版。
背景技术：
液晶显示器、集成电路等半导体器件的制程需要用到掩膜版，以在玻璃基 板或半导体基片上蚀刻出用户需要的图形。图1示出了掩膜版的制作流程，首 先用计算机设计软件进行图形制作，并将图形转换为曝光设备可识别的数据， 然后曝光设备在涂覆有感光胶的掩膜版上曝光成与设计要求一致的图形，最后 对掩膜版进行显影处理，使掩膜版上的感光胶呈现出用户需要的图形。
掩膜版在显影过程中，由于工艺条件的差异性，或者显影手法的熟练程度 都会影响显影的精度。为保证此关键制程的稳定性，必须寻找一种可靠、便捷 的显影控制技术，确保掩膜版的质量满足各种要求。
现有的显影工艺主要是依靠控制显影液的浓度，显影过程中的温度，显影 的手法以及显影的时间来控制显影的精度，该方法受工艺环境的影响较大，对 掩膜版的前端制程也有较高要求，要达到掩膜版高精度的稳定控制，必须保证 掩膜版的材料稳定，曝光工艺的稳定，显影工艺的稳定，尤其是在显影阶段，
主*靠两种方法来实现显影精度的控制1、基于大量实验找出同一容器中显 影液的显影次数与显影时间的关系，将之应用到实际生产，才艮据显影液浓度的 变化对显影时间进行控制；2、保持显影液的浓度恒定。其中根据显影液浓度的 变化对显影时间进行控制的方式生产操作实现难度较高，而采用控制显影液浓 度的方式成本压力又4交大。
实用新型内容
3本实用新型的目的在于提供一种掩膜版，旨在解决现有技术中对掩膜版显 影精度的控制实现难度较高或成本压力大的问题。
本实用新型是这样实现的， 一种掩膜版，所述掩膜版具有一显影精度控制 图标，所述显影精度控制图标包含有第 一组刻度标记，所述第 一组刻度标记由 一组刻度标记图案组成，所述第 一组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依 次呈递增或递减变化，所述第一组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀。
本实用新型中，通过在掩膜版上制作一显影精度控制图标，该显影精度控 制图标中包含有一组刻度标记，每组刻度标记由线宽呈递增或递减顺序变化且 线宽均匀的刻度标记图案组成，通过监控该刻度标记中刻度标记图案的显影程 度，将刻度标记的显影变化情况和掩膜版的显影时间有机的结合起来，最终实 现控制显影精度，同时减少了显影液浓度的变化对产品精度的影响，而不再需 要根据显影液浓度的变化对显影时间进行控制，或维持显影液的浓度恒定，实 现简单且緩解了成本压力，同时根据该图标可以很方便的判断出掩膜版的显影 程度，提高了制程的稳定性和可追溯性。
图l是现有技术提供的掩膜版的制作流程示意图； 图2是本实用新型第一实施例提供的使用正性感光胶的掩膜版的显影精度 控制图标示意图3是本实用新型第一实施例提供的使用负性感光胶的掩膜版的显影精度 控制图标示意图4是本实用新型第二实施例提供的掩膜版显影精度控制图标示意图； 图5是本实用新型第三实施例提供的掩膜版显影精度控制图标示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型实施例中，在掩膜版上制作一显影精度控制图标，该显影精度 控制图标中包含有一组或多组刻度标记，每组刻度标记由线宽呈递增或递减顺 序变化且线宽均匀的刻度标记图案组成，通过监控该刻度标记中刻度标记图案 的显影程度最终实现控制显影精度。
图2示出了本实用新型第一实施例提供的掩膜版的显影精度控制图标，该 显影精度控制图标包含有第一组刻度标记1,第一组刻度标记1由一组刻度标 记图案组成，第一组刻度标记l中的各个刻度标记图案的线宽由上向下依次呈 递增变化，当然也可以设置为递减变化，其中的每个刻度标记图案形状可以为 矩形，也可以为其他线宽均匀的图案，如线宽均匀的曲线等。当对经过曝光、 涂覆有感光胶的掩膜版进行显影处理时，可以通过视觉监控第一组刻度标记1 中所期望线宽的显影程度的变化，来判断掩膜版当前的显影程度，例如假定图 1中的矩形刻度标记图案11为期望显影的刻度标记图案，矩形刻度标记图案12、 13的线宽分别小于和大于矩形刻度标记图案11的线宽，且感光胶为正性感光 胶，若当前能够显影出影像的刻度标记图案的最大线宽小于矩形刻度标记图案 11的线宽，例如只有矩形刻度标记图案12以及线宽小于矩形刻度标记图案12 的刻度标记图案能够显影出影像，则表明掩膜版中设计图案的线条没有完全显 影，即掩膜版显影不足；若当前能够显影出影4象的刻度标记图案的最大线宽大 于矩形刻度标记图案11的线宽，例如矩形刻度标记图案13以及线宽小于矩形 刻度标记图案13的刻度标记图案能够显影出影像，则表明掩膜版中设计图案的 线条显影程度已经超出需要，即掩膜版显影过度。
本实用新型实施例中，可以通过监控刻度标记中刻度标记图案的显影程度 得知掩膜版的显影程度，进而实现对掩膜版显影精度的控制，而不再需要根据 显影液浓度的变化对显影时间进行控制，或维持显影液的浓度恒定，实现简单 且緩解了成本压力。本实用新型实施例中，显影精度控制图标进一步包含有第二组刻度标记2， 与第一组刻度标记1相同，第二组刻度标记2同样由一组刻度标记图案组成， 第二组刻度标记2中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化，每个 刻度标记图案的线宽均匀，且刻度标记图案的最大线宽小于所期望显影的刻度 标记的线宽(对应于感光胶为正性感光胶)，如图2所示，或刻度标记图案的 最小线宽大于所期望显影的刻度标记的线宽(对应于感光胶为负性感光胶)， 如图3所示，第二组刻度标记2适用于极端显影过度的情形，具体监控判断原 理如上文所述，此处不再赘述。
进一步地，为了在监控过程中更能清楚的辨认显影精度控制图标中的刻度 标记图案，在制作时还可以将刻度标记图案的长度^L计为呈一定规律变化，具 体见图4示出的本实用新型第二实施例提供的掩膜版的显影精度控制图标，和 图5示出的本实用新型第三实施例提供的掩膜版的显影精度控制图标。
本实用新型实施例中，通过在掩膜版上制作一显影精度控制图标，该显影 精度控制图标中包含有一组或多组刻度标记，每组刻度标记由线宽呈递增或递 减顺序变化且线宽均匀的刻度标记图案组成，如矩形图案，通过监控该刻度标 记中刻度标记图案的显影程度，将刻度标记的显影变化情况和掩膜版的显影时 间有机的结合起来，最终实现控制显影精度，同时减少了显影液浓度的变化对 产品精度的影响，同时根据该图标可以很方便的判断出掩膜版的显影程度，提 高了制程的稳定性和可追溯性。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型， 凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1、一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版具有一显影精度控制图标，所述显影精度控制图标包含有第一组刻度标记，所述第一组刻度标记由一组刻度标记图案组成，所述第一组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化，所述第一组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀。
2、 如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述刻度标记图案为矩形图案。
3、 如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述显影精度控制图标 包含有第二组刻度标记，所述第二组刻度标记由一组刻度标记图案组成，所述 第二组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化的，所述 第二组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀；所述第二组刻度标记中的 刻度标记图案的最大线宽小于所期望显影的刻度标记的线宽。
4、 如权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述显影精度控制图标 包含有第二组刻度标记，所述第二组刻度标记由一组刻度标记图案组成，所述第二组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化的，所述 第二组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀；所述第二组刻度标记中的 刻度标记图案的最小线宽大于所期望显影的刻度标记的线宽。
专利摘要本实用新型适用于半导体光刻显影技术领域，提供了一种掩膜版，所述掩膜版具有一显影精度控制图标，所述显影精度控制图标包含有第一组刻度标记，第一组刻度标记由一组刻度标记图案组成，第一组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化，第一组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀。本实用新型通过在掩膜版上制作一显影精度控制图标，该显影精度控制图标中包含有一组刻度标记，每组刻度标记由线宽呈递增或递减顺序变化且线宽均匀的刻度标记图案组成，通过监控该刻度标记中刻度标记图案的显影程度实现控制显影精度，而不再需要根据显影液浓度的变化对显影时间进行控制或维持显影液的浓度恒定，实现简单且缓解了成本压力。
文档编号G03F1/42GK201237695SQ200820147200
公开日2009年5月13日 申请日期2008年9月5日 优先权日2008年9月5日
发明者李跃松, 苏利刚 申请人:清溢精密光电(深圳)有限公司